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        基于核磁共振與紅外光譜的復(fù)合絕緣子老化程度量化評(píng)估方法

        2020-12-07 03:58:48夏云峰
        絕緣材料 2020年8期
        關(guān)鍵詞:水性絕緣子老化

        鄺 凡,楊 挺,夏云峰

        (廣東電網(wǎng)有限責(zé)任公司東莞供電局,廣東 東莞 523000)

        0 引言

        傳統(tǒng)的復(fù)合絕緣子老化評(píng)估方法主要分為兩大類:一是物理結(jié)構(gòu)特性測(cè)試,如憎水性測(cè)試、超聲探傷、X射線成像等,通過(guò)觀察物理結(jié)構(gòu)上的缺陷來(lái)判定絕緣子的老化程度,但此類方法受儀器精度及主觀因素影響較大;二是電氣性能測(cè)試,如泄漏電流測(cè)試、紅外測(cè)溫、紫外測(cè)試等,以帶電檢測(cè)的形式對(duì)設(shè)備絕緣性能進(jìn)行測(cè)試,進(jìn)而評(píng)估絕緣子的老化程度,但此類方法會(huì)受到環(huán)境因素、觀察角度以及表面污穢狀況的影響[1-5]。目前,基于高分子材料微觀化學(xué)機(jī)理的新型評(píng)估方法,如核磁共振、紅外光譜等,因其靈敏性高、方便快捷等優(yōu)點(diǎn),越來(lái)越多地應(yīng)用于復(fù)合絕緣子老化評(píng)估的研究中。文獻(xiàn)[6-7]對(duì)不同運(yùn)行時(shí)間、不同運(yùn)行環(huán)境的復(fù)合絕緣子進(jìn)行紅外光譜測(cè)試,總結(jié)出Si-O-Si和Si-CH3等典型官能團(tuán)對(duì)應(yīng)的吸收峰面積與老化程度的對(duì)應(yīng)關(guān)系。文獻(xiàn)[8-10]的核磁共振試驗(yàn)結(jié)果表明,復(fù)合絕緣子材料等效橫向弛豫時(shí)間隨著運(yùn)行時(shí)間增長(zhǎng)呈下降趨勢(shì),其中文獻(xiàn)[8]利用自身設(shè)計(jì)的便攜式單邊核磁共振傳感器,方便快捷地實(shí)現(xiàn)了絕緣子老化程度的無(wú)損檢測(cè),但都沒(méi)有給出量化的老化程度判斷依據(jù)。

        本文對(duì)東莞地區(qū)110~500 kV線路復(fù)合絕緣子按運(yùn)行時(shí)間長(zhǎng)短進(jìn)行抽樣,通過(guò)對(duì)樣品絕緣子進(jìn)行核磁共振與紅外光譜測(cè)試,對(duì)表征絕緣子老化程度的特征量進(jìn)行歸一化標(biāo)定分析,并結(jié)合憎水性等級(jí)測(cè)試結(jié)果,采用數(shù)理統(tǒng)計(jì)的方法,確定復(fù)合絕緣子老化等級(jí)的劃分區(qū)間。

        1 核磁共振試驗(yàn)

        采用的核磁共振試驗(yàn)設(shè)備主要包括Kea2核磁共振譜儀(Spinsolve型,新西蘭Magritek公司)、射頻功率放大器(BT00500 ALPHA-SA型,澳大利亞Tomco公司)、雙工器模塊以及計(jì)算機(jī)、單邊核磁共振傳感器。采用CPMG脈沖序列激勵(lì)樣品,如圖1所示。其中,d為脈沖寬度,Techo為回波時(shí)間,A180°和A90°分別為180°脈沖幅值和90°脈沖幅值。試驗(yàn)參數(shù)設(shè)置如表1所示。

        試驗(yàn)樣品為東莞地區(qū)110、220、500 kV線路檢修時(shí)換下的絕緣子。為定量研究試驗(yàn)結(jié)果與老化程度的規(guī)律,選擇其中生產(chǎn)廠家相同的、生產(chǎn)工藝相同、運(yùn)行年數(shù)不同的9支復(fù)合絕緣子進(jìn)行試驗(yàn),樣品信息如表2所示。

