劉立浩,余承偉,薛 騰
(中國電子科技集團(tuán)公司第五十四研究所,河北 石家莊 050081)
隨著衛(wèi)星通信的蓬勃發(fā)展,C頻段和Ku頻段資源日趨緊張,衛(wèi)星通信逐漸向高頻段擴(kuò)展,極高頻(Extremely High Frequency,EHF)成為目前衛(wèi)星通信領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。EHF頻段衛(wèi)星通信系統(tǒng)具有頻率資源豐富、抗干擾能力強(qiáng)和通信終端體積小等優(yōu)點(diǎn),在軍事領(lǐng)域具有重要意義[1]。目前,主要的EHF軍用衛(wèi)星系統(tǒng)有美國的Milstar系統(tǒng)和AEHF系統(tǒng)[2]、英國的Skynet系統(tǒng)[3]和法國的Syracuse系統(tǒng)[4]。其中,美國的Milstar系統(tǒng)和AEHF系統(tǒng)上行鏈路頻率為43.5~45.5 GHz,下行鏈路頻率為20.2~21.2 GHz[5]。
使用國產(chǎn)EHF頻段17 W(45.5 GHz頻點(diǎn)飽和輸出功率)GaN功放芯片,采用一種改進(jìn)型波導(dǎo)E-T結(jié)[6]和波導(dǎo)—微帶探針過渡[7]相結(jié)合的新型四路功率分配/合成結(jié)構(gòu),研制出EHF頻段58 W(即47.6 dBm)GaN功放模塊,基于該功放模塊,成功研制了EHF頻段40 W GaN發(fā)射機(jī)。
EHF頻段40 W發(fā)射機(jī)主要由上變頻模塊[8]、驅(qū)動(dòng)放大器、功率合成模塊、耦合器、檢波器、監(jiān)控單元、電源模塊、電源濾波器和風(fēng)機(jī)等部分組成,整機(jī)組成如圖1所示。
圖1 EHF頻段40 W發(fā)射機(jī)組成框圖Fig.1 Block diagram of EHF-band 40 W transmitter
10 MHz參考信號(hào)和C頻段中頻信號(hào)的合路信號(hào)進(jìn)入EHF頻段40 W發(fā)射機(jī),首先進(jìn)入上變頻模塊,模塊將10 MHz參考信號(hào)和中頻信號(hào)分離,10 MHz信號(hào)鎖定模塊中內(nèi)置的100 MHz晶振,100 MHz信號(hào)作為鑒相頻率;上變頻模塊將中頻信號(hào)變頻為EHF頻段信號(hào),并提供一定的增益,在上變頻模塊中內(nèi)置了衰減器芯片用于整機(jī)增益的調(diào)節(jié);之后EHF頻段信號(hào)依次進(jìn)入驅(qū)動(dòng)放大器和功率合成模塊,進(jìn)行功率放大;最終,EHF頻段信號(hào)經(jīng)波導(dǎo)耦合器的主路輸出。
監(jiān)控單元負(fù)責(zé)采集各模塊的狀態(tài)信息,經(jīng)過處理后,以LAN接口形式輸出到監(jiān)控網(wǎng)口;監(jiān)控單元還可控制上變頻模塊中衰減器的衰減量和電源模塊的通斷,當(dāng)發(fā)射機(jī)出現(xiàn)本振失鎖或過溫時(shí),監(jiān)控單元可切斷功率合成模塊的供電,使功放停止工作,防止功放模塊損壞,并避免非正常信號(hào)發(fā)射干擾其他信道。
電源模塊為各模塊提供直流供電;風(fēng)機(jī)將各模塊傳導(dǎo)到散熱翅片的大量熱量導(dǎo)出,使整機(jī)溫度維持在一個(gè)穩(wěn)定的范圍。
下面對(duì)EHF頻段40 W發(fā)射機(jī)的關(guān)鍵部件進(jìn)行設(shè)計(jì)分析,使用三維電磁場仿真軟件HFSS對(duì)關(guān)鍵部件進(jìn)行了建模仿真,并給出了仿真結(jié)果。
2.1.1 改進(jìn)型波導(dǎo)E-T結(jié)[9]
波導(dǎo)T型結(jié)是一個(gè)簡單的三端口網(wǎng)絡(luò),可以用于功率分配或功率合成。波導(dǎo)T型結(jié)示意如圖2所示。
圖2 波導(dǎo)T型結(jié)示意Fig.2 Schematic diagram of waveguide T-junction
常用的波導(dǎo)T型結(jié)可分為H面T型結(jié)(H-T結(jié))和E面T型結(jié)(E-T結(jié))[10],其中E-T結(jié)更適合作為固態(tài)功率合成器的基本功分/合成單元[11]。波導(dǎo)E-T結(jié)為三端口無耗器件,這種三端口網(wǎng)絡(luò)無法實(shí)現(xiàn)3個(gè)端口的同時(shí)匹配。如果以S11最小為設(shè)計(jì)目標(biāo),折中端口回波損耗和端口間隔離,可得到三端口網(wǎng)絡(luò)S參數(shù)理想值為:
