曾濤 周義凱 張坤 余四文

摘?要：針對選擇性激光燒結(jié)技術(shù)（SLS）成型陶瓷材料致密性低、力學(xué)性能差的問題，采用選擇性激光燒結(jié)技術(shù)（SLS）與聚合物浸漬裂解技術(shù)（PIP）相結(jié)合的方法，以碳化硅、環(huán)氧樹脂和聚碳硅烷為原料，制備SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料。研究選擇性激光燒結(jié)工藝參數(shù)、試件尺寸精度、微觀結(jié)構(gòu)及彎曲性能。結(jié)果表明：通過SLS/PIP技術(shù)可有效降低碳化硅陶瓷試件的孔隙率，試件密度為2.45?g/cm3，彎曲強(qiáng)度達(dá)到138.28?MPa。該方法可以實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)方法無法解決的表面及內(nèi)部復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的制備問題。

關(guān)鍵詞：增材制造;陶瓷基復(fù)合材料;選擇性激光燒結(jié);先驅(qū)體浸漬裂解

DOI：10.15938/j.jhust.2020.03.025

中圖分類號：?TB332

文獻(xiàn)標(biāo)志碼：?A

文章編號：?1007-2683（2020）03-0163-06

Abstract：In?order?to?improve?the?density?and?mechanical?property?of?ceramics?fabricated?by?selective?laser?sintering?（SLS）?process，?a?new?method?that?combined?SLS?with?precursor?impregnation?and?pyrolysis?（PIP）?process?was?presented?to?fabricated?silicon?carbide?particulate/silicon?carbide?matrix?（SiC/SiC）?ceramic?composites.?Starting?with?SiC?powders?of?17～70?μm?sizes，?the?preform?was?produced?by?printing?epoxy?binder.?To?gain?the?dense?composites，?the?SiC?preforms?were?infiltrated?with?polycarbosilane?liquid?and?pyrolyzed?at?1200℃?under?nitrogen?atmosphere?for?8?repeated?cycles.?The?porosity?of?the?specimen?greatly?decreased?and?the?density?reached?to?2.45?g/cm3?after?PIP?process.?Analysis?of?results?and?discussions?of?optimum?printing?parameters，?dimension?accuracy，?microstructure?and?bending?strength?for?SiC/SiC?composites?are?also?presented.?The?mechanical?property?of?the?SiC/SiC?composite?fabricated?by?SLS/PIP?process?has?been?improved?and?its?bending?strength?attained?138.28?MPa.?In?addition，?the?net-shape?silicon?carbide?components?with?complex?surface?and?inner?structure?were?fabricated.

Keywords：ceramic?composite;?additive?manufacturing;?selective?laser?sintering;?precursor?impregnation?and?pyrolysis

0?引?言

碳化硅陶瓷在高溫環(huán)境下具有高強(qiáng)度、高硬度、耐磨損、耐腐蝕等優(yōu)異性能，目前在航空航天、核能、汽車、石油化工、微電子等多個(gè)領(lǐng)域得以廣泛應(yīng)用?[1，2]，但其高強(qiáng)度、高硬度也給材料加工帶來較大困難，尤其是帶有復(fù)雜表面及內(nèi)部結(jié)構(gòu)的零部件，加工周期長，成本昂貴，已成為瓶頸問題[3，4]。

