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        提高集成電路質(zhì)量等級的封裝過程控制方法

        2020-12-25 08:41:50關(guān)亞男趙鶴然馬仲麗
        微處理機(jī) 2020年6期
        關(guān)鍵詞:工藝質(zhì)量

        關(guān)亞男,趙鶴然,馬仲麗

        (中國電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所,沈陽110000)

        1 引 言

        進(jìn)入21 世紀(jì),隨著人類向太空領(lǐng)域的不斷探索,載人航天、深空探測等重大航天活動(dòng)的蓬勃開展?fàn)恳詈礁呖萍技夹g(shù)跨越式的進(jìn)步。我國僅“十三五”期間就計(jì)劃在實(shí)施的載人航天、控月工程、深空探測、北斗導(dǎo)航、通信遙感等領(lǐng)域內(nèi)研制、發(fā)射數(shù)百顆各類航天器。相比于地面應(yīng)用,空間環(huán)境更加復(fù)雜和惡劣[1-3]。宇航器件具有不可維修性,器件本身的可靠性成為影響航天器使用壽命的關(guān)鍵因素[4-5]。在此背景下,對集成電路的可靠性要求越來越高,為保證集成電路的質(zhì)量可靠性,篩選和一致性質(zhì)量檢驗(yàn)必不可少,但這些只是檢驗(yàn)監(jiān)測手段,可靠性設(shè)計(jì)和封裝過程控制才是制備高可靠性集成電路的關(guān)鍵[6-8]。在此,以某款典型的集成電路產(chǎn)品為研究對象,針對在封裝過程中出現(xiàn)的問題,找到解決方法,在過程中探索如何對其進(jìn)行質(zhì)量控制,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的高可靠性。

        2 半導(dǎo)體集成電路質(zhì)量等級

        根據(jù)GJB597B-2012,質(zhì)量保證等級分為S 級、BG 級和B 級。S 級是最高質(zhì)量等級,供宇航用;BG級介于S 級和B 級間;B 級為標(biāo)準(zhǔn)軍用質(zhì)量保證等級。各質(zhì)量等級的篩選要求如表1 所示。

        表1 篩選要求

        從表中可以看出,電路質(zhì)量等級從B 級提升到更高的質(zhì)量等級需要滿足的篩選要求有:100%的非破壞性鍵合拉力、粒子碰撞噪聲檢測、反偏老煉及X射線照相。直接和封裝相關(guān)的篩選要求有:100%的非破壞性鍵合拉力、內(nèi)部目檢(密封前)、粒子碰撞噪聲檢測、密封(細(xì)檢和粗檢)以及X 射線照相。

        3 封裝過程質(zhì)量控制

        集成電路的封裝過程并不復(fù)雜,生產(chǎn)環(huán)境控制、工藝過程的操作控制和工序質(zhì)量檢驗(yàn)都是封裝過程中質(zhì)量控制必不可少的環(huán)節(jié)。在保證生產(chǎn)環(huán)境控制要求的基礎(chǔ)上,以下結(jié)合表1 中和封裝相關(guān)的篩選要求,有針對性地逐工序介紹封裝過程中的工藝過程控制和質(zhì)量控制方法。

        3.1 封裝工藝的選擇

        集成電路封裝流程如下:

        劃片→粘片→鍵合→密封

        其中,可供選用的粘片工藝包括金硅合金粘片、真空燒結(jié)粘片以及導(dǎo)熱膠粘片等;鍵合工藝包括金絲鍵合、鋁硅絲鍵合、粗鋁絲鍵合等;密封工藝包括低溫?zé)Y(jié)封蓋、平行縫焊封蓋、儲(chǔ)能焊封蓋等。這些封裝工藝都可以很好滿足普通質(zhì)量等級的要求。

