曾永福,葛 逾
(中國電子科技集團(tuán)公司第三十四研究所,廣西 桂林 541004)
低溫共燒陶瓷(Low Temperature Co_fired Ceramic, LTCC)技術(shù)是將LTCC 生瓷帶進(jìn)行多層加工,并在900 ℃以下燒結(jié)制成高密度多層印制電路板的技術(shù)[1]。LTCC 基板具有集成度高、高頻高速性能好、響應(yīng)快、生產(chǎn)成本低以及周期短等優(yōu)點(diǎn),可被靈活應(yīng)用于自動(dòng)化程度較高的大批量生產(chǎn)。另外,LTCC電路板還可以采用共燒技術(shù)在LTCC 基板內(nèi)部形成電阻、電容、電感等無源元件,由此實(shí)現(xiàn)電感、電容及電阻的全部內(nèi)埋。尤其是帶腔體結(jié)構(gòu)的基板產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用,對(duì)實(shí)現(xiàn)封裝高密度化、高性能化以及對(duì)產(chǎn)品的小型化和高性價(jià)比非常有效。由于它具有諸多優(yōu)點(diǎn),LTCC 技術(shù)已成為制造高速高頻器件、小型化模塊等的重要技術(shù),甚至有取代傳統(tǒng)PCB 板技術(shù)的趨勢(shì)。
數(shù)字光模塊是目前數(shù)字光通信領(lǐng)域非常重要的光電器件。隨著電信業(yè)務(wù)的發(fā)展,骨干網(wǎng)、城域網(wǎng)、接入網(wǎng)等設(shè)備的光接口,對(duì)光模塊的速度要求越來越高。與之相關(guān),對(duì)于光模塊設(shè)計(jì)開發(fā)人員而言,需要在傳輸速度、模塊尺寸、功耗、可靠性和性價(jià)比等多方面尋求平衡。本文主要以電路印制板為著眼點(diǎn),提出了一種基于LTCC 基板的光模塊設(shè)計(jì)方案,并對(duì)其進(jìn)行了性能測試。
LTCC 技術(shù)是20 世紀(jì)80 年代中期美國首先提出的集互聯(lián)、無源元件和封裝于一體的多層陶瓷制造技術(shù)。近年來,它已發(fā)展為令人矚目的整合組件技術(shù),吸引了許多研究者,成為無源組件集成的主流技術(shù),是無源元件領(lǐng)域的發(fā)展方向和新的元件產(chǎn)業(yè)的經(jīng)濟(jì)增長點(diǎn)。
LTCC 是將低溫?zé)Y(jié)的陶瓷材料制作成陶瓷生帶,然后采用絲網(wǎng)印刷、微孔注漿、噴墨打印以及激光打孔等工藝方法,將設(shè)計(jì)好的電路圖形印刷在生瓷帶上,再將多層生瓷帶進(jìn)行疊壓,在低溫下進(jìn)行燒結(jié)制得高密度電路的制造技術(shù)[2]。該技術(shù)的內(nèi)外電極通常使用銅、銀、金等高導(dǎo)電金屬,其燒結(jié)溫度需要低于選用的導(dǎo)電金屬的熔點(diǎn),因此通常的燒結(jié)溫度低于900 ℃[1]。LTCC 技術(shù)還可將多個(gè)無源器件或組件(如電阻器、電容器、電感器、濾波器等)置入到多層陶瓷基板中,燒結(jié)制得具有更高復(fù)雜性和集成度的電路或電路基板,并在此基礎(chǔ)上將基板表面貼裝集成電路或其他有源器件,制造各種無源或有源集成的功能模塊,進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)電路的小型化和集成化。
LTCC 技術(shù)制造流程較為復(fù)雜,基本流程包括原料制備、落料沖孔、線路印刷、層疊壓以及低溫?zé)Y(jié)等[3]。
與傳統(tǒng)印刷樹脂板相比,LTCC 有許多優(yōu)點(diǎn):(1)LTCC 材料具有良好的高速、高頻傳輸以及寬通帶特性,根據(jù)配料的不同,陶瓷材料的介電常數(shù)變化范圍較大、較靈活,可以得到高品質(zhì)因數(shù)的電路系統(tǒng),也增加了電路設(shè)計(jì)的靈活性;(2)低溫共燒陶瓷基板容易內(nèi)置無源元件,既可以縮小電路尺寸,也可以減小寄生電感等寄生參數(shù),有利于器件小型化和集成化設(shè)計(jì),較大程度地降低了成本;(3)LTCC 材料的高頻特性更好,LTCC 技術(shù)制備的陶瓷基板介電損耗要比樹脂材料的介電損耗小,其介電損耗是用以制作印刷電路板的FR4 材料的1/3,與樹脂印刷電路板相比,低溫共燒陶瓷更適合于高頻應(yīng)用;(4)LTCC 生產(chǎn)工藝易于在成品前檢查各個(gè)環(huán)節(jié)的質(zhì)量,提高成品率,縮短生產(chǎn)周期;(5)LTCC 材料導(dǎo)熱性更好,同時(shí)具有與半導(dǎo)體材料能夠匹配的熱膨脹系數(shù),可以減小集成電路等貼裝時(shí)與基板的熱應(yīng)力,使得可靠性更高[4]。
