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        氣相二氧化硅的制備方法及其特性

        2020-11-26 06:06:49張吉武
        商品與質(zhì)量 2020年9期
        關(guān)鍵詞:副產(chǎn)物二氧化硅硅烷

        張吉武

        新疆晶碩新材料有限公司 新疆烏魯木齊 830000

        1 氣相二氧化硅的制備方法

        在制備氣相二氧化硅時,需要制備人員對氣相二氧化硅的原材料進(jìn)行分析,主要為鹵硅烷、四氟化硅以及甲基三氯化硅等,根據(jù)上述物質(zhì)的性質(zhì),確定制備方法。在制備過程中,需要將鹵硅烷放置在氫氣環(huán)境中進(jìn)行充分的燃燒,隨后進(jìn)行水解,制備人員提煉水解中的二氧化硅粒子,并經(jīng)過一系列的操作,包括驟冷、聚集、分離以及脫酸等,最終得到氣相二氧化硅。

        在上世紀(jì)中期,制備氣相二氧化硅時,主要使用四氯化硅,該原料只需簡單的制備方法,即可獲得氣相二氧化硅,但是需要花費(fèi)較高的成本。在有機(jī)硅單體技術(shù)發(fā)展過程中,該技術(shù)用于制備氣相二氧化硅時,會產(chǎn)生甲基三氯硅烷等副產(chǎn)物,即便控制制備成本,但是質(zhì)量無法滿足使用標(biāo)準(zhǔn)。在上世紀(jì)八十年代開始,研究人員利用制備過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)物,將副產(chǎn)物與四氯化硅進(jìn)行混合,即可得到成本更低的氣相二氧化硅,并且操作較為簡單[1]。

        在氣相二氧化硅制備過程中,根據(jù)制備原理,依照化學(xué)公式SiCl4+2H2+O2=SiO2+H2O+4HCl、CH3SiCl3+2H2+3O2=SiO2+3HC l+CO2+2H2O。上述化學(xué)反應(yīng)作為制備氣相二氧化硅的新方法,可以使有機(jī)硅單體和氣相二氧化硅,在連續(xù)的制備過程中獲得,從而提高副產(chǎn)物的利用率。在制備期間產(chǎn)生的副產(chǎn)物,與有機(jī)硅單體繼續(xù)反應(yīng)。硅元素與氯甲烷反應(yīng)后,會產(chǎn)生二甲基二氯硅烷和甲基三氯硅烷,二甲基三氯硅烷繼續(xù)反應(yīng),最終得到氣相二氧化硅,氣相二氧化硅可以投入到生產(chǎn)硅橡膠等有機(jī)硅產(chǎn)品。此外根據(jù)上述制備過程,生產(chǎn)氣相二氧化硅的企業(yè),需要與大型有機(jī)硅單體公司建立長期的合作關(guān)系,才能提高生產(chǎn)效率,獲得良好的經(jīng)濟(jì)效益。

        2 氣相二氧化硅的性質(zhì)

        2.1 氣相二氧化硅的結(jié)構(gòu)

        氣相二氧化硅具有無定性氧化物性質(zhì),在制備過程中,將有機(jī)鹵硅烷物質(zhì)放入到氫環(huán)境中高溫燃燒,隨后進(jìn)行水解后,會產(chǎn)生粒徑在7-40nm范圍內(nèi)的粒子,該粒子在熱分子運(yùn)動狀態(tài)下,在遠(yuǎn)離火源的過程中聚集成氣相二氧化硅,此時的粒子組成的形態(tài)具有不規(guī)則特點(diǎn),通常以支鏈型結(jié)構(gòu)為主,同時粒子在相互作用后,不斷增強(qiáng)氣相二氧化硅聚集能力,氣相二氧化硅 不會受到外力的作用而發(fā)生變化。

        2.2 氣相二氧化硅的表面性質(zhì)

        組成氣相二氧化硅的原生粒子,在聚集過程中,其表面性質(zhì)主要參考液氮BET表面積中粒子大小為參考依據(jù)?,F(xiàn)階段在對液氮BET表面積粒子進(jìn)行分析時,通常按照產(chǎn)品的牌號,比較不同牌號粒徑大小,以便確定表面性質(zhì)。通常情況下,氣相二氧化硅的表面積,會在每克100-400平方米范圍內(nèi)。此外氣相二氧化硅若由鹵化硅烷原料制備,進(jìn)入到水解環(huán)節(jié),羥基聚集在氣相二氧化硅表面,該物質(zhì)會影響到氣相二氧化硅的表面性質(zhì),并且將水解溫度提升至850℃時,才能去除該物質(zhì)。

