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        純國產(chǎn)SSD性能深度測(cè)試

        2020-08-11 14:25:30馬宇川
        微型計(jì)算機(jī) 2020年14期
        關(guān)鍵詞:工作溫度固態(tài)硬盤

        馬宇川

        純國產(chǎn)SSD之光威弈pro國產(chǎn)固態(tài)硬盤硬件解析

        本次我們將測(cè)試的國產(chǎn)固態(tài)硬盤是來自光威的弈pro系列國產(chǎn)SATA固態(tài)硬盤,該系列主要由256GB、512GB、1TB三種容量的產(chǎn)品組成,我們將對(duì)其中的256GB、512GB產(chǎn)品進(jìn)行測(cè)試。從產(chǎn)品外觀就可以看出它們的不同,中國紅的配色、霸氣的龍頭Logo,無一不彰顯出它的中國元素。而在內(nèi)部配置上也是相得益彰,這款SSD采用了由長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司研發(fā)的Xtacking架構(gòu)64層TLC3DNAND閃存。根據(jù)長江存儲(chǔ)介紹,在傳統(tǒng)3DNAND閃存架構(gòu)中,外圍電路約占芯片面積的20%~30%,降低了芯片的存儲(chǔ)密度。隨著3DNAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高,外圍電路可能會(huì)占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking技術(shù)則將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上,從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3DNAND更高的存儲(chǔ)密度。

        具體來說,Xtacking架構(gòu)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝,以讓NAND閃存獲得更高的I/O接口速度與更多的操作功能,存儲(chǔ)單元?jiǎng)t在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后,通過創(chuàng)新的Xtacking技術(shù),只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)十億根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路。

        相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu),Xtacking技術(shù)可充分利用存儲(chǔ)單元和外圍電路的獨(dú)立加工優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)了并行、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造,產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間可縮短三個(gè)月,生產(chǎn)周期可縮短20%,從而大幅縮短3D NAND產(chǎn)品的上市時(shí)間。此外,這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創(chuàng)新功能以實(shí)現(xiàn)NAND閃存的定制化提供了可能。目前,Xtacking技術(shù)已經(jīng)推出了采用64層、128層堆疊的TLC、QLC顆粒,本次我們測(cè)試的光威弈pro國產(chǎn)固態(tài)硬盤采用的則是64層堆疊的TLC顆粒。

        同時(shí)在主控方面,光威弈pro采用了來自聯(lián)蕓科技的MAS090X系列SATA 3.2主控。根據(jù)聯(lián)蕓官方介紹,MAS090X系列主控采用40nmCMOS工藝設(shè)計(jì)、BGA封裝,內(nèi)嵌32位CPU內(nèi)核。這是一款DRAMLESS主控即不需要外置內(nèi)存作緩存的主控,我們推測(cè)它應(yīng)該是通過占用少量電腦內(nèi)存來構(gòu)建虛擬化緩存池,保證性能的輸出,并降低SSD的生產(chǎn)成本。

        該主控可與各類NAND閃存顆粒進(jìn)行自適配,從而避免了傳統(tǒng)專用硬件架構(gòu)缺乏NAND閃存支持靈活性的缺點(diǎn)。同時(shí)基于專用的NAND閃存控制處理指令集,聯(lián)蕓科技在MAS090X全系列SSD主控芯片上首次建立了NAND閃存控制層次化模型,原創(chuàng)設(shè)計(jì)了層次化NAND閃存專用處理器架構(gòu),可同時(shí)對(duì)多個(gè)NAND閃存顆粒進(jìn)行操作交織管理,利用固態(tài)硬盤上多閃存顆粒的并發(fā)度,提升了NAND閃存的通道帶寬。目前聯(lián)蕓科技MAS090X系列主控芯片支持Toggle2.0/3.0、ONFi3.0/4.0閃存接口,結(jié)合NAND閃存顆粒自適配技術(shù)可支持包括長江存儲(chǔ)、三星、東芝、閃迪、英特爾、SK海力士、美光等多家廠商的MLC、TLC、QLC顆粒。該主控還支持LDPC糾錯(cuò)技術(shù),可有效延長SSD固態(tài)硬盤的使用壽命。