數(shù)字光模塊主要由發(fā)射部分和接收部分組成,也可以由發(fā)射部分或接收部分獨(dú)立構(gòu)成數(shù)字光發(fā)射模塊或數(shù)字光接收模塊。組成框圖如圖1 所示,發(fā)射部分由激光器、激光器驅(qū)動(dòng)電路以及接口電路組成。輸入的用戶信號(hào)經(jīng)過接口電路處理后用于調(diào)制激光器,激光器經(jīng)過調(diào)制后完成電光轉(zhuǎn)換,從而生成調(diào)制光信號(hào)進(jìn)行傳輸。
圖1 數(shù)字光模塊組成
接收部分由光電探測器、前置放大器和主放大器組成。從光纖傳輸過來的調(diào)制光信號(hào)經(jīng)過光電探測器監(jiān)測可生成微弱的光電流即電信號(hào)。該微弱電信號(hào)經(jīng)過前置放大器和主放大器放大后,信號(hào)幅度適中,然后經(jīng)過接口電路處理后傳送給用戶。由于探測器生成的光電流極其微弱,因此目前通常的器件廠商已將前置放大器和光電探測器封裝在一起,便于信號(hào)的放大和光模塊的設(shè)計(jì)。
數(shù)字光模塊實(shí)現(xiàn)通信的原理是利用激光器的開關(guān)狀態(tài)(即有光/無光)來表征信號(hào)的高低電平,利用探測器對(duì)光信號(hào)開關(guān)狀態(tài)(即有無光電流)的監(jiān)測還原信號(hào)的高低電平。激光器發(fā)光需要一定的電流條件,稱之為閾值電流。當(dāng)激光器驅(qū)動(dòng)電流大于閾值電流時(shí),激光器發(fā)光;反之,當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流小于閾值電流時(shí),激光器不發(fā)光或發(fā)極其微弱的光。數(shù)字光通信中,采用有光和無光分別代表“1”“0”電平。數(shù)字光模塊的功能就是能夠在數(shù)字電信號(hào)“1”“0”電平的調(diào)制下,驅(qū)動(dòng)激光器進(jìn)行有光和無光的操作,從而完成電信號(hào)的光調(diào)制。在接收部分,通過探測器生成光電流并進(jìn)行多級(jí)放大后,與門限電平進(jìn)行比較,低于門限電平判為“0”,高于門限電平判為“1”,完成光調(diào)制信號(hào)的解調(diào)。
前面已介紹了光模塊的發(fā)射部分是由驅(qū)動(dòng)電路、激光器和接口電路組成,其中驅(qū)動(dòng)電路和激光器是核心。
數(shù)字光模塊使用的激光器有很多種,如發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)和半導(dǎo)體激光器(Laser Diode,LD)等。LED 發(fā)射的不是激光而是輻射光,光譜范圍很寬,發(fā)光效率低,輸出功率小,一般應(yīng)用在低速領(lǐng)域?,F(xiàn)代光通信大多使用的是半導(dǎo)體激光器。半導(dǎo)體激光器根據(jù)它的工作模式又可以分為多縱模激光器和單縱模激光器。常用的法布里-帕羅(Fabry-Perot,F(xiàn)P)激光器屬于多縱模激光器。單縱模激光器有分布反饋式(Distributed Feedback Laser,DFB)激光器、多量子阱(Multi Quantum Well,MQW)激光器、波長可調(diào)諧激光器以及垂直腔表面發(fā)射激光器(Vertical Carity Surface Emitting Laser,VCSEL)等,各有特點(diǎn)。本次設(shè)計(jì)選用的是性價(jià)比更高的1 310 nm 波長的FP 激光器。
