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        低壓大電流BLDC電機(jī)的三相裂變橋電路設(shè)計(jì)

        2020-10-10 06:38:28
        通信電源技術(shù) 2020年12期
        關(guān)鍵詞:上橋三極管流向

        錢 亮

        (廣安職業(yè)技術(shù)學(xué)院,四川 廣安 638000)

        0 引 言

        三相裂變橋電路由6個(gè)MOS管組成,其中上橋臂和下橋臂均有3個(gè)MOS管[1]。隨著BLDC電機(jī)應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大,在大電流應(yīng)用場(chǎng)合下,MOS管的發(fā)熱問題突出[2]。基于普通的三相裂變橋電路[3],針對(duì)MOS管發(fā)熱問題改進(jìn)三相裂變橋電路,提出分時(shí)載波、下橋臂MOS管并聯(lián)以及上下橋臂并聯(lián)二極管3大改進(jìn)措施,并設(shè)計(jì)上下橋臂MOS管的前極驅(qū)動(dòng)電路。

        1 降低MOS管損耗的措施

        1.1 分時(shí)載波方法

        導(dǎo)通時(shí)序、上橋臂PWM載波ON狀態(tài)的電流流向、上橋臂PWM載波OFF狀態(tài)的電流流向以及下橋臂PWM載波OFF狀態(tài)的電流流向,分別如圖1~圖4所示。

        圖2 上橋臂PWM載波ON狀態(tài)的電流流向

        當(dāng)Q1處于t1~t2時(shí)刻時(shí),它的電流流向如圖2所示。其中,Q1損耗包含開通損耗、關(guān)斷損耗以及導(dǎo)通損耗,Q2損耗包含導(dǎo)通損耗,故Q1比Q2發(fā)熱更多。當(dāng)Q1處于t2~t3時(shí)刻時(shí),BLDC電機(jī)的電感電流不能發(fā)生突變,電流流向如圖3所示。Q4損耗包含續(xù)流損耗,Q2損耗包含導(dǎo)通損耗,但由于負(fù)載電流比較大,所以Q4發(fā)熱較大。

        圖3 上橋臂PWM載波OFF狀態(tài)的電流流向

        圖4 下橋臂PWM載波OFF狀態(tài)的電流流向

        當(dāng)下橋臂采用PWM載波調(diào)制,上橋臂恒通,且Q2處于PWM的ON狀態(tài)時(shí),電流流向如圖2所示。當(dāng)Q2處于PWM的OFF狀態(tài)時(shí),電流流向如圖4所示。為減少Q(mào)4的發(fā)熱量,在控制BLDC電機(jī)時(shí)采用分時(shí)載波的方法,使Q5和Q4共同承擔(dān)損耗。這種方法不改變硬件只改變軟件,成本很低。

        1.2 下橋臂MOS管并聯(lián)方法和上下橋臂并聯(lián)二極管方法

        為減少下橋臂3個(gè)MOS管的導(dǎo)通損耗,采取并聯(lián)MOS管的方法,引入MOS管Q7、Q8以及Q9,分擔(dān)下橋臂一半的導(dǎo)通損耗。在采用分時(shí)載波和下橋臂MOS管并聯(lián)的基礎(chǔ)上,Q4、Q7、Q5的續(xù)流損耗最大。為降低3個(gè)MOS管的續(xù)流損耗,可以將損耗轉(zhuǎn)移至MOS管外部。采用上下橋臂并聯(lián)二極管方法,電路圖和工作過程中的電流流向分別如圖5和圖6所示。

        當(dāng)Q1處于t1~t2時(shí)刻時(shí),電流流向如圖6(a)所示;當(dāng)Q1處于t2~t3時(shí)刻時(shí),電流流向如圖6(b)所示。由于二極管D4的單相導(dǎo)通性,電流流向D7,不向Q4和Q7的二極管上流,從而Q4和Q7無(wú)續(xù)流損耗。

        圖5 電路圖

        圖6 電流流向

        2 三相裂變橋前極MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

        2.1 下橋臂MOS管前極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

        下橋臂MOS管前極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)和電流流向如圖7所示,其中細(xì)虛線表示小電流,粗虛線表示大電流。

        下橋臂MOS管導(dǎo)通的工作原理:當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)為高電平時(shí),三極管Q7導(dǎo)通,+15 V電源經(jīng)過電阻R4對(duì)Cgs電容充電,Q4導(dǎo)通。下橋臂MOS管截止的工作原理:當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)為低電平時(shí),三極管Q7截止,Cgs電容經(jīng)過三極管Q8進(jìn)行放電,Q4截止。

        2.2 上橋臂MOS管前極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

        上橋臂MOS管前極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)和電流流向如圖8所示。

        圖7 下橋臂MOS管前極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)和電流流向圖

        圖8 上橋臂MOS管前極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)和電流流向圖

        上橋臂MOS管導(dǎo)通的工作原理:當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)為高電平時(shí),三極管Q9導(dǎo)通,自舉電容C1經(jīng)過Q9形成Q10的基極電流,自舉電容C1經(jīng)過Q10對(duì)電容Cgs充電,Q1導(dǎo)通。下橋臂MOS管截止的工作原理:當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)為低電平時(shí),三極管Q9截止,Cgs電容經(jīng)過三極管Q11進(jìn)行放電,Q1截止。

        3 結(jié) 論

        在低壓大電流系統(tǒng)中,MOS管的續(xù)流損耗占比最大,可采用分時(shí)載波、下橋臂MOS管并聯(lián)以及上下橋臂并聯(lián)二極管3個(gè)措施降低MOS管損耗。在上橋臂MOS管前極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中,在三極管的發(fā)射極串一個(gè)電阻就可以形成恒流源,且自舉電容控制小電流回路經(jīng)過下MOS管的體二極管。

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