        圖1 CPMG脈沖序列及回波信號(hào)Fig.1 CPMG pulse sequences and echo signal

        將核磁共振測(cè)量?jī)x器的前端傳感器部分分別夾持在每一支復(fù)合絕緣子的低壓端、中壓端和高壓端進(jìn)行檢測(cè),可以得到絕緣子的CPMG回波信號(hào)。以新品絕緣子(樣品A)為例,對(duì)絕緣子的CPMG回波信號(hào)進(jìn)行指數(shù)擬合,得到表征復(fù)合絕緣子老化狀態(tài)的特征量——等效橫向弛豫時(shí)間T2,如圖2所示。橫向弛豫時(shí)間反映了硅橡膠材料中H原子的狀態(tài),當(dāng)絕緣子在運(yùn)行過(guò)程中受到紫外線、電暈等影響時(shí),會(huì)導(dǎo)致硅橡膠分子中與Si原子相連的碳?xì)浠鶊F(tuán)脫落,使H原子狀態(tài)發(fā)生變化,因此T2可以一定程度上反映絕緣子的老化程度。9支樣品絕緣子各個(gè)測(cè)點(diǎn)的橫向弛豫時(shí)間試驗(yàn)結(jié)果如表3所示。

        表1 核磁共振試驗(yàn)參數(shù)Tab.1 Nuclear magnetic resonance test parameters

        表2 絕緣子樣品信息Tab.2 Insulator sample information

        以運(yùn)行時(shí)間為橫坐標(biāo),9支絕緣子樣品各測(cè)點(diǎn)的橫向弛豫時(shí)間為縱坐標(biāo)畫圖,結(jié)果如圖3所示。從圖3可以看出,隨著運(yùn)行時(shí)間的延長(zhǎng),橫向弛豫時(shí)間總體呈下降的趨勢(shì),且高壓端<低壓端<中壓端,這是由于絕緣子串自上而下的電場(chǎng)不均勻分布造成的,高壓端承受的場(chǎng)強(qiáng)最高,電場(chǎng)畸變程度更嚴(yán)重,更容易發(fā)生電暈等表面放電現(xiàn)象,其產(chǎn)生的臭氧和高溫會(huì)加速傘裙的老化。但橫向弛豫時(shí)間與絕緣子運(yùn)行時(shí)間并不是嚴(yán)格意義上的線性關(guān)系,存在一定的波動(dòng)性,這是因?yàn)閺?fù)合絕緣子老化程度還會(huì)受到絕緣子運(yùn)行環(huán)境和電壓等級(jí)的影響。

        圖2 指數(shù)擬合曲線Fig.2 Exponential fitting curve

        表3 復(fù)合絕緣子樣品的橫向弛豫時(shí)間(單位:ms)Tab.3 Horizontal relaxation time of samples

        圖3 橫向弛豫時(shí)間測(cè)試結(jié)果Fig.3 Horizontal relaxation time test results

        2 紅外光譜測(cè)試及歸一化標(biāo)定分析

        采用Nicolet iS50型傅里葉變換紅外光譜儀對(duì)表2所示的復(fù)合絕緣子樣品進(jìn)行紅外光譜測(cè)試,硅橡膠分子中主要官能團(tuán)與吸收峰的對(duì)應(yīng)關(guān)系如表4所示。

        表4 硅橡膠分子中主要官能團(tuán)與吸收峰的對(duì)應(yīng)關(guān)系Tab.4 Chemical groups and their corresponding absorption peaks

        新品絕緣子與在運(yùn)絕緣子的紅外光譜吸收曲線如圖4所示。絕緣子老化過(guò)程中伴隨著主鏈Si-O-Si的斷裂和側(cè)鏈基團(tuán)的脫落,相應(yīng)官能團(tuán)對(duì)應(yīng)吸收峰會(huì)下降,從圖4可以看出,波數(shù)為1 260 cm-1處的Si-CH3吸收峰下降最為明顯,因此采用該吸收峰面積表征復(fù)合絕緣子的老化程度。

