韓來輝,楊曉峰
(中國電子科技集團公司第二十七研究所,河南 鄭州 450047)
隨著半導(dǎo)體器件的快速發(fā)展,高功率發(fā)射機作為雷達(dá)、航天測控及電子對抗等系統(tǒng)的重要組成部分,因具有體積小、效率高、工作電壓低、壽命長和可靠性高等優(yōu)勢,固態(tài)發(fā)射機在中低功率逐漸取代了原有的真空管發(fā)射機。但因為固態(tài)放大器單管輸出功率的限制,目前很難滿足高功率輸出的要求,功率合成技術(shù)成為固態(tài)高功率發(fā)射機有效途徑[1-2]。因此研制一種低傳輸損耗、高幅相一致性的高功率合成器成為固態(tài)高功率發(fā)射機的關(guān)鍵。
本文設(shè)計了一種新型徑向波導(dǎo)大功率寬頻帶合成器,該合成器輸入輸出探針采用結(jié)構(gòu)緊湊的圓柱體加載圓錐阻抗?jié)u變的結(jié)構(gòu)形式,有效地解決整個工作頻帶的端口良好阻抗匹配,實現(xiàn)較高的合成效率。
功率合成技術(shù)包含器件級(或芯片級)、電路級和空間功率合成。其中,電路級功率合成多采用二進(jìn)制功率合成和多路徑向功率[3]或者二者結(jié)合的合成方式。多路徑向功率合成器具有傳輸損耗和回波損耗低,體積緊湊等優(yōu)勢,但端口隔離差。四端口二進(jìn)制合成器具有低傳輸損耗、高端口隔離、高功率容量的優(yōu)點,但涉及多級合成相對徑向合成傳輸損耗、體積大[4]。二者在電路功率合成工程應(yīng)用中有著各自的優(yōu)勢,可根據(jù)工程實際應(yīng)用的需求靈活應(yīng)用[5]。
合成器的主要技術(shù)指標(biāo)要求為:
①工作頻段:2.0~2.2 GHz;② 合成效率:≥90%;③ 回波損耗:≤-20 dB;④ 功率容量:≥500 W(CW);⑤ 輸入接口:N-K型;⑥ 輸出接口:標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)BJ22。
S頻段固態(tài)高功放采用多模塊功率合成后需經(jīng)高功率諧波濾波器[6]、接收頻帶噪聲抑制濾波器[7]以及濾波器級間匹配等器件,避讓引入傳輸損耗。同時根據(jù)功放輸入、輸出接口形式要求,需要考慮設(shè)備成本,兼顧輸出功率一定的余量。
1.2.1 四路功率合成方案
現(xiàn)有S頻段400 W固態(tài)功放采用4路徑向功率合成器合成方式,合成器接口形式為:輸入N型陰頭,輸出為IF70Q。通過4個150 W固態(tài)功率放大模塊合成輸出功率大于532 W(57.26 dBm),因合成器輸出接口為IF70Q,依據(jù)任務(wù)書發(fā)射機機輸出接口為標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)BJ22,同時合成器輸出功率大于500 W(CW),濾波組件和隔離器采用波導(dǎo)形式因此合成器需連接波導(dǎo)轉(zhuǎn)同軸(IF70Q/BJ22轉(zhuǎn)換),經(jīng)過理論計算和工程驗證滿足設(shè)計要求,如圖1所示。其中4路徑向合成器仿真模型如圖2(a)所示,傳輸損耗、回波損耗仿真結(jié)果如圖2(b)所示。
圖1 4路功率合成發(fā)射機增益分配Fig.1 Gain distribution diagram of 4-way power synthesis transmitter
(a)4路徑向功率合成器模型
(b)功率合成器的仿真結(jié)果
1.2.2 三路功率合成方案
基于功率放大器通過芯片級合成可實現(xiàn)輸出連續(xù)波功率大于200 W的現(xiàn)狀,S頻段400 W固態(tài)功放擬采用3路徑向大功率合成方式,同時根據(jù)整機輸出接口、濾波組件、隔合成器接口,合成器輸出接口形式為波導(dǎo)BJ22。通過3個200 W固態(tài)功率放大模塊合成輸出功率大于512 W(57.1 dBm),合成后經(jīng)過濾波組件和隔離器,經(jīng)過理論計算滿足設(shè)計要求,如圖3所示。
圖3 3路功率合成發(fā)射機增益分配Fig.3 Gain distribution diagram of 3-way power synthesis transmitter
綜上所述:以上2種方案均能實現(xiàn)工程需要,結(jié)合功率放大器輸出功率、整機輸出接口形式的需要,減少傳輸饋線復(fù)雜度、損耗和設(shè)備成本的實際情況,擬采用3路徑向合成方案。
徑向功率合成器主要由圓柱形波導(dǎo)腔、輸出加載中心探針、輸入加載外圍探針和加載介質(zhì)組成,可用rφz極坐標(biāo)來描述,波導(dǎo)橫截面為φz,r為信號傳輸方向,b為波導(dǎo)腔的高度,如圖4(a)和圖4(b)所示。
圖4 徑向波導(dǎo)結(jié)構(gòu)Fig.4 Radial waveguide structure
