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        脈沖磁致振蕩作用下Ga-In-Sn液態(tài)合金中熔體流場(chǎng)的數(shù)值模擬

        2020-08-25 03:58:14靳平霞徐智帥徐燕祎張?jiān)苹?/span>鄭紅星翟啟杰
        上海金屬 2020年4期
        關(guān)鍵詞:物理

        靳平霞 徐智帥 徐燕祎 張?jiān)苹?鄭紅星 翟啟杰

        (上海大學(xué)先進(jìn)凝固技術(shù)中心,上海 200044)

        高品質(zhì)合金制備通常需要經(jīng)過(guò)冶煉、凝固、熱處理等多個(gè)環(huán)節(jié),其中凝固過(guò)程控制是影響合金質(zhì)量最為重要的步驟之一[1]。外加物理場(chǎng)手段,如機(jī)械振動(dòng)[2]、電磁凝固[3]、脈沖磁致振蕩凝固[4-6]等,都可以細(xì)化晶粒組織,有效改善溶質(zhì)偏析,其中脈沖磁致振蕩凝固技術(shù)[7-8]在鋼鐵及鋁合金中的應(yīng)用效果顯著,但其在功能類合金中應(yīng)用的相關(guān)研究和報(bào)道較少。功能類合金制備多采用模鑄法,而目前對(duì)于脈沖磁致振蕩作用下模鑄凝固過(guò)程中合金熔體的物理場(chǎng)的研究相對(duì)較少。研究者們大多采用數(shù)值模擬的方法研究合金熔體內(nèi)部電磁場(chǎng)、流場(chǎng)、溫度場(chǎng)及溶質(zhì)成分的分布規(guī)律。如訾炳濤等[9-10]基于有限元法研究發(fā)現(xiàn),脈沖磁場(chǎng)作用下金屬熔體的流場(chǎng)具有上下、里外分布不對(duì)稱和總體分布不均的特點(diǎn),且該趨勢(shì)隨著脈沖磁場(chǎng)強(qiáng)度的增大而加劇。Wang等[11]采用有限元軟件對(duì)鎂合金熔體的脈沖磁場(chǎng)和流場(chǎng)進(jìn)行耦合發(fā)現(xiàn),脈沖磁場(chǎng)通過(guò)強(qiáng)化熔體對(duì)流效應(yīng)促進(jìn)了枝晶臂的折斷和重熔,達(dá)到細(xì)化晶粒的目的。馬小平等[12]針對(duì)高溫合金物理場(chǎng)的數(shù)值模擬發(fā)現(xiàn),徑向電磁力加速了熔體的振動(dòng),振動(dòng)的傳播和疊加導(dǎo)致了強(qiáng)壓力波的形成。程譽(yù)鋒[13]基于有限元數(shù)值模擬發(fā)現(xiàn),脈沖磁致振蕩下電磁力主要集中于型壁液面處,起促進(jìn)熔體形核的作用。本文基于液態(tài)Ga-In-Sn合金,結(jié)合Comsol多物理場(chǎng)數(shù)值模擬及熔體流速物理試驗(yàn)兩種方法,研究了模鑄凝固條件下,脈沖磁致振蕩線圈與合金熔體高度方向的相對(duì)位置變化對(duì)熔體內(nèi)部流場(chǎng)的影響。

        1 超聲多普勒測(cè)速試驗(yàn)方法與裝置

        采用超聲多普勒測(cè)速儀(DOP4000)(見(jiàn)圖1)測(cè)量Ga-In-Sn熔體的流速[14-15],亞克力玻璃模具內(nèi)徑75 mm,內(nèi)部熔體高度設(shè)定為200 mm。將8 MHz多普勒探頭傳感器固定于圓柱形模具底部中心。脈沖磁致振蕩線圈由水冷銅管制成,可上下移動(dòng)調(diào)整與熔體高度方向上的相對(duì)位置。脈沖磁致振蕩波形以圖2所示分段函數(shù)形式輸入,采用的電磁參數(shù)分別為IP=600iA,f=5jHz,tP=1kms,其中i、j、k為脈沖設(shè)備系數(shù)。

        圖2 脈沖電流輸入函數(shù)

        2 有限元網(wǎng)格劃分

        采用Comsol有限元法多物理場(chǎng)數(shù)值模擬軟件對(duì)脈沖磁致振蕩下鑄錠凝固過(guò)程的磁場(chǎng)及流場(chǎng)分布進(jìn)行分析。Ga-20%In-12%Sn(質(zhì)量分?jǐn)?shù))合金的熱物性參數(shù)[16]見(jiàn)表1。定義材料屬性并賦予線圈、液態(tài)金屬和空氣單元,脈沖磁致振蕩線圈由水冷銅管制成,高度約125 mm,內(nèi)、外徑分別為100和124 mm。其中以線圈中心與金屬熔體水平中線重合為例,合金熔體和線圈選擇規(guī)整正方形網(wǎng)格,除了線圈上下方空氣部分采用正方形網(wǎng)格,以確保計(jì)算精度外,其余部分空氣選擇自由三角形網(wǎng)格以減少計(jì)算量,網(wǎng)格劃分結(jié)果如圖3所示。本文數(shù)值模擬基于以下幾點(diǎn)假設(shè):(1)采用二維軸對(duì)稱模型進(jìn)行系統(tǒng)簡(jiǎn)化;(2)將電磁線圈視為電流密度均勻分布的螺線管線圈;(3)液態(tài)金屬為牛頓不可壓縮流體,不考慮溫度耗散;(4)采用滑移邊界條件,液態(tài)金屬表面設(shè)定為自由壓力點(diǎn)約束;除自由表面外,所有壁面采用無(wú)滑移邊界條件。

