張亞東,楊曉艷,柴明強(qiáng),李 偉,艾 琳,呂錦雷,劉世紅
(1.國家鎳鈷新材料工程技術(shù)研究中心,甘肅 蘭州 730101;2.蘭州金川科技園有限公司,甘肅 蘭州 730101)
高純鎳錠是半導(dǎo)體芯片用鐵磁性濺射靶材的關(guān)鍵支撐材料之一,由于其在提高抗電遷移性、抗腐蝕性及附著強(qiáng)度等方面的優(yōu)良性能,而成為最新發(fā)展集成電路布線及互聯(lián)線工藝中必不可少的高性能材料,同時也是制備航空航天用高性能合金必不可少的關(guān)鍵原料,用其制備的高純鎳及其合金靶材在半導(dǎo)體行業(yè)主要應(yīng)用于存儲領(lǐng)域。
存儲器芯片是應(yīng)用面最廣的基礎(chǔ)性通用集成電路產(chǎn)品,主要用于存儲程序代碼和數(shù)據(jù)[1],目前物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能等新一代技術(shù)的快速發(fā)展,對改善與人們息息相關(guān)的醫(yī)療保健、交通運(yùn)輸?shù)榷鄠€領(lǐng)域均會起到極大的推進(jìn)作用,但新技術(shù)巨大潛力的發(fā)揮要以足夠的算力為基礎(chǔ),其所涉及的數(shù)據(jù)集越來越大,終端電子設(shè)備需要有更強(qiáng)大的內(nèi)存支撐,存儲器市場潛力巨大。隨著我國經(jīng)濟(jì)高速的發(fā)展以及不斷加強(qiáng)尋求向更高附加值的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型,國產(chǎn)存儲器產(chǎn)業(yè)正在蓬勃發(fā)展,在終端市場與制造產(chǎn)能都在中國的有利背景下,以存儲器為代表的核心半導(dǎo)體芯片國產(chǎn)化大勢所趨,存儲器市場需求成為半導(dǎo)體成長的主動力[2]。中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計的權(quán)威數(shù)據(jù)顯示,到2018年我國存儲芯片市場規(guī)模達(dá)到了5775億元,同比增長34.18%,占全球市場規(guī)模的55%以上,同時預(yù)測從2020年開始我國存儲芯片產(chǎn)業(yè)將繼續(xù)保持高速發(fā)展,到2025年將達(dá)到7749億元。
半導(dǎo)體存儲器是一個高度壟斷的市場,其三大主流產(chǎn)品DRAM、NANDFlash、NOR Flash更是如此,全球市場基本被前三大公司三星、海力士、美光所壟斷,且近年來壟斷程度逐步加劇,其關(guān)鍵原材料高純鎳工藝技術(shù)同樣被國外所壟斷,國內(nèi)進(jìn)入該領(lǐng)域時間相對較晚,技術(shù)落后于國外,尤其化學(xué)純度5N以上的高純鎳錠規(guī)模化生產(chǎn)一直處于空白,目前國家從安全戰(zhàn)略和核心技術(shù)方面考慮正在投資布局存儲器芯片產(chǎn)業(yè)鏈,并出臺相關(guān)扶持政策,金川公司借助所承擔(dān)國家重點(diǎn)研發(fā)計劃4.1項(xiàng)目的資金支持開發(fā)出滿足下游客戶使用要求的高純鎳錠產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)存儲器芯片用關(guān)鍵原材料的規(guī)?;a(chǎn)和國產(chǎn)化,打破國外壟斷地位,助推國內(nèi)半導(dǎo)體存儲器行業(yè)的快速發(fā)展。
半導(dǎo)體存儲器芯片用高純鎳錠材料制備主要是通過真空熔煉技術(shù)制備,本文主要就項(xiàng)目實(shí)施過程中使用到的三種真空熔煉技術(shù)進(jìn)行簡要介紹,對比工藝技術(shù)和所制備鎳錠產(chǎn)品質(zhì)量的優(yōu)缺點(diǎn)。
真空電子束技術(shù)[3]是一種非接觸加工的高能束流加工技術(shù),在高真空條件下(10-3pa以上),電子槍陰極由于高壓電場的作用而被加熱發(fā)射電子,電子匯集成束,再在加速電壓的作用下,以極高的速度向陽極運(yùn)動,穿過陽極后,在多個聚焦線圈和偏轉(zhuǎn)線圈的作用下,使電子束準(zhǔn)確地轟擊到待熔物料和水冷銅坩堝內(nèi)的底錠上將動能轉(zhuǎn)換為熱能,使底錠被熔化形成熔池,同時物料也不斷地被熔化滴落到熔池內(nèi),從而實(shí)現(xiàn)熔煉、提純之目的。其亦被稱為電子束滴熔技術(shù)。
圖1 真空電子束爐結(jié)構(gòu)示意圖