        圖4 新舊絕緣子紅外光譜吸收曲線Fig.4 Infrared absorption curve of old and new insulators

        各樣品Si-CH3吸收峰面積測(cè)試結(jié)果如表5所示,并將結(jié)果隨運(yùn)行時(shí)間的變化示于圖5。從圖5可以看出,Si-CH3吸收峰面積與圖3中橫向弛豫時(shí)間呈現(xiàn)同樣的變化規(guī)律。

        以新出廠的絕緣子(樣品A)的試驗(yàn)數(shù)據(jù)Tnew和Snew為基準(zhǔn)值,按照式(1)和式(2)對(duì)橫向弛豫時(shí)間和吸收峰面積進(jìn)行歸一化處理。

        式(1)~(2)中:T2和T2′分別為等效橫向弛豫時(shí)間的測(cè)試結(jié)果和歸一化后的數(shù)值;SSi-CH3和分別為Si-CH3吸收峰面積測(cè)試結(jié)果和歸一化后的數(shù)值。實(shí)際上,歸一化后T2′和的物理意義為復(fù)合絕緣子老化后的T2和SSi-CH3相對(duì)其出廠值的百分比。

        表5 復(fù)合絕緣子樣品的Si-CH3吸收峰面積Tab.5 Peak areas of Si-CH3of samples

        圖5 Si-CH3吸收峰面積測(cè)試結(jié)果Fig.5 Peak area of Si-CH3test results

        9支絕緣子樣品的高壓端、中壓端、低壓端共27個(gè)測(cè)點(diǎn),將各個(gè)測(cè)點(diǎn)的T2′和分別作為橫坐標(biāo)和縱坐標(biāo)作圖,結(jié)果如圖6所示。從圖6可以看出,T2′和具有明顯的線性相關(guān)性,說(shuō)明同為反映絕緣子微觀化學(xué)結(jié)構(gòu)的特征量,兩者具有緊密聯(lián)系,反映出的絕緣子老化程度具有一致性。

        圖 6 T2′和 S′Si-CH3關(guān)系圖Fig.6 Relationship between T2′and S′Si-CH3

        3 老化程度量化評(píng)估方法

        憎水性分級(jí)法作為一種較為成熟的絕緣子老化程度評(píng)估方法,可為核磁共振與紅外光譜的量化評(píng)估提供依據(jù)。參考文獻(xiàn)[11]中依據(jù)憎水性等級(jí)提出了絕緣子老化程度劃分方法,結(jié)合電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)DL/T 1000.3—2015中“復(fù)合絕緣子憎水性下降至HC6或永久消失時(shí),應(yīng)予更換”的要求,本文根據(jù)憎水性等級(jí)將復(fù)合絕緣子老化等級(jí)分為輕度老化、中度老化及重度老化3個(gè)級(jí)別,連同相應(yīng)的運(yùn)維處理建議一同列于表6。此外,在紅外光譜切片試驗(yàn)之前,對(duì)9支絕緣子樣品的不同部位進(jìn)行了噴水試驗(yàn),表7給出了各測(cè)點(diǎn)的水滴狀態(tài)與老化等級(jí)判定結(jié)果(編號(hào)為A的絕緣子為新品,其各部位未存在老化現(xiàn)象,所以沒(méi)有給出)。

        表6 老化級(jí)別劃分標(biāo)準(zhǔn)Tab.6 Ageing grade division standard

        將每個(gè)測(cè)點(diǎn)的憎水性老化等級(jí)判定結(jié)果在圖7中標(biāo)示出,得到憎水性老化等級(jí)與核磁共振、紅外光譜測(cè)試結(jié)果的關(guān)系。從圖7可以看出,T2′與越低的測(cè)點(diǎn),其老化程度越高,由于T2′和的線性相關(guān)性,可以將T2′和劃分為3個(gè)區(qū)間,分別對(duì)應(yīng)著3種老化等級(jí)。由于測(cè)試數(shù)據(jù)是分散的,無(wú)法讀取確切的區(qū)間邊界值,需要采用數(shù)理統(tǒng)計(jì)中常用的參數(shù)估計(jì)方法,利用各個(gè)老化程度中的樣本數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算區(qū)間邊界值。