        封裝過程中涉及的原材料包括管殼(蓋板)、粘片用的粘接材料、鍵合用金屬絲等。在封裝工藝中應(yīng)盡可能選用非禁用限用的材料,以保證產(chǎn)品可靠性。

        此處采用某款實(shí)際科研中用到的集成電路為例(后文中提到的對電路的要求,均是以該款電路為例)。封裝工藝優(yōu)先選擇金屬焊接材料(鉛銦銀合金焊片)的真空燒結(jié)工藝、鋁硅絲鍵合、低溫?zé)Y(jié)封蓋。

        選擇金屬焊接材料是因?yàn)樵摲N金屬焊片焊接后無揮發(fā)性殘留物質(zhì),可以很好地控制封裝腔體內(nèi)的氣氛;選擇真空燒結(jié)工藝,可避免工藝過程中產(chǎn)生可移動(dòng)的多余粒子,提高粒子碰撞噪聲檢測合格率;選擇鋁硅絲鍵合工藝,可以有效避免金鋁效應(yīng),提高鍵合的可靠性;鍵合后施加100%非破壞性鍵合拉力,可以有效剔除鍵合質(zhì)量不合格的半成品。

        該款集成電路選用的是陶瓷管殼、金屬蓋板(帶焊料環(huán)),更適合用低溫?zé)Y(jié)封蓋以保證集成電路的氣密性封裝,故此選擇低溫?zé)Y(jié)封蓋。在封裝開始前對管殼蓋板進(jìn)行高溫處理,以保證封裝腔體內(nèi)的氣氛不受到水汽、氫氣等其他氣氛的影響。在封裝過程中逐工序?qū)Ψ庋b腔體內(nèi)的氣氛進(jìn)行控制,以滿足更高質(zhì)量等級的集成電路對封裝腔體內(nèi)氣氛的要求。

        在每道封裝工序后都有嚴(yán)格的檢驗(yàn)要求,檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)按照GJB548 中相關(guān)條款要求執(zhí)行。

        3.2 各封裝工序的質(zhì)量控制

        3.2.1 劃片

        如果封裝的芯粒是以從晶圓中獲得,劃片將是必不可少的封裝工序。目前的劃片方式有多種,新的劃片設(shè)備也層出不窮,但仍以砂輪刀為主要?jiǎng)澠ぞ?。劃片時(shí)的刀具旋轉(zhuǎn)速度、運(yùn)行速度,刀具的冷卻速度、晶圓的清洗速度都將影響劃片的質(zhì)量,最終對芯粒的質(zhì)量產(chǎn)生影響。

        3.2.2 粘片

        待提高電路質(zhì)量等級的電路對粘片主要有以下幾點(diǎn)要求:一是芯片的粘接強(qiáng)度;二是同批次產(chǎn)品的芯片粘接強(qiáng)度的離散性,即抽樣粘接強(qiáng)度檢測的最大值與最小值之間的倍數(shù)關(guān)系不能超過一定的數(shù)值(例如小于等于3);三是芯片粘接面積達(dá)到一定的比例要求(例如不小于75%),粘接的單個(gè)空洞面積不能超過10%。除此之外還要對封裝腔體內(nèi)的氣氛進(jìn)行控制,因此粘片工藝應(yīng)盡可能選擇溫度較高的金屬粘接材料,并且芯片本身要求背面蒸金,以實(shí)現(xiàn)良好的粘接。為了增加有效粘接面積,應(yīng)在工藝過程中選擇重量、尺寸合適的壓塊放在芯片上來增加芯片的重量。在真空的作用下,此舉可以更好地排出芯片與金屬焊片間、金屬焊片與管殼間的氣體,最終達(dá)到粘接要求和對氣氛的控制要求。

        粘片后的檢驗(yàn)主要是針對芯片的粘接情況、管殼腔體內(nèi)的多余粒子情況以及芯片在粘接操作過程中的受損情況。芯片質(zhì)量檢查要在高放大倍數(shù)下進(jìn)行;芯片的粘接情況和管殼內(nèi)的多余粒子情況可以低放大倍數(shù)下進(jìn)行。

