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        基于等離子波導(dǎo)的表面增強(qiáng)拉曼芯片仿真分析

        2020-09-18 07:08:16賴春紅周小兵朱峻峰張金玉劉紫琪
        光散射學(xué)報(bào) 2020年2期

        賴春紅,周小兵,朱峻峰,張金玉,劉紫琪

        (重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院,重慶 400065)

        1 引言

        光學(xué)檢測(cè)技術(shù)與微流體控制技術(shù)結(jié)合已經(jīng)成為生化檢測(cè)芯片一個(gè)重要發(fā)展趨勢(shì)[1-3]。作為一種重要的光學(xué)檢測(cè)手段,表面增強(qiáng)拉曼散射光譜技術(shù)具有檢測(cè)速度快、樣品用量少、無(wú)需樣品預(yù)處理、探測(cè)靈敏度高、干擾小、可同時(shí)檢測(cè)多種物質(zhì)等特點(diǎn)[4-6]。目前基于表面增強(qiáng)拉曼光譜技術(shù)的微流體傳感芯片[7-9],多采用單點(diǎn)探測(cè)的方式收集拉曼信號(hào),在實(shí)現(xiàn)芯片可重復(fù)檢測(cè)的同時(shí),犧牲了其潛在的檢測(cè)靈敏度[10-12]。采用長(zhǎng)程探測(cè)的方式收集增強(qiáng)拉曼信號(hào),不僅可以增加光和樣品分子的作用距離,累積增加檢測(cè)樣本的拉曼信號(hào)強(qiáng)度,還可以利用微通道內(nèi)流動(dòng)液體的平均作用改善信號(hào)重復(fù)性,以解決信號(hào)重復(fù)性和靈敏度相矛盾的問(wèn)題[13-15]。因此,本文對(duì)基于長(zhǎng)程表面等離子波導(dǎo)的增強(qiáng)拉曼光流體芯片進(jìn)行設(shè)計(jì)和仿真分析,研究芯片的傳輸距離和表面增強(qiáng)拉曼信號(hào)增強(qiáng)的強(qiáng)度,為實(shí)現(xiàn)集成化、高增強(qiáng)、可重復(fù)的表面增強(qiáng)拉曼芯片提供理論依據(jù)。

        2 芯片結(jié)構(gòu)及原理

        基于長(zhǎng)程等離子波導(dǎo)的表面增強(qiáng)拉曼光流體芯片結(jié)構(gòu)如圖1所示,主要包括介質(zhì)波導(dǎo)與表面等離子波導(dǎo)和微流體結(jié)構(gòu)幾部分。其中,介質(zhì)光波導(dǎo)包括波導(dǎo)包層和波導(dǎo)芯層;表面等離子波導(dǎo)采用納米金膜(Au)作為芯層,其上包層由微流道中的樣品溶液充當(dāng),其下包層與介質(zhì)光波導(dǎo)的上包層共用;微流體部分則由進(jìn)液口、出液口和微流體通道構(gòu)成。芯片利用 Au 膜的表面等離子共振特性構(gòu)成 SERS 活性基底,金膜上下表面材料選取折射率接近的材料,形成長(zhǎng)程等離子波導(dǎo)結(jié)構(gòu),以減小傳輸損耗。介質(zhì)波導(dǎo)用于激發(fā)等離子共振,并與等離子波導(dǎo)耦合,進(jìn)一步減少損耗,增加傳輸距離,獲取更大的拉曼信號(hào)。

        圖1 基于等離子波導(dǎo)的表面增強(qiáng)拉曼芯片結(jié)構(gòu)

        芯片工作原理如下:激發(fā)光入射到介質(zhì)光波導(dǎo)中,以實(shí)現(xiàn)對(duì)等離子波導(dǎo)的激發(fā);介質(zhì)光波導(dǎo)中傳輸?shù)募ぐl(fā)光耦合到等離子波導(dǎo)中,在金屬薄膜與上下兩層介質(zhì)直接激發(fā)出表面等離子體,放大金薄膜表面的局域電場(chǎng),增強(qiáng)樣品分子的拉曼信號(hào);產(chǎn)生的拉曼信號(hào)再次與介質(zhì)波導(dǎo)耦合后從波導(dǎo)另一端輸出。

