張 慶,張洪泉,白 濤
(哈爾濱工程大學 自動化學院,黑龍江 哈爾濱 150001)
高溫條件下的熱穩(wěn)定性和低溫活性是甲烷傳感器中催化劑的2 個關(guān)鍵問題[1-4]。負載型Pd 基催化劑具有優(yōu)良的催化性能,是傳統(tǒng)的甲烷低溫活化催化劑。載體對催化劑具有十分重要的作用,對活性組分起著支撐和耐熱的作用,其表面的結(jié)構(gòu)和化學性質(zhì)影響催化劑顆粒的分散及穩(wěn)定,進而影響催化劑的活性[5]。
γ-Al2O3也被稱作活性 Al2O3,由于具有大的比表面積、高機械強度、良好的熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性等,是常用的催化劑載體。納米 γ-Al2O3的孔道結(jié)構(gòu)和表面性質(zhì)不同于傳統(tǒng)γ-Al2O3,在調(diào)控活性組分的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)方面具有重要作用,以其為載體的負載型催化劑在很多反應中表現(xiàn)出優(yōu)異的催化性能[6-7]。
研究發(fā)現(xiàn),添加金屬或稀有金屬助劑對Pd 基催化劑可以改善催化劑載體的性能,如產(chǎn)生金屬間相互作用改變PdO 的性質(zhì)、增加催化劑儲氧能力從而提高催化劑性能、提高PdO 的抗燒結(jié)能力而增強催化劑熱穩(wěn)定性等[7]。Zhou[8]研究認為 ZrO2能夠促進 PdO 在γ-Al2O3上的高度分散從而提高催化劑的活性。程新孫[9]和羅來濤[10]等采用溶膠凝膠法制備了 ZrO2-Al2O3復合載體并將其應用于噻吩加氫脫硫反應的 Pd 基催化劑中,提高了催化劑活性。Dan[11]和Dominguez[12]等制備了 ZrO2-Al2O3復合載體并研究了 ZrO2含量對催化劑載體的影響。潘云[13]對 ZrO2-Al2O3復合載體的制備工藝進行了研究。
氧化釷(ThO2)是錒系稀土產(chǎn)品中一種重要的化合物,微納米介孔氧化釷材料具有大的比表面積、穩(wěn)定的機械性以及優(yōu)良的光學性能,有潛力作為催化劑或催化助劑用于工業(yè)生產(chǎn)中[14]。Gong[15]對 ThO2和CH4反應機理的研究發(fā)現(xiàn),ThO2在催化甲醇選擇性氧化反應中,有極高的選擇性催化性能。
甲烷傳感器是傳感器課程中典型的教學案例。如何提高甲烷傳感器中催化劑的性能是該領(lǐng)域的科研熱點。本文在設(shè)計納米管陣列 Al2O3載體材料取代傳統(tǒng)的顆粒狀活性載體制作催化傳感器理念基礎(chǔ)上,對納米管陣列載體進行改性修飾,提出復合γ-Al2O3-ZrO2-ThO2為納米管陣列載體的設(shè)想,并通過實驗驗證其在CH4傳感器上的催化應用效果。本文的實驗過程包含了載體模板制備、催化劑載體合成、材料 SEM 研究、催化機理分析和傳感器性能評價等必要科研實踐環(huán)節(jié),讓學生更直觀綜合學習傳感器的相關(guān)專業(yè)知識并與科研熱點接軌,改進教學效果。
原位生長制備 Al2O3納米孔模板是以純鋁材料為陽極,金箔為陰極,組成兩電極體系。實驗裝置如圖1 所示,陽極為高純鋁片,陰極為金箔電極,電解液為硫酸和草酸的混合電解液,電源為交流穩(wěn)壓電源。陽極和陰極之間距離可調(diào)整,在容器中置入溫度計用來測量電解液溫度,將容器置入制冷水槽中,可調(diào)整電解液溫度。利用電磁泵使電解液強制循環(huán)。
圖1 原位生長Al2O3 納米孔模板實驗裝置
將純度為 99.95%的鋁箔裁成規(guī)格為 50 mm×50 mm 的基片,450 ℃下退火4 h;然后放入磷酸與乙二醇的混合液中化學拋光,取出后用蒸餾水清洗干凈;將鋁箔放入實驗裝置中,在3.5%草酸中進行一步陽極氧化,電極電壓為30 V,電解液溫度為10~12 ℃,鋁箔陽極氧化2 h;在恒溫下,用體積比為1∶1 的磷酸和鉻酸的混合溶液浸泡基片,去除一次氧化膜,只剩下金屬鋁;二次陽極氧化分別在 3.5%草酸和 0.2%硫酸中進行,電極電壓分別為30 V 和27 V,電解時間分別為2 h 和4 h。除去剩余的鋁基底,獲得有序Al2O3納米孔模板。
原位生長制備 Al2O3納米孔模板可以由下面的方程式來描述:
鋁的化學腐蝕過程:Al-3e→Al3+;
氧化鋁原位生長過程:2Al3++3O2-→Al2O3;
形成的氧化鋁化學溶解過程:Al2O3+6H+→2Al3++3H2O。