        更值得一提的是,聯(lián)蕓科技MAS090X系列中的MAS0901S、MAS0902S安全SSD主控芯片全面支持AES256、SHA256、RSA2048國際密碼算法,以及國外主控不支持的國產(chǎn)商用密碼算法SM2、SM3、SM4。該主控還采用了全硬件高速加解密設(shè)計(jì)技術(shù),AES/SM4加解密速度可達(dá)到700MB/s,能做到數(shù)據(jù)流實(shí)時(shí)全速加解密處理。對(duì)于注重安全性的國內(nèi)政府企事業(yè)單位、金融平臺(tái)來說,顯然采用聯(lián)蕓科技MAS090X系列主控的SSD將是一個(gè)更好的選擇。

        性能幾何?光威弈pro國產(chǎn)固態(tài)硬盤性能實(shí)戰(zhàn)測(cè)試

        測(cè)試點(diǎn)評(píng):從基準(zhǔn)性能測(cè)試來看,作為初出茅廬的國產(chǎn)硬盤,兩款不同容量的產(chǎn)品在性能表現(xiàn)上總體令人滿意。它們的ASSSDBenchmark總分都達(dá)到了800分這個(gè)水準(zhǔn),擁有主流SATASSD的性能。其中它們的連續(xù)讀寫速度表現(xiàn)都非常突出—在CRYSTALDISKMARK測(cè)試中的連續(xù)讀取速度均突破550MB/s,已接近SATA3.2的接口帶寬極限,同時(shí)它們的連續(xù)寫入速度也都達(dá)到了500MB/s以上。此外,在關(guān)鍵的隨機(jī)4KB寫入性能上,兩款產(chǎn)品也都突破了20000IOPS,已接近國外中高端SATASSD的性能,如金士頓KC600512GB在此項(xiàng)測(cè)試中的成績也就在23000IOPS左右。值得一提的是,512GB產(chǎn)品憑借使用更多的Die,在并發(fā)性能與最終性能表現(xiàn)上較256GB產(chǎn)品都要稍好一些。稍有不足的是,兩款SSD的低隊(duì)列深度隨機(jī)4KB讀取性能與國外SSD相比還有一定差距。

        測(cè)試點(diǎn)評(píng):在實(shí)際應(yīng)用性能測(cè)試中,我們使用了PCMark8存儲(chǔ)性能測(cè)試,以及兩款游戲進(jìn)行了實(shí)戰(zhàn)。從得分來看,兩款光威弈pro固態(tài)硬盤在PCMark8中的得分都超過了4900分,同樣達(dá)到了主流SSD的水平。反映在具體項(xiàng)目上,在傳輸數(shù)據(jù)量較大,總共讀寫6108MB的AdobePhotoshop重載測(cè)試中,兩款SSD的耗時(shí)都在368秒左右,只比金士頓KC600512GB這類中高端SATASSD慢5秒。而在負(fù)載量較小的測(cè)試中,它們更無明顯區(qū)別。如在讀寫462MB數(shù)據(jù)的AdobeIllustrator應(yīng)用中,兩款光威弈pro固態(tài)硬盤的耗時(shí)在72.2~72.3s左右,而金士頓KC600512GB的耗時(shí)也需要71.9s;在讀寫1025MB數(shù)據(jù)的AdobeInDesign應(yīng)用中,兩款光威弈pro固態(tài)硬盤的耗時(shí)都為57.6s,金士頓KC600512GB的耗時(shí)只少了0.2s,在真實(shí)應(yīng)用中不會(huì)有明顯感覺。

        在實(shí)際的游戲載入體驗(yàn)中,兩款光威弈pro固態(tài)硬盤都能快速地啟動(dòng)游戲大作,比如《坦克世界》在機(jī)械硬盤上啟動(dòng)需用時(shí)約半分鐘,在這兩款SSD上的用時(shí)則大幅縮短到不到13秒,像《僵尸世界大戰(zhàn)》這類數(shù)據(jù)量不大的游戲則僅需不到8秒的啟動(dòng)時(shí)間。