        3 仿真分析與討論

        采用Comsol Multiphysics多物理場(chǎng)軟件的RF模塊仿真分析長(zhǎng)程傳輸?shù)木嚯x,獲取最優(yōu)的波導(dǎo)幾何尺寸、離子波導(dǎo)和介質(zhì)波導(dǎo)最優(yōu)間距等參數(shù)。芯片等離子波導(dǎo)和介質(zhì)波導(dǎo)的側(cè)視圖如圖2所示,最上層是檢測(cè)溶液(因檢測(cè)溶液為低濃度,折射率與水近似,用水溶液代替,折射率1.33),作為等離子波導(dǎo)上包層,金條為等離子波導(dǎo)芯層,中間Cytop(折射率1.34)層為等離子波導(dǎo)下包層,同時(shí)也作為介質(zhì)波導(dǎo)上包層,氟化鎂(PTFE)為介質(zhì)波導(dǎo)核。仿真分析步驟為[16]:1、優(yōu)化等離子波導(dǎo)有效折射率;2、優(yōu)化介質(zhì)波導(dǎo),使介質(zhì)波導(dǎo)與等離子波導(dǎo)折射率匹配;3、優(yōu)化等離子波導(dǎo)和介質(zhì)波導(dǎo)間距,獲取最佳耦合效果。

        圖2 等離子波導(dǎo)與介質(zhì)波導(dǎo)耦合示意圖

        為了減小傳輸損耗,提高等離子波導(dǎo)和介質(zhì)波導(dǎo)耦合效率,需要注意以下兩點(diǎn):

        1)介質(zhì)光波導(dǎo)盡可能保證基模傳輸且模場(chǎng)分布光斑盡可能圓,在這種情況下的耦合效率較高;

        2)激發(fā)光波導(dǎo)與等離子體波導(dǎo)的等效折射率盡可能相等以進(jìn)一步提高耦合效率。

        3.1 等離子波導(dǎo)模擬仿真

        入射光波長(zhǎng)采用632.8 nm,由Drude模型可知,該波長(zhǎng)下金的有效折射率為0.19715+3.0899i。等離子波導(dǎo)示意圖如圖3中插圖所示。首先計(jì)算納米金膜(Au)作為等離子波導(dǎo)芯層滿足長(zhǎng)程傳輸?shù)慕刂购穸?。由色散關(guān)系[17]計(jì)算得出等離子波導(dǎo)傳輸距離與金膜厚度關(guān)系如圖3所示。經(jīng)分析發(fā)現(xiàn),金膜的截止厚度為8.03 nm。然后對(duì)金膜的厚度和寬度進(jìn)行參數(shù)掃描分析。設(shè)置金膜厚度范圍為[10 nm,30 nm],步長(zhǎng)為1 nm,金膜寬度范圍為[1m,5m],步長(zhǎng)為0.5m,參數(shù)掃描結(jié)果顯示厚度變化在[11 nm,17 nm]之間,寬度變化在[2m,8m]之間,可出現(xiàn)激發(fā)等離子波的TM基模。

        圖3 等離子體波導(dǎo)傳輸距離與金膜厚度關(guān)系

        圖4 等離子波導(dǎo)模場(chǎng)分布

        3.2 激發(fā)介質(zhì)光波導(dǎo)模擬仿真

        介質(zhì)光波導(dǎo)芯層材料為折射率為1.377的PTFE,包層材料折射率為1.34的Cytop。對(duì)介質(zhì)波導(dǎo)寬度和厚度進(jìn)行掃描分析,尋找有效折射率與等離子波導(dǎo)有效折射率相匹配,同時(shí)滿足基膜傳輸?shù)淖罴褜挾群秃穸取:穸葤呙璺秶鸀閇0.1m,0.5m],步長(zhǎng)為0.05m,寬度掃描范圍為[0.5m,5m],步長(zhǎng)為0.1m。通過(guò)仿真分析發(fā)現(xiàn):當(dāng)介質(zhì)波導(dǎo)寬度為4m,厚度為0.2m時(shí),獲得有效折射率為1.341147,與等離子波導(dǎo)有效折射率實(shí)部1.341148匹配較好,模場(chǎng)分布如圖5所示。

        圖5 介質(zhì)光波導(dǎo)模場(chǎng)分布

        3.3 等離子體波導(dǎo)與介質(zhì)波導(dǎo)模耦合模擬仿真

        在等離子波導(dǎo)和介質(zhì)波導(dǎo)有效折射率匹配的基礎(chǔ)上,對(duì)等離子波導(dǎo)和介質(zhì)波導(dǎo)之間的間距D進(jìn)行優(yōu)化,以獲取耦合的最佳效果。

        使用前面已經(jīng)獲取的等離子波導(dǎo)和介質(zhì)波導(dǎo)幾何參數(shù)建立模型,令D的范圍為[1m,5m],步長(zhǎng)為0.5m,參數(shù)掃描結(jié)果顯示:當(dāng)介質(zhì)光波導(dǎo)寬度為4m、厚度為0.2m,等離子體波導(dǎo)寬度為4.5m、厚度為13 nm,兩波導(dǎo)間距D為3.1m時(shí),耦合效果最好,可以得到耦合奇模式模場(chǎng)分布如圖6(a)所示,耦合偶模式模場(chǎng)分布圖6(b)耦合奇模式有效折射率分別為1.34-9.21E-5i,場(chǎng)強(qiáng)大小為1.387×108;耦合式有效折射率為1.341728-1.697994E-4i,場(chǎng)強(qiáng)大小為1.8024×108。由于奇模式場(chǎng)強(qiáng)在等離子波導(dǎo)和介質(zhì)波導(dǎo)中反對(duì)稱分別,偶模式場(chǎng)強(qiáng)呈對(duì)稱分布,偶模式即長(zhǎng)程等離子波,損耗更下,傳輸距離更遠(yuǎn)[17],采用偶模式進(jìn)行下一步研究。