        在氣相二氧化硅的表面,會由以下結(jié)構(gòu)組成,包括硅氧基、孤立羥基、鄰位羥基以及雙重羥基。在對有機(jī)硅烷進(jìn)行處理時,需要將ClSiR基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)镾iRCl。在對醇類處理時,SiOH會與ROH反應(yīng),反應(yīng)后生成水和SiOR。在對胺類進(jìn)行處理時,SiOH物質(zhì)反應(yīng)后,最終生成SiONRRR和水。

        2.3 氣相二氧化硅的表面處理

        在氣相二氧化硅的表面,會存在較多的硅羥基,硅羥基具有較強(qiáng)的吸水性,氣相二氧化硅在使用過程中,會吸收周圍環(huán)境的水分,無法發(fā)揮氣相二氧化硅的防水作用。此外由于表面存在硅羥基,無法與硅橡膠中的氧氫結(jié)合,在無法結(jié)合的狀態(tài)下,氣相二氧化硅會使橡膠的結(jié)構(gòu)性狀態(tài)更加明顯。所以在對氣相二氧化硅的表面處理時,首先進(jìn)行疏水處理,使表面的有機(jī)物和硅羥基,通過反應(yīng)建立化學(xué)鍵,在化學(xué)鍵的建立過程中,硅羥基數(shù)量不斷減少,有效提升氣相二氧化硅的相容性。現(xiàn)階段在工業(yè)生產(chǎn)過程中,對表面進(jìn)行處理時,使用二甲基二氯硅烷、三甲基氯烷等處理劑,通常會與硅羥基反應(yīng)[2]。

        早期使用的處理方法,以間歇式方法為主,盡管該方法操作簡單,但是無法提高處理質(zhì)量,同時會消耗較多的處理劑,造成表面處理成本不斷提高。許多國家在處理氣相二氧化硅的表面時,采用連續(xù)化在線處理方法,在氣相二氧化硅制備的同時,加入表面處理劑與硅羥基進(jìn)行反應(yīng),不僅提高處理效率,還能降低成本,避免硅羥基等物質(zhì)產(chǎn)生的污染物破壞生態(tài)環(huán)境。

        2.4 氣相二氧化硅的其他性質(zhì)

        提高氣相二氧化硅制備純度,需要使用純度較高的原料,并且在制備期間,在密閉性的環(huán)境中進(jìn)行,避免雜質(zhì)進(jìn)入影響制備純度。高純度的氣相二氧化硅中,二氧化硅含量在99.8%以上,并且折光率為1.46,此時氣相二氧化硅具備良好的導(dǎo)電功能。

        3 氣相二氧化硅的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)

        在氣相二氧化硅制備過程中,制備的氣相二氧化硅需要按照相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行檢驗(yàn)。現(xiàn)階段產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn),依據(jù)ISO3262-20:2000標(biāo)準(zhǔn),一方面明確氣相二氧化硅的制備標(biāo)準(zhǔn),另一方面明確產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。此外在氣相二氧化硅應(yīng)用在不同領(lǐng)域時,都需要依照不同的標(biāo)準(zhǔn)。以軍工領(lǐng)域制備氣相二氧化硅為例,軍工領(lǐng)域的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)要高于民用產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),而民用標(biāo)準(zhǔn)都會由企業(yè)自行制定。所以規(guī)范氣相二氧化硅產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),需要更多的企業(yè)參與,如廣州某企業(yè)制定的氣相二氧化硅產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),基于ISO3262-20:2000標(biāo)準(zhǔn)的同時,經(jīng)過不斷的優(yōu)化和完善,已經(jīng)滿足各領(lǐng)域使用氣相二氧化硅產(chǎn)品的需求。我國正在積極的制定氣相二氧化硅產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),為推動我國氣相二氧化硅發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)[3]。

        4 結(jié)語

        綜上所述,氣相二氧化硅的應(yīng)用范圍十分廣泛,包括農(nóng)業(yè)、食品等生產(chǎn)的塑料、橡膠等,運(yùn)用科學(xué)合理的方法制備氣相二氧化硅,并且制定完善的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),既能提高氣相二氧化硅的制備水平,還能滿足我國各領(lǐng)域的應(yīng)用需求,從而推動我國各領(lǐng)域快速發(fā)展,創(chuàng)造更多的經(jīng)濟(jì)效益。

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