(1)
由能量守恒定律可得:
|S22|2+|S23|2+0.5=1,
(2)
|S22|=|S33|=|S32|=|S23|=-6 dB。
(3)
由式(3)可知,波導(dǎo)E-T結(jié)的端口2和端口3典型回波損耗為-6 dB,隔離度為-6 dB[12]。
由于T型結(jié)存在不連續(xù)性,所以T型結(jié)等效于一個(gè)寄生電抗效應(yīng),從而使電磁波在T型結(jié)處傳播時(shí)會(huì)有相位的延遲,所以在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)該加入電抗補(bǔ)償。為有效改善輸入端口回波損耗和拓寬工作頻率,本設(shè)計(jì)在普通波導(dǎo)E-T結(jié)上進(jìn)行了改進(jìn),具體做法就是添加楔形缺口,與標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)間進(jìn)行斜漸變以拓寬頻帶[13]。改進(jìn)型波導(dǎo)E-T結(jié)三維模型如圖3(a)所示,仿真結(jié)果如圖3(b)所示。
圖3 改進(jìn)型波導(dǎo)E-T結(jié)Fig.3 Improved waveguide E-plane T-junction
仿真結(jié)果顯示,在43.5~45.5 GHz頻率范圍內(nèi),改進(jìn)型波導(dǎo)E-T結(jié)具有低插入損耗、等功率分配的特性,輸入端口1的回波損耗優(yōu)于25 dB。
2.1.2 波導(dǎo)—微帶探針過渡
目前,波導(dǎo)—微帶探針過渡[14]是應(yīng)用最為廣泛的波導(dǎo)—微帶過渡形式,相比其他過渡方式,具有明顯的優(yōu)點(diǎn):插入損耗低、回波損耗小、可覆蓋較寬頻帶、結(jié)構(gòu)緊湊和加工方便。
波導(dǎo)—微帶探針過渡有2種常用的形式:一種是微帶平面的法向方向與波導(dǎo)內(nèi)電磁波傳播的方向平行,稱之為H面探針過渡;另一種是微帶平面的法向方向與波導(dǎo)內(nèi)電磁波傳播的方向垂直,稱之為E面探針過渡[15],如圖4所示。這2種方法都是將微帶探針通過波導(dǎo)寬邊中心的孔插入波導(dǎo)腔中,通過一段起耦合作用的探針將波導(dǎo)中的電場耦合到微帶中去。矩形波導(dǎo)中距離過渡器四分之一波長的短路活塞保證探針在波導(dǎo)內(nèi)處于電場最強(qiáng)位置,以達(dá)到盡量高的耦合效率。探針過渡具有容性電抗,一段具有感性電抗的高阻抗線被串聯(lián)在探針過渡器后面,以消除容性電抗,然后經(jīng)過四分之一波長阻抗變換器實(shí)現(xiàn)與50 Ω微帶線的阻抗匹配[16]。
圖4 波導(dǎo)—微帶探針過渡結(jié)構(gòu)Fig.4 The structure of the waveguide to microstrip probetransition
圖5(a)是波導(dǎo)—微帶探針過渡在HFSS中的仿真模型,從圖5(b)的仿真結(jié)果可以看出,該探針結(jié)構(gòu)在43.5~45.5 GHz范圍內(nèi)插入損耗小于0.1 dB,回波損耗優(yōu)于30 dB(2個(gè)端口回波損耗曲線重合),性能指標(biāo)優(yōu)良。
圖5 波導(dǎo)—微帶探針過渡Fig.5 The waveguide to microstrip probetransition
2.1.3 功率合成模塊設(shè)計(jì)
將改進(jìn)型波導(dǎo)E-T結(jié)和波導(dǎo)—微帶探針過渡相結(jié)合,組成了一種新型四路功率分配/合成結(jié)構(gòu),其結(jié)構(gòu)模型如圖6所示。
圖6 四路功率分配/合成結(jié)構(gòu)模型Fig.6 The 3D model of four-way power-dividing/combining structure
經(jīng)軟件仿真,該四路功率分配/合成結(jié)構(gòu)在43.5~45.5 GHz頻率范圍內(nèi),插入損耗小于0.2 dB,回波損耗優(yōu)于20 dB,并具有良好的幅度和相位一致性。
基于微組裝工藝,使用4片國產(chǎn)EHF頻段17 W GaN功放芯片,通過該四路功率分配/合成結(jié)構(gòu)進(jìn)行功率合成,最終實(shí)現(xiàn)了EHF頻段58 W(即47.6 dBm)功率合成模塊,合成效率達(dá)到85%。
上變頻模塊的組成框圖如圖7所示。
圖7 上變頻模塊組成框圖Fig.7 Block diagram of up-converter module
