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        10kV 大電流C- GIS 溫升研究分析

        2020-09-29 06:54:48任國萍
        科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新 2020年29期
        關(guān)鍵詞:對流導(dǎo)體元件

        任國萍

        (天水長城開關(guān)廠集團有限公司,甘肅 天水741018)

        1 概述

        大電流C-GIS 的發(fā)熱問題是目前設(shè)計研發(fā)階段的一個難點。其主回路各元件發(fā)熱點作為熱源其熱能是以球面朝各個方向散逸的,因此將發(fā)熱零件的功率消耗跟其有效的散熱表面面積兩個因素加做簡化處理,再進行熱分析,參考計算分析的結(jié)論,對產(chǎn)品樣機進行結(jié)構(gòu)改進,并逐一做溫升測試,以測試數(shù)據(jù)來驗證理論環(huán)節(jié)的可靠程度,是設(shè)計階段不可或缺的過程。本文就大電流C-GIS 存在的發(fā)熱問題從技術(shù)層面加以分析論述并提出了可能的解決方案。

        2 C-GIS 主回路系統(tǒng)

        GIS 主回路系統(tǒng)是各高壓電器元件的集合,由斷路器、隔離開關(guān)、接地開關(guān)等元件組合,同時也是發(fā)熱體與散熱體的組合,典型方案如圖1 所示。

        圖1 主回路

        2.1 主回路系統(tǒng)發(fā)熱體主要由導(dǎo)電回路組成,包括母線聯(lián)接器、母線、隔離開關(guān)、斷路器、出線套管及各功能單元的聯(lián)結(jié)導(dǎo)體等,如圖2 所示。

        圖2 主回路系統(tǒng)發(fā)熱體

        2.2 主回路系統(tǒng)散熱體主要由導(dǎo)電回路組成,包括低壓力絕緣氣體、氣室、主回路系統(tǒng)發(fā)熱體構(gòu)成的等效散熱模塊。

        3 主回路散熱問題

        主回路熱分析問題主要研究的是開關(guān)柜主回路系統(tǒng)內(nèi)部發(fā)熱模塊散熱體模塊之間的關(guān)系,以及它們兩者之間最可能的熱傳遞方式。熱分析的主要目的是為了將發(fā)熱體產(chǎn)生的熱量經(jīng)由系統(tǒng)的散熱體模塊快速地傳導(dǎo)至外的部環(huán)境中。由系統(tǒng)的發(fā)熱體及散熱體或它們的表面組成的等效熱阻,因出現(xiàn)了熱傳導(dǎo)以外的傳遞方式,可能會出現(xiàn)串或并聯(lián)的方式,這是由于熱傳遞方式出現(xiàn)了熱傳導(dǎo)以外的傳遞方式的原因,如低壓力絕緣氣體中的對流。

        3.1 主回路電熱現(xiàn)象:

        主回路常用的金屬導(dǎo)體有銅、鋁、錫、銀、鋼等,如圖3 所示。由公式R=ρ×L/S2H 和Q=I2×R×t 可以得出,當(dāng)接觸電阻由于元件表面接觸狀況不良、表面氧化嚴(yán)重、接觸壓力不足、元件表面有效接觸面積變小而增大;由于流電增大時,導(dǎo)體發(fā)熱相應(yīng)增大,電阻由于電流的熱效應(yīng)而跟著增大;電阻增大導(dǎo)致溫度增加,如此反復(fù)循環(huán),接頭由于溫度升至熔點而熔化;當(dāng)主回路出現(xiàn)短路故障時,接頭因溫度升高發(fā)生熔化,可能會引發(fā)火災(zāi)事故和絕緣破壞事故。

        圖3 常用的主回路金屬導(dǎo)體

        3.2 氣體中的載流與散熱

        中壓金屬封閉開關(guān)設(shè)備中散熱的主要途徑是對流、傳導(dǎo)、輻射。

        4 主回路系統(tǒng)仿真分析及優(yōu)化

        應(yīng)用分析軟件的電熱耦合和電磁場分析功能,對主回路系統(tǒng)進行電熱和電磁計算,就不同參數(shù)的結(jié)構(gòu)對其溫度的影響進行計算分析及仿真優(yōu)化,對C-GIS 主回路系統(tǒng)內(nèi)部發(fā)熱問題的分析提供理論依據(jù)。

        4.1 建模

        以隔離開關(guān)為例:隔離開關(guān)由動、靜觸頭和相應(yīng)的導(dǎo)電體組成。載荷為加在隔離開關(guān)進出線兩端的電壓和電流。電熱分析時,由于散熱方式、觸頭導(dǎo)體形狀復(fù)雜性,對邊界條件的劃分溫度耦合方式應(yīng)充分考慮。根據(jù)實際情況,對各模塊結(jié)構(gòu)進行合理簡化,并根據(jù)實際情況提出相應(yīng)假設(shè)的基礎(chǔ)上進行分析,建立用于主回路熱點耦合瞬態(tài)溫度場計算三維有限元模型,如圖4 所示。其中必須考慮材料物理性能參數(shù)及主回路表面對流熱交換參數(shù)隨溫度的變化。

        圖4 簡化的模型

        封閉母線的有限元模型從內(nèi)到外共分為四層:主導(dǎo)體層、主導(dǎo)體和外殼間的sf6 層,外殼導(dǎo)體層、外殼外空氣層。

        4.2 仿真分析

        仿真分析必須考慮材料物理性能參數(shù)及主回路表面對流熱交換參數(shù)隨溫度的變化。當(dāng)主回路模擬封閉區(qū)域內(nèi)自然對流時,計算結(jié)果將依賴于計算區(qū)域內(nèi)的流體質(zhì)量。加載求解的溫度分布圖如下圖所示:

        圖5 溫度分布圖

        4.3 發(fā)熱優(yōu)化

        通過多次分析論證,主要通過降低發(fā)熱量、降低電流密度、增強輻射和傳導(dǎo)來進行C-GIS 主回路系統(tǒng)優(yōu)化。

        5 結(jié)論

        大電流C-GIS 的發(fā)熱問題一直是行業(yè)內(nèi)研發(fā)過程中的難點。由分析計算可以發(fā)現(xiàn),經(jīng)過降低發(fā)熱量、增強輻射和傳導(dǎo)等方式來對C-GIS 主回路系統(tǒng)的優(yōu)化改進,開關(guān)柜主回路的散熱問題得到明顯效果,故而羅列出以下優(yōu)化改進措施,控制多方因素以完善試驗樣機,提升產(chǎn)品性能:挑選合金導(dǎo)體材料,控制導(dǎo)體電阻率;通過改進搭接方式等降低主回路電阻;優(yōu)化模塊間結(jié)構(gòu)以降低渦流損耗;提高輻射率;改良散熱模塊,增大散熱表面積以及使用散熱器;提高主要元件的耐熱性能;利用冷卻技術(shù),改進散熱通道或強制冷卻。

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