        表7 老化等級(jí)測(cè)試結(jié)果Tab.7 Ageing grade test results

        圖7 憎水性判定老化等級(jí)與T2′、S′Si-CH3之間的關(guān)系Fig.7 Relationship among T2′,S′Si-CH3,and ageing grade

        本文中試品絕緣子運(yùn)行時(shí)間從1~20年均勻分布,因此表征老化程度的特征值T2′與在各個(gè)老化等級(jí)劃分區(qū)間內(nèi)也為均勻分布,而均勻分布的邊界參數(shù)常用矩估計(jì)的方法來(lái)得到。矩估計(jì)是利用樣本的各階矩來(lái)估計(jì)總體的各階矩,從而獲得總體未知參數(shù)估計(jì)值的一種方法,其理論依據(jù)為辛欽大數(shù)定律[12]。假設(shè)總體X在[a,b]區(qū)間內(nèi)均勻分布,a和b未知,由均勻分布的特性可得式(3)~(4)。

        式(3)~(4)中:μ1為總體X的一階原點(diǎn)距;μ2為總體X的二階原點(diǎn)矩。而樣本的一階原點(diǎn)距A1和二階原點(diǎn)距A2為式(5)~(6)。

        式(5)~(6)中:n為樣本個(gè)數(shù);Xi為第i個(gè)樣本值;為樣本的平均值;S2為樣本的方差,令μ1=A1,μ2=A2,聯(lián)立解得a和b,如式(7)~(8)所示。

        由式(7)和式(8)對(duì)3個(gè)老化等級(jí)對(duì)應(yīng)的區(qū)間邊界值進(jìn)行計(jì)算,結(jié)果如表8所示。

        表8 矩估計(jì)計(jì)算結(jié)果Tab.8 Moment estimation calculation results

        由矩估計(jì)得出的各個(gè)區(qū)間邊界并不是連續(xù)的,相鄰區(qū)間之間還有空隙,為保證老化級(jí)別較高的絕緣子不被漏判,此處把未覆蓋到的區(qū)域都劃入更高的老化級(jí)別中,并將重度老化的下邊界延伸至0,從而得出絕緣子老化級(jí)別的評(píng)估方法如表9所示。綜上,利用核磁共振與紅外光譜的測(cè)試方法,獲得表征復(fù)合絕緣子老化程度的特征值,并與出廠試驗(yàn)值進(jìn)行歸一化標(biāo)定處理,便可以快捷有效地對(duì)絕緣子老化程度進(jìn)行量化評(píng)估。

        表9 復(fù)合絕緣子老化程度量化評(píng)估方法Tab.9 Quantitative evaluation method for ageing grade

        4 結(jié)論

        (1)橫向弛豫時(shí)間T2和Si-CH3吸收峰面積SSi-CH3隨著運(yùn)行時(shí)間的增長(zhǎng)總體呈下降的趨勢(shì),且并不是嚴(yán)格意義上的線性關(guān)系,還會(huì)受到絕緣子的傘裙位置、運(yùn)行環(huán)境以及電壓等級(jí)等因素的影響。

        (2)歸一化處理后的T2′和具有明顯的線性相關(guān)性,說(shuō)明同為反映絕緣子微觀化學(xué)結(jié)構(gòu)的特征量,兩者具有緊密聯(lián)系,反映出的絕緣子老化程度具有一致性。

        (3)結(jié)合憎水性等級(jí)測(cè)試對(duì)復(fù)合絕緣子的老化程度進(jìn)行等級(jí)劃分,并采用矩估計(jì)的方法,由樣本數(shù)據(jù)計(jì)算出了根據(jù)T2′和劃分老化等級(jí)的區(qū)間邊界值,為復(fù)合絕緣子老化程度的量化評(píng)估提供了參考。

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