2.2~4.2 GHz的S頻段信號(hào)進(jìn)入上變頻模塊,首先經(jīng)過放大器對(duì)中頻信號(hào)進(jìn)行放大,放大器兩端的π型衰減器用于改善駐波和調(diào)整模塊增益;之后經(jīng)過低通濾波器,與41.3 GHz的本振信號(hào)進(jìn)行混頻,得到43.5~45.5 GHz的EHF頻段信號(hào);EHF頻段信號(hào)經(jīng)過帶通濾波器,以濾除帶外雜散,并經(jīng)過放大器進(jìn)行信號(hào)放大;最后EHF頻段信號(hào)經(jīng)過波導(dǎo)隔離器輸出[17]。
41.3 GHz的單點(diǎn)本振由5.9 GHz七倍頻得到。5.9 GHz頻率是采用取樣鎖相方案得到,鑒相頻率為100 MHz,相位噪聲指標(biāo)優(yōu)良[18]。
EHF頻段40 W GaN發(fā)射機(jī)機(jī)箱采用全密封結(jié)構(gòu),可直接安裝于室外天線上。發(fā)射機(jī)采用模塊化設(shè)計(jì)思路,上變頻模塊、驅(qū)動(dòng)放大器、功率合成模塊、耦合器、檢波器、監(jiān)控單元、電源模塊、電源濾波器和風(fēng)機(jī)都作為一個(gè)模塊獨(dú)立存在,各模塊單獨(dú)調(diào)試和測試完成之后裝入機(jī)箱,通過接插件相互連接,減少了操作環(huán)節(jié),具有操作方便、性能可靠的優(yōu)點(diǎn)。
發(fā)射機(jī)是系統(tǒng)中的大功率設(shè)備,其可靠性在很大程度上依賴于機(jī)箱結(jié)構(gòu)的熱設(shè)計(jì),良好的熱設(shè)計(jì)可以有效地保障發(fā)射機(jī)在惡劣環(huán)境溫度下正常工作;反之,不良的熱設(shè)計(jì)將導(dǎo)致發(fā)射機(jī)內(nèi)部熱量在某一區(qū)域內(nèi)積聚,使個(gè)別關(guān)鍵部件因散熱不暢而失效。熱設(shè)計(jì)的原則就是在熱源及耗散空間之間建立一條低熱阻的通道,使發(fā)射機(jī)產(chǎn)生的熱量在盡可能短的時(shí)間內(nèi)導(dǎo)出,發(fā)射機(jī)能保持在較低溫度的熱平衡狀態(tài)[19]。
結(jié)合熱仿真數(shù)據(jù)和工程經(jīng)驗(yàn),該發(fā)射機(jī)采用強(qiáng)迫對(duì)流方式進(jìn)行散熱,并在兼顧發(fā)射機(jī)體積和重量的條件下,對(duì)影響發(fā)射機(jī)散熱的所有參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化選擇,最終機(jī)箱散熱器材料選用6063-T5變形鋁,功放模塊盒體材料選用無氧銅,芯片載體材料選用金剛石銅,導(dǎo)熱界面材料選用0.15 mm厚的人工石墨均溫片。為了良好地散熱,機(jī)箱還采用先進(jìn)的真空焊接鋁制均溫板技術(shù),并通過仿真優(yōu)化,確定了機(jī)箱散熱翅片的最優(yōu)厚度為1 mm,間隔為3 mm。
最終研制的EHF頻段40 W氮化鎵發(fā)射機(jī)實(shí)物如圖8所示。
圖8 EHF頻段40 W氮化鎵發(fā)射機(jī)實(shí)物Fig.8 Photograph of EHF-band 40 W GaN transmitter
對(duì)EHF頻段40 W GaN發(fā)射機(jī)的各項(xiàng)指標(biāo)進(jìn)行了全面測試,測試結(jié)果如表1所示。
表1 發(fā)射機(jī)指標(biāo)Tab.1 Specifications of the transmitter
測試結(jié)果表明,該發(fā)射機(jī)輸出功率大于40 W,性能指標(biāo)優(yōu)良,整機(jī)體積和重量較小,具有很強(qiáng)的市場競爭力。
提出了一種新型四路功率分配/合成結(jié)構(gòu),基于國產(chǎn)17 W GaN功放芯片,成功研制了EHF頻段40 W GaN發(fā)射機(jī),測試結(jié)果表明該產(chǎn)品性能指標(biāo)優(yōu)良。該發(fā)射機(jī)充分考慮了實(shí)際工程應(yīng)用和產(chǎn)品化設(shè)計(jì),具有體積小、重量輕、散熱好、可靠性高和易于批產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。該發(fā)射機(jī)經(jīng)過高低溫、振動(dòng)、沖擊、淋雨和濕熱等各項(xiàng)環(huán)境試驗(yàn)考核,工作穩(wěn)定可靠。該發(fā)射機(jī)可應(yīng)用于固定站、車載站、艦載站和機(jī)載站等多種衛(wèi)星通信系統(tǒng)站型中,具有廣闊的市場應(yīng)用前景。