增材制造技術(shù)是一種新型成型方式，與傳統(tǒng)的減材制造方式不同，它可以直接將電腦繪制的模型通過逐層增加的方式成型三維立體結(jié)構(gòu)[5]。選擇性激光燒結(jié)技術(shù)（SLS）是3D打印增材制造技術(shù)的一種，最初由Texas大學(xué)Austin分校的Declcard于1986年提出，隨后被DTM公司商業(yè)化[6，7]。激光有選擇性地照射在工作缸中的粉末上，熔融的樹脂作為粘結(jié)劑將周圍粉末粘結(jié)在一起，隨后工作缸下降，兩端的供料缸上升，鋪粉輥推動(dòng)供料缸中粉末將工作缸燒結(jié)的部分覆蓋，完成一層燒結(jié)，如此往復(fù)，直至試件燒結(jié)完成，除去未燒結(jié)的粉末，得到三維實(shí)體零件，該技術(shù)已應(yīng)用于樹脂、金屬、陶瓷及復(fù)合材料制造領(lǐng)域。Zhu等[8]采用選擇性激光燒結(jié)結(jié)合注射成型（IM）技術(shù)制備了聚丙烯（PP）試件，并對其性能進(jìn)行分析。Xie等[9]采用間接選擇性激光燒結(jié)技術(shù)制備多孔316?L不銹鋼，分析了加工參數(shù)對孔隙特性和力學(xué)性能的影響。Nelson等[10]應(yīng)用SLS過程模型計(jì)算了聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和涂層粉末的燒結(jié)深度。Hon?and?Gill[11]采用SLS方法制備了碳化硅/聚酰胺復(fù)合材料，研究了關(guān)鍵工藝參數(shù)對SLS加工件拉伸強(qiáng)度和孔隙率的影響以及粉末共混物組成和能量密度對所制備復(fù)合材料拉伸強(qiáng)度的影響。Shahzad等[12]采用SLS相位倒置技術(shù)，制備了Al2O3-聚酰胺微球，并分析了聚合物含量和工藝參數(shù)對氧化鋁零件燒結(jié)密度的影響。Xiong等[13]研究了雙粘結(jié)劑對SLS方法成型的SiC試件精度和力學(xué)性能的影響。然而，由SLS工藝制備的陶瓷零件仍存在一些致命缺陷，如低密度、高孔隙率和非均質(zhì)性造成的機(jī)械性能差等問題[14]。

為了提高SLS成型零件的致密性和機(jī)械性能，一些學(xué)者提出了選擇性激光燒結(jié)（SLS）/冷等靜壓（CIP）和選擇性激光燒結(jié)（SLS）/熔融浸滲（MI）等混合制造方法[15-19]。Wang等[15]通過SLS/CIP/固態(tài)燒結(jié)技術(shù)制造氧化鋁陶瓷材料，以獲得復(fù)雜形狀和相對致密的氧化鋁陶瓷元件。Liu等[16]采用SLS/CIP成型工藝制備高嶺土陶瓷。對高嶺土/環(huán)氧樹脂SLS試樣的收縮和微觀形貌進(jìn)行了研究，以優(yōu)化激光燒結(jié)參數(shù)。Friedel等[17]把SLS與熔融硅的滲透過程結(jié)合起來，制造出陶瓷零件，但試樣表面較粗糙。Subramanian等[18]?采用SLS工藝制備了氧化鋁試樣，通過滲入膠體氧化鋁增加致密性。Evans等[19]建立了SLS材料的篩選方法，發(fā)現(xiàn)熱固性材料可以作為粘結(jié)劑，粘附SiC顆粒，并將選擇性激光燒結(jié)與金屬浸滲技術(shù)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)零件的近凈成型。

上面提到的方法可以提高陶瓷基復(fù)合材料致密性和機(jī)械性能。然而，SLS/CIP和SLS/MI等方法仍有一些需要克服的缺點(diǎn)。如SLS/CIP方法不適合制造具有復(fù)雜內(nèi)部結(jié)構(gòu)的陶瓷基復(fù)合材料，SLS/MI制造的樣品高溫性能不理想等。

SiC復(fù)合材料制備方法主要有化學(xué)氣相滲透法（CVI）、熔融硅浸滲法（LSI）以及聚合物浸漬裂解法（PIP）等[20]。與CVI、LSI等方法相比，PIP方法在節(jié)省材料制備時(shí)間、降低材料燒結(jié)溫度以及減少材料制造成本等方面具有較大的優(yōu)勢[21]。

為了提高碳化硅陶瓷材料的致密性和力學(xué)性能，采用選擇性激光燒結(jié)3D打印技術(shù)與聚合物浸漬裂解法相結(jié)合（SLS/PIP）方法制備SiC/SiC復(fù)合材料結(jié)構(gòu)。通過選擇性激光燒結(jié)3D打印技術(shù)形成材料的坯體，無需模具即可成型復(fù)雜陶瓷結(jié)構(gòu)零件的素坯;通過聚合物浸漬裂解工藝所產(chǎn)生碳化硅基體可以填充選擇性激光燒結(jié)成型碳化硅陶瓷坯體的孔隙，并提升坯體中粉體顆粒的結(jié)合力，有效地提高SiC/SiC復(fù)合材料的力學(xué)性能。