活性 γ-Al2O3納米材料是常用的甲烷傳感器催化載體。在長期高溫使用中,該載體材料表現(xiàn)出顆粒團聚、表面活性降低、束縛貴金屬催化劑能力減弱等問題。為克服上述技術(shù)問題,本文設(shè)計了γ-Al2O3-ZrO2-ThO2納米管陣列載體。
γ-Al2O3-ZrO2-ThO2納米管陣列載體制備方法:采用質(zhì)量分數(shù)為9%的Al(NO3)3溶液,添加質(zhì)量分數(shù)為3%的Zr(NO3)4和質(zhì)量分數(shù)為1%的Th(NO3)2溶液,浸漬原位生長 Al2O3納米孔模板,經(jīng)稀氨水滴定,烘干和熱分解,反復3 次,制得γ-Al2O3-ZrO2-ThO2氧化物納米載體。
γ-Al2O3-ZrO2-ThO2納米載體制備實驗可由下面的方程式來描述:
Al(NO3)3+ 3NH3·H2O→Al(OH)3+3 NH4NO3
2Al(OH)3→ 2Al2O3+ 3H2O
Zr(NO3)4+ 4NH3·H2O→Zr (OH)4+4 NH4NO3
Zr (OH)4→Zr O2+ 2H2O
Th(NO3)2+ 2NH3·H2O→Th (OH)2+2 NH4NO3
Th (OH)2→Th O2+ H2O
通過微加工技術(shù),將γ-Al2O3-ZrO2-ThO2納米載體制作成芯片微結(jié)構(gòu)。通過光刻掩膜進行圖形轉(zhuǎn)移,利用濕法腐蝕溶解技術(shù)除去非結(jié)構(gòu)體部分,再采用溶解金屬鋁剝離方法,取下可用于傳感器的單個芯片微結(jié)構(gòu)體。經(jīng)高溫熱處理,將芯片微結(jié)構(gòu)體的γ-Al2O3-ZrO2-ThO2晶型轉(zhuǎn)化和氧化物分解成型。采用熱分解法制備納米級Pd 催化劑,反應溶液為基于鹽酸加熱溶解的PdCl2溶液,反復2 次浸漬γ-Al2O3-ZrO2-ThO2納米載體,每次熱處理溫度600 ℃。γ-Al2O3-ZrO2-ThO2納米載體制作成的芯片微結(jié)構(gòu)的電鏡分析照片如圖2 所示。
圖2 敏感芯片及納米載體斷面管狀電鏡照片
甲烷在氧氣中的燃點溫度為453 ℃,在催化劑作用下可以有效降低反應溫度,特別是在 Pd 基催化劑作用下,在440 ℃就能實現(xiàn)氧化還原化學反應。對于γ-Al2O3-ZrO2-ThO2載體,溫度高于300 ℃條件下,載體中ZrO2可形成氧離子導體的固體電解質(zhì),Th4+離子摻雜可固定在ZrO2晶格中,形成晶格缺陷和氧空穴,在晶格中產(chǎn)生可遷移的氧離子。在一定溫度下,ZrO2表面吸附氧和晶格中的氧也會參與到催化燃燒氧化反應中,并影響催化劑 Pd 對反應物的吸附性質(zhì),同時控制催化劑Pd 中的Pd 與PdO 轉(zhuǎn)化及還原性能。此外,由于 ThO2摻雜的載體具有弱放射性,這將對催化劑Pd 有一定的激活能力,具有較未摻雜 ThO2的催化劑更好的活性和穩(wěn)定性。由于在 γ-Al2O3載體中加入的Zr/Th 元素能夠提高載體的高溫穩(wěn)定性,所以甲烷傳感器表現(xiàn)出具有較好的穩(wěn)定性。
將以γ-Al2O3-ZrO2-ThO2載體的Pd 催化劑應用于甲烷傳感器,利用氣體傳感器性能測試裝置對甲烷傳感器的敏感性能進行測試,選擇體積分數(shù)為0、1.26%、2.46%、3.81%、4.71%的5 個CH4濃度點。測試條件:正常大氣壓,環(huán)境溫度23 ℃,相對濕度42%RH。測試結(jié)果見圖3。
圖3 不同體積分數(shù)的甲烷傳感器輸出電壓
從圖3 可知,傳感器具有較好的甲烷敏感特性,在甲烷體積分數(shù)為0%~5%濃度范圍內(nèi),傳感器響應輸出電壓和甲烷體積分數(shù)呈良好的線性關(guān)系,甲烷體積分數(shù)為1%甲烷時輸出靈敏度為12 mV。
選擇 2.46%甲烷濃度氣體作為傳感器響應時間測試高濃度環(huán)境,大氣潔凈空氣作為低濃度參考環(huán)境,利用這兩點濃度差來測試傳感器的響應時間。測試條件:正常大氣壓,環(huán)境溫度23 ℃,相對濕度42%RH。測試結(jié)果見圖4。
從圖4 可以看出,甲烷傳感器90%響應時間為6 s,90%恢復時間為8 s。
原位生長法制備了納米孔 Al2O3陶瓷模板,經(jīng)化學沉積形成γ-Al2O3-ZrO2-ThO2納米管載體,帶載體的陶瓷模板經(jīng)微加工濕法刻蝕技術(shù)制造出芯片微結(jié)構(gòu),經(jīng)過浸漬以及燒結(jié)工藝,在微結(jié)構(gòu)上負載Pd 催化劑。采用該催化劑的甲烷傳感器能夠在體積分數(shù)為 0%~4.7%甲烷氣體范圍內(nèi)穩(wěn)定工作并且具有90%響應時間為6 s 的快速響應性能。本文實驗內(nèi)容不但能夠改進教學效果,而且對科研實踐具有指導作用。