        測(cè)試點(diǎn)評(píng):接下來我們還進(jìn)行了用戶非常關(guān)心的全盤讀寫測(cè)試。首先從讀取性能測(cè)試來看,兩款SSD的表現(xiàn)都非常穩(wěn)定,全盤連續(xù)讀取速度都穩(wěn)定在520MB/s以上。而在全盤寫入速度上,可以看到,光威為這兩款SSD都設(shè)置了比較大的SLCCACHE,其256GB產(chǎn)品的SLCCACHE緩存容量在51GB以上,在這個(gè)容量范圍內(nèi)寫入的話,其連續(xù)寫入速度可維持在470MB/s。不過超過這一容量,將數(shù)據(jù)直接寫入到閃存時(shí),寫入速度則會(huì)大幅降低,其連續(xù)寫入速度會(huì)跌落到最低50MB/s左右。而512GB產(chǎn)品的SLCCACHE緩存容量則提升到了102GB,同樣在這個(gè)容量范圍內(nèi)寫入數(shù)據(jù)的話,連續(xù)寫入速度可維持在480MB/s左右,超過這一容量,連續(xù)寫入速度也會(huì)明顯降低,最低跌落至62MB/s左右。

        測(cè)過以來非?!皼隹臁钡腟SD

        光威弈pro固態(tài)硬盤256GB 光威弈pro固態(tài)硬盤512GB

        測(cè)試點(diǎn)評(píng):在對(duì)光威弈pro固態(tài)硬盤進(jìn)行全盤寫入測(cè)試時(shí),我們也順便對(duì)它們的工作溫度進(jìn)行了監(jiān)控。讓人驚喜的是,它的發(fā)熱量非常低,在進(jìn)行長耗時(shí)的全盤寫入時(shí),兩塊SSD的軟件偵測(cè)溫度只有30℃,同時(shí)通過FLIR熱成像儀實(shí)測(cè),也證實(shí)兩款SSD的工作溫度的確不高。其中光威弈pro固態(tài)硬盤256GB的滿載最高工作溫度只有35.5℃,光威弈pro固態(tài)硬盤512GB的滿載最高工作溫度稍高一點(diǎn),但也只有36.4℃。普通SATA固態(tài)硬盤在完成類似測(cè)試時(shí),其工作溫度一般會(huì)飆升到50℃~70℃,相對(duì)較低的工作溫度可以有效提升光威弈pro固態(tài)硬盤的工作穩(wěn)定性。

        表現(xiàn)令人滿意未來可期

        綜合以上體驗(yàn),我們對(duì)由國產(chǎn)主控、國產(chǎn)閃存組成的光威弈pro固態(tài)硬盤的表現(xiàn)還是比較滿意的。從性能上來看,它已經(jīng)達(dá)到了主流SATA固態(tài)硬盤的水準(zhǔn),雖然與中高端SATA固態(tài)硬盤相比還有差距,但由于產(chǎn)品先天技術(shù)難度、自身技術(shù)積累等多方面原因,這個(gè)差距遠(yuǎn)沒有我們?cè)贑PU、GPU方面的差距大,國產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)品成為相對(duì)容易追趕的一個(gè)項(xiàng)目。同時(shí)光威也提供了時(shí)間為三年的免費(fèi)售后服務(wù),像光威弈pro這樣的國產(chǎn)固態(tài)硬盤已經(jīng)具備很強(qiáng)的實(shí)用性。此外,光威還將很快推出性能更強(qiáng)、支持PCIeGen3×4NVMe1.3標(biāo)準(zhǔn)的國產(chǎn)NVMeSSD,也就是光威弈PROM.2NVMeSSD,預(yù)計(jì)將在今年下半年上市,這將大幅提升國產(chǎn)SSD的性能與技術(shù)規(guī)格。顯然國產(chǎn)SSD的發(fā)展才剛剛開始,好戲還在后面!

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