1?實(shí)驗(yàn)方法

采用3D打印技術(shù)與聚合物浸漬裂解法相結(jié)合的方式制備SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料，工藝流程如圖1所示。

1.1?粉體制備

實(shí)驗(yàn)所用粉體主要為SiC（#280，平均粒徑D50=37μm，粒徑范圍在17～70μm之間，體積密度為1.38g/cm3），粘結(jié)劑為環(huán)氧樹脂（E-12，平均粒徑D50=5μm），兩種粉末按照質(zhì)量比為95∶5機(jī)械混合24h待用。

1.2?選擇性激光燒結(jié)

實(shí)驗(yàn)中SiC/SiC復(fù)合材料胚體的制備采用選擇性激光燒結(jié)方法，所使用的設(shè)備為HK?S500快速成型設(shè)備（武漢華科公司），激光功率55W，波長10.6μm，光斑直徑0.2mm。

1.3?后處理過程

采用選擇性激光燒結(jié)方法制備的素坯經(jīng)過脫脂和高溫?zé)Y(jié)后得到的碳化硅陶瓷材料具有較多的孔隙，力學(xué)性能較差。采用聚合物浸漬裂解法對高溫?zé)Y(jié)后獲得的碳化硅陶瓷材料進(jìn)行致密化處理。在PIP方法的致密化過程中，聚碳硅烷（分子量為1300）作為前驅(qū)體，二乙烯基苯作為交聯(lián)劑。將高溫?zé)Y(jié)獲得的碳化硅陶瓷材料在真空浸漬機(jī)中進(jìn)行浸漬，并對浸漬后的試樣進(jìn)行固化。固化在電熱恒溫干燥箱中進(jìn)行，固化條件為：120℃固化3?h，150℃固化3?h。將固化后的試樣在具有氬氣保護(hù)的真空燒結(jié)爐中1200℃進(jìn)行高溫裂解。重復(fù)上述步驟，直至增重率小于1%。

1.4?性能測試

采用阿基米德排水法測定試樣孔隙率，用游標(biāo)卡尺測量試樣的尺寸，用JSM-5600LV型號掃描電鏡觀測試樣的表面及斷口微觀形貌，按照國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T?6569-2006對試樣（尺寸為3mm×4mm×36mm）進(jìn)行三點(diǎn)彎曲性能測試，測試設(shè)備為INSTRON3380萬能試驗(yàn)機(jī)，加載速度0.5mm/min。

2?結(jié)果與討論

2.1?選擇性激光燒結(jié)過程分析

在碳化硅陶瓷坯體的SLS成型過程中，通過改變激光掃描參數(shù)（激光功率、掃描速度和掃描間距）控制粉床溫度，單層鋪粉厚度為100μm。為了優(yōu)化激光掃描參數(shù)，本實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)了幾何尺寸為50mm×20mm×10mm的長方形試件。分別采用激光功率（16、18、20W）、掃描速度（3000、3600、4000m/s）、掃描間距（100、150、200μm）和預(yù)熱溫度（45、50、55℃）進(jìn)行了正交試驗(yàn)，獲得了選擇性激光燒結(jié)的優(yōu)化工藝參數(shù)，如表1所示。

2.2?尺寸精度

試樣的誤差分析通過下式計(jì)算：

式中：La為PIP處理后的SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料試樣的實(shí)際尺寸;Ld為試樣的設(shè)計(jì)尺寸。

通過SLS/PIP方法制備的SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料在不同浸漬裂解階段的尺寸變化如表2。從表2中可見，采用SLS方法制備的試樣實(shí)際尺寸與設(shè)計(jì)值在長度和寬度方向上（平行于打印平面）的誤差小于0.5%，在厚度方向上（垂直于打印平面）的誤差為2.5%，主要是由于激光掃描過程中，試樣邊界處發(fā)生次級燒結(jié)，使得周圍粉末黏連所致[22]。