        表1 Ga-20%In-12%Sn合金的熱物性參數(shù)

        圖3 有限元網(wǎng)格劃分

        3 結(jié)果與討論

        圖4是將脈沖磁致振蕩線圈施加在相對(duì)Ga-In-Sn液態(tài)金屬高度方向的上、中、下3個(gè)不同位置時(shí),熔體中心軸線軸向流速的物理試驗(yàn)測(cè)量結(jié)果。從圖4可以看出,當(dāng)線圈位于熔體不同位置時(shí),脈沖磁致振蕩處理20 s,線圈下部熔體流速方向均向下,線圈上部流速方向均向上,這表明改變線圈位置不會(huì)對(duì)熔體內(nèi)部流速的分布產(chǎn)生較大影響。此外,還可以看出,在3種不同情況下,脈沖磁致振蕩在金屬熔體中產(chǎn)生了近似相同的流動(dòng)形式的流動(dòng)強(qiáng)度,最大流速均為90 mm/s左右。主要區(qū)別在于:線圈位于熔體上部時(shí),熔體頂部流動(dòng)較強(qiáng),而底部較弱(圖4(a));位于熔體中部時(shí),在熔體上、下部分出現(xiàn)了一個(gè)軸對(duì)稱流動(dòng)(圖4(b));位于熔體下部時(shí),熔體頂部流動(dòng)較弱,而底部較強(qiáng)(圖4(c))。強(qiáng)制流動(dòng)通常被認(rèn)為是脈沖電流引起凝固組織細(xì)化的主要因素[5],因?yàn)閺?qiáng)制流動(dòng)引起溶質(zhì)起伏和溫度起伏,導(dǎo)致枝晶熔斷從而細(xì)化晶粒[17]。因此相比其他兩個(gè)位置,線圈位于熔體中部時(shí)引起的模鑄凝固組織細(xì)化效果最好。

        圖4 線圈位于熔體上(a)、中(b)、下(c)3個(gè)位置時(shí)脈沖磁致振蕩處理20 s內(nèi)Ga-In-Sn合金熔體中心軸線軸向的流速分布

        圖5是線圈位于熔體上、中、下3個(gè)位置時(shí)脈沖磁致振蕩處理5 s后熔體流場(chǎng)分布的數(shù)值模擬結(jié)果,與圖4的物理試驗(yàn)測(cè)量結(jié)果對(duì)比可知:(1)脈沖磁致振蕩處理引起熔體沿線圈中心上下對(duì)稱位置形成了較大的渦流現(xiàn)象[18-19];(2)數(shù)值模擬得出的流速數(shù)值較試驗(yàn)測(cè)量值略大(偏差<10%),如熔體中心軸線處,試驗(yàn)測(cè)得的最大流速約90.5 mm/s,數(shù)值模擬的最大流速約97.9 mm/s。可能有以下幾點(diǎn)原因:(1)試驗(yàn)過(guò)程中輸入的脈沖電流的波形有變化,而數(shù)值模擬對(duì)波形進(jìn)行了理想化處理;(2)部分?jǐn)?shù)值模擬假設(shè)可能不完全符合實(shí)際條件,如電磁線圈不能完全被視為空心圓柱體,電流密度分布不均勻且存在一定的溫度耗散??傮w上,數(shù)值模擬與試驗(yàn)結(jié)果均表明:當(dāng)線圈位于熔體上方(圖4(a)和5(a))時(shí),液面波動(dòng)最為劇烈,有助于形成頂部結(jié)晶雨[20],但熔體底部流速較小,不利于凝固組織整體均勻細(xì)化;當(dāng)線圈位于熔體下方(圖4(c)和5(c))時(shí),熔體頂部晶核脫落效果不明顯;當(dāng)線圈位于熔體中部(圖4(b)和5(b))時(shí),熔體內(nèi)部渦流分布相對(duì)較為均勻,液面適度振蕩可形成較多的結(jié)晶雨晶核。

        圖5 線圈位于熔體上(a)、中(b)、下(c)3個(gè)位置時(shí)脈沖磁致振蕩處理5 s后Ga-In-Sn合金熔體內(nèi)的流速分布

        圖6 線圈位于熔體上(a)、中(b)、下(c)3個(gè)位置時(shí)Ga-In-Sn合金熔體高度方向的磁通密度分布(t=7e-4s)

        4 結(jié)術(shù)語(yǔ)

        綜合數(shù)值模擬與物理試驗(yàn)測(cè)定結(jié)果,得出在脈沖磁致振蕩外場(chǎng)作用下,模鑄熔體內(nèi)部在高度方向上存在兩個(gè)強(qiáng)渦流。在本文給定的脈沖參數(shù)條件下,將脈沖磁致振蕩線圈放置與熔體中部平齊時(shí),可同時(shí)兼顧熔體內(nèi)部均勻?qū)α骷耙好嫣幮魏说恼{(diào)控。

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