利用電磁場對徑向合成器求解,假設(shè)圓柱形波導(dǎo)腔壁為理想導(dǎo)體,介電常數(shù)為ε和磁導(dǎo)率為μ理想介質(zhì)[8]。其波函數(shù)滿足的亥姆霍茲方程:
在徑向波導(dǎo)中的E模中,當(dāng)m=n=0時(主模TEM模),由上述TEM波的解的電磁分量為:
由上式得,徑向波導(dǎo)的TEM模電場僅有沿z方向上的分量,在半徑r圓周上的電場相同;φ方向的只有磁場分量,在半徑為r的圓周上磁場相同,方向在圓周切向上[9]。因此,徑向波導(dǎo)TEM模的電磁場軸向?qū)ΨQ性,為功率合成微波網(wǎng)絡(luò)提供了理論依據(jù)。
根據(jù)比爾科夫斯基分析結(jié)論[10]、工作頻率和電磁場理論可得到徑向功率合成器結(jié)構(gòu)件初始參數(shù)值,徑向波導(dǎo)腔體高度h1小于1/2中心工作頻率波長;輸入加載探針之間的距離L約為1/2中心工作頻率波長,輸入加載探針圍繞徑向波導(dǎo)腔中心以半徑r均勻分布,輸入加載探針的結(jié)構(gòu)形式、尺寸一致[11];輸入加載探針距離腔體內(nèi)壁的距離h2約為1/4中心工作頻率波長。輸入輸出探針加載方式主要有:圓錐體加載、縫隙饋電圓盤加載、圓盤加載、絕緣材料加載等,探針加載形式根據(jù)功率合成器的工作頻率、帶寬、傳輸和回波損耗等技術(shù)指標(biāo)要求來選擇。
矩形波導(dǎo)同軸轉(zhuǎn)換[12]由矩形波導(dǎo)腔體、加載探針、加載介質(zhì)以及匹配結(jié)構(gòu)等組成。
矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)同軸根據(jù)電磁場理論可確定加載探針距離波導(dǎo)短路面約為1/4中心工作頻率,輸入探針加載方式同徑向合成器探針加載方式,通過調(diào)整探針的插入波導(dǎo)內(nèi)部的深度h、探針加載形狀及距離波導(dǎo)短路面的距離L實現(xiàn)傳輸線工作頻段內(nèi)良好匹配,實現(xiàn)矩形波導(dǎo)TE10模式與同軸TEM波模式的轉(zhuǎn)換。
依據(jù)徑向功率合成器和波導(dǎo)同軸轉(zhuǎn)換的結(jié)構(gòu)形式,輸入為N型接口,輸入加載探針采用錐形加圓柱形式,輸出為BJ22標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)[13]。在電磁仿真軟件Ansys HFSS[14]中建立徑向合成器的模型,模型如圖5(a)所示。結(jié)合機械加工實際情況進(jìn)行了仿真并對具體參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計,實現(xiàn)了整個工作頻段內(nèi)良好匹配,仿真結(jié)果表明:該徑向功率合成器在工作頻段2~2.2 GHz內(nèi),回波損耗優(yōu)于-23 dB,傳輸系數(shù)優(yōu)于-4.8 dB。仿真模型和仿真結(jié)果如圖5(b)所示,常溫常壓下空氣中擊穿電場強度約為30 kV/cm[15],對徑向功率合成器輸入端輸入功率設(shè)置200 W,腔體內(nèi)電場強度仿真結(jié)果和相位仿真如圖6所示,內(nèi)部場強最大僅為0.56 kV/cm,不會出現(xiàn)腔體內(nèi)部打火的現(xiàn)象,滿足工程設(shè)計要求。
圖5 3路徑向合成器模型及仿真結(jié)果Fig.5 3-way radial combiner model and simulation results
圖6 徑向功率合成器的場強仿真結(jié)果Fig.6 Simulation results of field strength of radial power synthesizer
依據(jù)工程研制的需要,結(jié)合固態(tài)功放末級管輸出功率的現(xiàn)狀,基于三維電磁仿真軟件Ansys HFSS對徑向功率合成建模,輸入接口為N型、輸出接口為標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)BJ22,實現(xiàn)了大功率徑向功率合成器和波導(dǎo)轉(zhuǎn)換的一體化設(shè)計,有效地改善了復(fù)雜的饋線系統(tǒng)。根據(jù)仿真結(jié)果對該款大功率徑向合成器進(jìn)行了機械加工,通過簡單的機械裝配和合理的公差配合,并對其進(jìn)行了測試,在設(shè)計的工作頻段范圍內(nèi),獲得了優(yōu)良的傳輸、回波損耗以及幅相一致性,同時該款大功率徑向功率合成器為后續(xù)研制S頻段功放設(shè)備打下了技術(shù)基礎(chǔ),同時為多路功率合成和其他頻段功放設(shè)備功率合成提供了參考和借鑒。