采用SLS/PIP方法經(jīng)過反復(fù)浸漬裂解后，試樣在各個(gè)方向上的尺寸均略為增大。與設(shè)計(jì)尺寸相比，三個(gè)方向上樣本的尺寸誤差分別為0.94%、1.95%和3.8%?？梢姴捎肧LS/PIP方法所制備的SiC/SiC?陶瓷基復(fù)合材料，能夠保證尺寸精度。此外，尺寸誤差可以通過調(diào)整SLS掃描參數(shù)設(shè)置進(jìn)行補(bǔ)償，進(jìn)一步提高試樣的尺寸精度。

2.3?微觀結(jié)構(gòu)

圖2比較了PIP過程前后的SiC/SiC復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu)。圖2（a）為PIP處理前SLS成型的SiC陶瓷試樣SEM圖。圖中可以清楚地觀察到SiC顆粒間存在大量的孔隙。圖2（b）、（c）和（d）為SLS成型試樣分別經(jīng)過3、6、8個(gè)浸漬裂解周期后獲得的SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料的SEM圖。圖中可見，SiC粉體顆粒間的孔隙逐漸被聚碳硅烷的裂解產(chǎn)物填滿。經(jīng)過PIP后處理后的SiC/SiC復(fù)合材料均勻性和致密性都得到提高，從而改善了材料的力學(xué)性能。

2.4?孔隙率與密度

圖3為不同浸漬周期后的SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料孔隙率和密度變化關(guān)系。結(jié)果表明，隨著浸漬裂解周期的增加，SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料的孔隙率不斷降低，而其密度逐漸提高。SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料素胚密度1.53g/cm3，經(jīng)過8周期的浸漬裂解后，其密度提高了60.13%，達(dá)到了2.45g/cm3。從圖3還可發(fā)現(xiàn)，隨著浸漬裂解周期的增加，SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料總孔隙率和開孔率不斷降低，而閉孔率逐漸變大。說明通過聚合物浸漬裂解法可以有效地降低SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料的孔隙率，提高其密度。同時(shí)說明在裂解過程中SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料形成了一些閉孔，阻礙了前驅(qū)體的繼續(xù)浸滲。

2.5?機(jī)械性能

為了消除材料實(shí)驗(yàn)分散性的影響，三點(diǎn)彎曲實(shí)驗(yàn)選取5個(gè)試樣。圖4為SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料的三點(diǎn)彎曲載荷-位移曲線。圖4中五個(gè)試樣最大彎曲載荷值存在一定偏差，主要是由于材料內(nèi)部固有裂紋的隨機(jī)分布引起。載荷-位移曲線反映出材料在達(dá)到最大載荷之前表現(xiàn)為明顯的線彈性，達(dá)到最大值后，載荷開始迅速下降直到破壞，表明本實(shí)驗(yàn)方法制備的SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料破壞模式為材料的脆性斷裂。通過圖5的材料三點(diǎn)彎曲斷口形貌可以看出材料破壞存在沿晶斷裂，這佐證了材料屬于脆性斷裂。采用SLS/PIP工藝制備的SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料的彎曲強(qiáng)度可達(dá)138.28MPa，是SLS/CIP方法[23]制備的SiC陶瓷強(qiáng)度的2.5倍，是燒結(jié)助劑法制備[24]的SiC陶瓷強(qiáng)度的5.5倍。與其它工藝相比，本文提出PIP后處理工藝能夠有效的使陶瓷致密化，降低材料的孔隙率，因而表現(xiàn)出更高彎曲強(qiáng)度。

3?典型零件制造

在以上研究的基礎(chǔ)上，采用SiC陶瓷粉末，利用SLS/PIP工藝制備方法制造了復(fù)雜形狀SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料零件，如圖6是采用SLS/PIP方法制造的SiC/SiC復(fù)合材料陶瓷件。陶瓷零件制備流程為：

1）通過CAD軟件建立陶瓷零件三維數(shù)字化模型;

2）采用SLS技術(shù)打印陶瓷零件坯體;

3）將陶瓷零件坯體進(jìn)行高溫脫脂，并用SiC顆粒對零件內(nèi)部進(jìn)行填埋，防止陶瓷零件因粘結(jié)劑降解而發(fā)生變形;