        圖1 所示為芯片的粘接情況。其中,有焊料溢出的粘接為理想粘接情況,沒有焊料溢出的粘接為不理想粘接情況。當(dāng)沒有焊料溢出的粘接連續(xù)到一定程度的時(shí)候,判定為粘接不合格。在顯微鏡下不易全面觀察到芯片的粘接情況,因此檢驗(yàn)時(shí)需要將管殼傾斜一定的角度檢查芯片邊緣的粘接情況。如果發(fā)現(xiàn)焊料未溢出的點(diǎn)比較多,則可采用X 射線照相的手段檢查整個(gè)芯片的粘接情況,以判斷是否需要進(jìn)行工藝調(diào)整;若封裝腔體內(nèi)有多余粒子,需要用一定氣壓的氣流吹走或用干凈的軟毛刷清理。

        圖1 芯片粘接情況

        圖2 所示為粘接后發(fā)現(xiàn)了芯片裂紋。圖2(a)為芯片表面的裂紋,此種情況在顯微鏡下觀察很容易發(fā)現(xiàn);圖2(b)為芯片側(cè)壁上的裂紋,一般的檢驗(yàn)操作都是垂直方向檢查,因此很難在檢查時(shí)發(fā)現(xiàn)此種異常,而是要在檢查芯片粘接情況時(shí)發(fā)現(xiàn),這就需要檢驗(yàn)操作人員有一定程度的檢驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)及檢驗(yàn)操作技巧,利用光的反射發(fā)現(xiàn)異常,從而進(jìn)行進(jìn)一步的檢察,以及時(shí)準(zhǔn)確地找出問題所在。

        圖2 芯片裂紋

        3.2.3 鍵合

        在相同的鍵合條件下,建議在鍵合前將半成品電路在100~120 ℃下預(yù)烘10~20 分鐘,以此來提高鍵合質(zhì)量,也對控制封裝腔體內(nèi)的氣氛有利。一般情況下還要對完成鍵合的半成品抽樣100%進(jìn)行非破壞性鍵合試驗(yàn),以保證鍵合強(qiáng)度滿足要求。鍵合完成后,要對鍵合整體質(zhì)量進(jìn)行檢驗(yàn),包括鍵、引線等。

        3.2.4 密封

        電路不僅對氣密性封裝有要求,對密封區(qū)的封接面積也有一定的要求。用X 射線對封接面積進(jìn)行檢查,可以觀察密封效果是否滿足要求。在密封前,將半成品在真空-高純氮狀態(tài)下循環(huán)5~7 次,同時(shí)溫度控制在120±5 ℃,以控制封裝腔體內(nèi)的氣氛。密封時(shí),組裝后的蓋板和管殼用夾具固定,放入高純氮的環(huán)境下加熱。固定夾具要有一定的壓力,并且這個(gè)壓力應(yīng)盡量均勻地分布在蓋板上,以達(dá)到良好的封接效果。密封完成后,還要再對密封質(zhì)量進(jìn)行檢查。

        4 驗(yàn)證結(jié)果

        分三批次封裝300 只樣品進(jìn)行統(tǒng)一篩選,每批封裝100 只。在封裝過程中,粘片工序的首件剪切強(qiáng)度均大于200 N;鍵合工序的首件鍵合拉力均大于7.0 g;100%非破壞性鍵合拉力全部合格;封蓋前內(nèi)部目檢全部合格。

        封蓋后再進(jìn)行篩選,篩選統(tǒng)計(jì)結(jié)果見表2。從表中統(tǒng)計(jì)結(jié)果可以看出:此處采用的控制方法能夠滿足高等級質(zhì)量要求。

        表2 篩選統(tǒng)計(jì)結(jié)果

        5 結(jié)束語

        在集成電路的封裝過程中,環(huán)境控制必不可少,對檢驗(yàn)的要求要更加嚴(yán)格,對操作過程的控制更是重中之重。嚴(yán)格的生產(chǎn)過程控制,并輔以嚴(yán)格的檢驗(yàn),在有效的篩選手段的支持下,才可有效提高產(chǎn)品質(zhì)量的一致性,滿足集成電路更高質(zhì)量等級的要求。

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