根據(jù)電子束爐水冷銅坩堝尺寸和進(jìn)料裝置的特點(diǎn)將高純鎳板原料剪切成合適的規(guī)格,放置在設(shè)備的進(jìn)料裝置上面,通過真空電子束熔煉工藝制備出高純鎳錠。該技術(shù)在熔煉過程中使用的是水冷銅坩堝,對產(chǎn)品來說不會引入外界污染,制備的鎳錠化學(xué)純度可以達(dá)到5N以上,滿足客戶使用要求,但存在熔煉效率低,精煉時間短,雜質(zhì)去除效果差,尤其是氣體去除不充分,鑄錠內(nèi)部缺陷多,成材率低,生產(chǎn)成本高的缺點(diǎn)。
隨著下游市場對高純材料質(zhì)量的進(jìn)一步需求,真空電子束爐設(shè)備得到很大的發(fā)展改進(jìn),真空電子束冷床爐熔煉技術(shù)[4]應(yīng)運(yùn)而生,該技術(shù)彌補(bǔ)了傳統(tǒng)真空電子束熔煉的缺點(diǎn),使用多個電子槍將物料熔化和鑄錠成型功能完全分開,有效控制了熔液精煉時間,提升了雜質(zhì)去除效果,同時也改善了熔煉效率和鑄錠物理質(zhì)量,降低了生產(chǎn)成本。
圖2 真空電子束冷床爐結(jié)構(gòu)示意圖
真空感應(yīng)爐熔煉技術(shù)[5]是在密閉真空條件下,利用中頻電磁感應(yīng)在金屬導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生渦流加熱熔化坩堝內(nèi)物料的原理來熔煉金屬的工藝技術(shù)。此技術(shù)可用來制備高純度的金屬及合金。
圖3 真空感應(yīng)爐結(jié)構(gòu)示意圖
依據(jù)真空感應(yīng)爐設(shè)備坩堝尺寸將高純鎳板原料剪切成合適的規(guī)格,將所剪切物料按上松下緊、上小下大原則放置在坩堝內(nèi),通過真空感應(yīng)爐熔煉工藝并結(jié)合成型工藝制備高純鎳錠,該技術(shù)熔煉效率高、鑄錠內(nèi)無物理缺陷、成材率高、生產(chǎn)成本相對較低,但熔液易受所采用坩堝材質(zhì)的污染,化學(xué)純度受一定影響,需要根據(jù)客戶對單雜質(zhì)的需求不同選擇合適的熔煉坩堝材質(zhì)。
真空感應(yīng)冷坩堝爐[6]是在真空或保護(hù)氣氛下,利用一個分瓣的水冷紫銅坩堝熔煉和鑄造金屬的生產(chǎn)過程,當(dāng)感應(yīng)線圈通電,冷坩堝內(nèi)部能夠形成強(qiáng)磁場使熔煉金屬液處于半懸浮或全懸浮狀態(tài)。廣泛用于鈦、鋯、鎳、銅等材料的熔煉提純以及鈦合金熔煉與離心鑄造;也可以用于稀土材料、難熔金屬、半導(dǎo)體材料、放射性材料的熔煉提純。
該技術(shù)利用水冷銅坩堝取代傳統(tǒng)感應(yīng)熔煉爐原有陶瓷型坩堝,由十多根乃至數(shù)十根通水冷卻的銅管組合而成,管間縫隙充填耐火材料絕緣,由于對坩堝壁的強(qiáng)制冷卻,其表面溫度足以防止熔融金屬與坩堝接觸時可能發(fā)生的任何反應(yīng),使用冷坩堝熔煉時,被熔材料與坩堝壁保持非接觸狀態(tài),與坩堝底相接觸,可有效排除坩堝材料對熔煉金屬的污染,保證了產(chǎn)品的化學(xué)純度,同時結(jié)合成型工藝,可以生產(chǎn)制備出化學(xué)純度和物理質(zhì)量均合格的高純鎳錠材料,但是該技術(shù)存在電效率利用率低,有效功率只占到總功率的三分之一左右,生產(chǎn)成本高,目前國內(nèi)生產(chǎn)的成熟設(shè)備單爐熔煉能力不及70kg~80kg,生產(chǎn)效率低,且設(shè)備價格昂貴,暫時無法應(yīng)用于企業(yè)的規(guī)?;a(chǎn)。
(1)高純鎳錠是半導(dǎo)體存儲器芯片用鐵磁性濺射靶材的關(guān)鍵支撐材料之一,同時也是制備航空航天用高性能合金必不可少的關(guān)鍵原材料。隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能等新一代技術(shù)的快速發(fā)展,所涉及的數(shù)據(jù)集和算力越來越大,要求存儲器芯片的功能越來越強(qiáng)大,從而激發(fā)了高純鎳錠等鐵磁性材料的市場潛力。
(2)目前真空電子束冷床爐熔煉是制備高純鎳錠的最佳方法,可以熔煉不同規(guī)格的物料,熔煉過程不會引入雜質(zhì)污染,且將熔化、精煉和凝固過程完全分開,可以規(guī)?;苽浠瘜W(xué)和物理質(zhì)量均優(yōu)良的鑄錠產(chǎn)品。
(3)真空感應(yīng)冷坩堝熔煉是基于鈦及鈦合金熔煉發(fā)展起來的一種技術(shù),受現(xiàn)有科學(xué)技術(shù)限制,導(dǎo)致其熔煉能耗大、熔煉能力有限、價格昂貴,暫時無法滿足工業(yè)化生產(chǎn)需求,隨著后續(xù)技術(shù)的發(fā)展,其必將成為未來航空航天、深海潛水器、核工業(yè)等領(lǐng)域所需高端新材料制備的特種冶煉技術(shù)。