4）采用PIP工藝對脫脂后的陶瓷零件進(jìn)行致密化處理，得到致密的陶瓷零件。

在SLS/PIP復(fù)合成形過程中，陶瓷件尺寸收縮率小，精度高。同時(shí)，經(jīng)過PIP處理的SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料的密度比未經(jīng)PIP處理的3D打印SiC陶瓷材料密度有較大幅度提升，解決了SLS方法成形陶瓷件最終密度低的問題，為SLS方法近凈成形高性能復(fù)雜形狀陶瓷零件奠定了基礎(chǔ)。

4?結(jié)?論

1）首次采用SLS/PIP相結(jié)合的方法制備了SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料，優(yōu)化工藝參數(shù)，提高試樣的尺寸精度。

2）采用PIP法處理后的SiC陶瓷試樣孔隙率明顯降低。與未經(jīng)PIP處理的SiC陶瓷材料相比，經(jīng)過PIP處理后獲得的SiC/SiC復(fù)合材料密度提高了60.13%。

3）采用SLS/PIP工藝制備的SiC/SiC陶瓷基復(fù)合材料的彎曲強(qiáng)度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)SLS方法制備的SiC陶瓷材料。

參?考?文?獻(xiàn)：

[1]?GAN?Ke，?XU?Jie，?LU?Yuju，?et?al.?Preparation?of?Silicon?Carbide?Ceramics?Using?Chemical?Treated?Powder?by?DCC?Via?Dispersant?Reaction?and?Liquid?Phase?Sintering[J].?Journal?of?the?European?Ceramic?Society，?2017，?37（3）：?891.

[2]?SANTOS?A?C，?RIBEIRO?S.?Liquid?Phase?Sintering?and?Characterization?of?SiC?Ceramics[J].?Ceramics?International，?2018，?44（10）：?11048.

[3]?EDWARDS?D?P，?MUDDLE?B?C，?CHENG?Yibing，?et?al.?The?Development?of?Microstructure?in?Silicon?Nitride-Bonded?Silicon?Carbide[J].?Journal?of?the?European?Ceramic?Society，?1995，?15（5）：415.

[4]?ZHANG?Jingxian，?JIANG?Dongliang，?LIN?Qingling，?et?al.?Properties?of?Silicon?Carbide?Ceramics?from?Gelcasting?and?Pressureless?Sintering[J].?Materials?&?Design?（1980-2015），?2015，?65：?12.

[5]?BLACKBURN?S.?New?Processes?or?Old：?Complex?Shape?Processing?of?Advanced?Ceramics[J].?Advances?in?applied?ceramics，?2005，?104（3）：?97.

[6]?HON?K?K?B，?GILL?T?J.?Selective?Laser?Sintering?of?SiC/Polyamide?Composites[J].?CIRP?Annals，?2003，?52（1）：?173.

[7]?DANEZAN?A，?DELAIZIR?G，?TESSIER-DOYEN?N，?et?al.?Selective?Laser?Sintering?of?Porcelain[J].?Journal?of?the?European?Ceramic?Society，?2018，?38（2）：?769.

[8]?ZHU?Wei，?YAN?Chunze，?SHI?Yunsong，?et?al.?Investigation?into?Mechanical?and?Microstructural?Properties?of?Polypropylene?Manufactured?by?Selective?Laser?Sintering?in?Comparison?with?Injection?Molding?Counterparts[J].?Materials?&?Design，?2015，?82：?37.

[9]?XIE?Fangxia，?HE?Xinbo，?CAO?Shunli，?et?al.?Structural?and?Mechanical?Characteristics?of?Porous?316L?Stainless?Steel?Fabricated?by?Indirect?Selective?Laser?Sintering[J].?Journal?of?Materials?Processing?Technology，?2013，?213（6）：?838.

[10]NELSON?J?C，?VAIL?N?K，?BARLOW?J?W，?et?al.?Selective?Laser?Sintering?of?Polymer-Coated?Silicon?Carbide?Powders[J].?Industrial?&?Engineering?Chemistry?Research，?1995，?34（5）：?1641.

[11]GILL?T?J，?HON?K?K?B.?Experimental?Investigation?into?the?Selective?Laser?Sintering?of?Silicon?Carbide?Polyamide?Composites[J].?Proceedings?of?the?Institution?of?Mechanical?Engineers，?Part?B：?Journal?of?Engineering?Manufacture，?2004，?218（10）：?1249.