        3.4 仿真結(jié)果討論

        1)傳輸距離

        等離子波導(dǎo)的損耗系數(shù)α和傳輸距離L可以分別通過(guò)公式(1)和(2)計(jì)算得出[18]。

        (1)

        L=1/2α

        (2)

        圖6 耦合模場(chǎng)分布(a)奇模式 (b)偶模式

        單獨(dú)的等離子波導(dǎo)有效折射率為1.341148-3.358E-4i,由公式(1)和(2)計(jì)算得到損耗系數(shù)傳輸距離L約為0.15 mm。采用介質(zhì)波導(dǎo)激發(fā)等離子波導(dǎo)的耦合方式,偶模式的有效折射率為1.342-1.698E-4i,經(jīng)計(jì)算得到傳輸距離約0.3 mm,約為單獨(dú)等離子波導(dǎo)傳輸長(zhǎng)度的兩倍。分析其原因?yàn)椋旱入x子波導(dǎo)的金屬層吸收損耗激發(fā)光,而介質(zhì)波導(dǎo)材料無(wú)吸收損耗,可以近似看成理想的無(wú)損耗傳輸,采用介質(zhì)波導(dǎo)激發(fā)等離子波導(dǎo)的耦合方式,等離子波導(dǎo)中的能量和介質(zhì)波導(dǎo)中能量交替進(jìn)行傳輸,相當(dāng)于將等離子波導(dǎo)的吸收損耗平均到等離子波導(dǎo)和介質(zhì)波導(dǎo)中,因此損耗減少一半,傳輸距離增加一倍。

        2)場(chǎng)強(qiáng)大小

        單獨(dú)的等離子波導(dǎo)結(jié)構(gòu)最大場(chǎng)強(qiáng)大小為1.6794×108,采用介質(zhì)波導(dǎo)激發(fā)等離子波導(dǎo)的耦合方式最大場(chǎng)強(qiáng)大小為1.8024×108,場(chǎng)強(qiáng)大小有細(xì)微差別。分析其原因?yàn)?,?chǎng)強(qiáng)增強(qiáng)來(lái)源主要是等離子波導(dǎo)的局域場(chǎng)增強(qiáng),介質(zhì)波導(dǎo)的耦合有利于將局域場(chǎng)進(jìn)行傳輸,但是并沒(méi)有對(duì)場(chǎng)強(qiáng)的增強(qiáng)作用。因此,單獨(dú)的等離子波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和介質(zhì)波導(dǎo)激發(fā)等離子波導(dǎo)的耦合結(jié)構(gòu)二者場(chǎng)強(qiáng)大小相近。

        4 結(jié)束語(yǔ)

        本文設(shè)計(jì)了一種基于長(zhǎng)程等離子波導(dǎo)的表面增強(qiáng)拉曼光流體芯片,利用介質(zhì)波導(dǎo)激發(fā)等離子波導(dǎo)的耦合結(jié)構(gòu)減小傳輸損耗,增加傳輸距離,以實(shí)現(xiàn)拉曼信號(hào)的長(zhǎng)程探測(cè)。采用comsol軟件對(duì)傳輸距離和場(chǎng)強(qiáng)大小進(jìn)行仿真分析。在激發(fā)光波長(zhǎng)為632.8 nm入射條件下,當(dāng)介質(zhì)光波導(dǎo)寬度為4m、厚度為0.2m,等離子體波導(dǎo)寬度為4.5m、厚度為13 nm,兩波導(dǎo)間距D為3.1m時(shí),耦合效果最好,場(chǎng)強(qiáng)大小約1.8024×108,傳輸距離約0.3 mm,是單獨(dú)使用等離子波導(dǎo)傳輸距離的兩倍。該結(jié)構(gòu)為拉曼信號(hào)長(zhǎng)程探測(cè)奠定了理論基礎(chǔ),為實(shí)現(xiàn)拉曼微流體芯片的高靈敏度和可重復(fù)性探測(cè)提供了依據(jù)。

        致謝

        感謝重慶市科委基礎(chǔ)科學(xué)與前沿技術(shù)研究項(xiàng)目(csts2017jcyjAX0427)、重慶郵電大學(xué)博士啟動(dòng)基金項(xiàng)目(A2016-71)對(duì)本課題研究的支持。

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