[12]SHAHZAD?K，?DECKERS?J，?BOURY?S，?et?al.?Preparation?and?Indirect?Selective?Laser?Sintering?of?Alumina/PA?Microspheres[J].?Ceramics?International，?2012，?38（2）：?1241.

[13]XIONG?Bowen，?YU?Huan，?XU?Zhifeng，?et?al.?Study?on?Dual?Binders?for?Fabricating?SiC?Particulate?Preforms?Using?Selective?Laser?Sintering[J].?Composites?Part?B：?Engineering，?2013，?48：?129.

[14]CHEN?Annan，?WU?Jiamin，?LIU?Kai，?et?al.?High-performance?Ceramic?Parts?with?Complex?Shape?Prepared?by?Selective?Laser?Sintering：?A?Review[J].?Advances?in?Applied?Ceramics，?2018，?117（2）：?100.

[15]WANG?Zijian，?SHI?Yusheng，?HE?Wenting，?et?al.?Compound?Process?of?Selective?Laser?Processed?Alumina?Parts?Densified?by?Cold?Isostatic?Pressing?and?Solid?State?Sintering：?Experiments，?Full?Process?Simulation?and?Parameter?Optimization[J].?Ceramics?International，?2015，?41（2）：?3245.

[16]LIU?Kai，?SUN?Huajun，?SHI?Yusheng，?et?al.?Research?on?Selective?Laser?Sintering?of?Kaolin-Epoxy?Resin?Ceramic?Powders?Combined?with?Cold?Isostatic?Pressing?and?Sintering[J].?Ceramics?International，?2016，?42（9）：?10711.

[17]FRIEDEL?T，?TRAVITZKY?N，?NIEBLING?F，?et?al.?Fabrication?of?Polymer?Derived?Ceramic?Parts?by?Selective?Laser?Curing[J].?Journal?of?the?European?Ceramic?Society，?2005，?25（2/3）：?193.

[18]SUBRAMANIAN?K，?VAIL?N，?BARLOW?J，?et?al.?Selective?Laser?Sintering?of?Alumina?with?Polymer?Binders[J].?Rapid?Prototyping?Journal，?1995，?1（2）：?24.

[19]EVANS?R?S，?BOURELL?D?L，?BEAMAN?J?J，?et?al.?Rapid?Manufacturing?of?Silicon?Carbide?Composites[J].?Rapid?Prototyping?Journal，?2005，?11（1）：?37.

[20]LI?Guangde，?ZHANG?Changrui，?HU?Haifeng，?et?al.?Preparation?and?Mechanical?Properties?of?C/SiC?Nuts?and?Bolts[J].?Materials?Science?and?Engineering：?A，?2012，?547：?1.

[21]LY?H?Q，?TAYLOR?R，?DAY?R?J.?Carbon?Fibre-Reinforced?CMCs?by?PCS?Infiltration[J].?Journal?of?materials?science，?2001，?36（16）：?4027.

[22]LIU?Kai，?SHI?Yusheng，?LI?Chenhui，?et?al.?Indirect?Selective?Laser?Sintering?of?Epoxy?Resin-Al2O3?Ceramic?Powders?Combined?with?Cold?Isostatic?Pressing[J].?Ceramics?International，?2014，?40（5）：?7099.

[23]馬麗君，?李文鳳，?黃慶飛，?等.?Si粉粒徑及其添加量對SiC陶瓷材料結(jié)構(gòu)和性能的影響[J].?金剛石與磨料磨具工程，?2018，?38（4）：?61.

MA?Lijun，?LI?Wenfeng，?HUANG?Qingfei，?et?al.?Effect?of?Particle?Size?and?Content?of?Silicon?Powder?on?Microstructure?and?Properties?of?SiC?Ceramic?Materials[J].?Diamond?&?Abrasives?Engineering，?2018，?38（4）：?61.

[24]陳鵬，?朱小剛，?吳甲民，?等.?基于SLS/CIP工藝SiC陶瓷的制備及其性能[J].?材料工程，?2019，?47（3）：?87.

CHEN?Peng，?ZHU?Xiaogang，?WU?Jiamin，?et?al.?Preparation?and?Properties?of?SiC?Ceramics?Via?SLS/CIP?Process[J].?Journal?of?Materials?Engineering，?2019，?47（3）：?87.

（編輯：溫澤宇）