驅(qū)動(dòng)電路的好壞決定著光模塊功能和性能能否滿足設(shè)計(jì)要求。目前,國內(nèi)外有許多集成電路芯片專為激光器驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),且功能較完善,非常適合光模塊的小型化設(shè)計(jì)。圖2 是MAXIM 公司的一款速率可到2.7 Gb/s 的激光器驅(qū)動(dòng)芯片(max3735)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理框圖。該驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部集成有激光器驅(qū)動(dòng)偏置電路、自動(dòng)功率控制電路以及電流檢測、輸入禁用、失效告警等安全電路。本設(shè)計(jì)的激光器驅(qū)動(dòng)電路以該芯片為核心構(gòu)成[5]。驅(qū)動(dòng)電路采用電阻上拉式差分驅(qū)動(dòng),使用交流耦合輸出,以提供背向匹配和更大的調(diào)制電流。
圖2 激光器驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部功能框
接收部分主要由探測器、前置放大器、主放大器和接口電路組成。
光模塊中使用的光電探測器利用半導(dǎo)體光電效應(yīng)制成。所謂光電效應(yīng)是指一定波長的光照射到半導(dǎo)體的PN 結(jié)時(shí),價(jià)帶上的電子吸收光子能量而躍遷到導(dǎo)帶,使導(dǎo)帶中有了電子,價(jià)帶中有了空穴,從而使P-N 結(jié)產(chǎn)生光生載流子的現(xiàn)象。在信號(hào)的光傳輸鏈路中,探測器是光接收機(jī)的核心器件。常用的光探測器主要有PIN 光電二極管和雪崩光電二極管(Avalanche Photo Diode,APD)。PIN 光電二極管使用簡單,工作偏壓低,對(duì)溫度不敏感,對(duì)電源要求較低,但是靈敏度一般;而APD 管則由于內(nèi)部雪崩倍增效應(yīng),具有很高的內(nèi)部增益,可以具有優(yōu)秀的靈敏度表現(xiàn),但是需要很高的工作偏壓,且對(duì)溫度敏感,需要溫度補(bǔ)償電路。本設(shè)計(jì)中的探測器選用PIN 管。
放大器電路中,主放大器選用MAXIM 公司的專用限幅放大器集成電路MAX3747B。內(nèi)部主要由三級(jí)構(gòu)成,分別是輸入級(jí)、多級(jí)放大器和輸出緩沖級(jí)。主放大器具有可編程信號(hào)丟失檢測和可選擇的禁用功能,兩種功能可以結(jié)合使用,以達(dá)到信號(hào)抑制的作用。在輸入級(jí)附加有偏移校正回路,在 3.2 kHz 低頻截止。多級(jí)放大器增益約為61 dB。它的輸出緩沖級(jí)有較高的阻抗不匹配寬容度,輸出電壓穩(wěn)定為800 mVp-p[6]。
前置放大器一般選用跨阻放大器,且與探測器集成在一起。
根據(jù)前述選擇的各部分器件以及電路進(jìn)行原理圖設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)好的局部電路圖如圖3 和圖4 所示。
設(shè)計(jì)中,電路基板采用LTCC 基板。由于LTCC基板的脆性,易折斷。為了預(yù)防基板在調(diào)試組裝過程中過度損耗,在樣板試制時(shí)共制作基板20 塊。
LTCC 電路板實(shí)物圖如圖5 所示。
圖3 驅(qū)動(dòng)電路原理
圖4 主放大器原理
圖5 TLCC 電路板實(shí)物(頂層局部)
將電路板的元器件裝配好,參數(shù)調(diào)試結(jié)束后對(duì)其進(jìn)行指標(biāo)測試,測試數(shù)據(jù)見表1。
表1 LTCC 基板光模塊測試記錄表
發(fā)射光信號(hào)眼圖測試結(jié)果如圖6 所示。
圖6 光模塊發(fā)射光信號(hào)眼圖
通過對(duì)LTCC 基板的數(shù)字光模塊樣件的性能指標(biāo)進(jìn)行測試,其性能指標(biāo)滿足設(shè)計(jì)要求,驗(yàn)證了本文提出的基于LTCC 基板的數(shù)字光模塊設(shè)計(jì)方案的可行性。同時(shí),設(shè)計(jì)中沒有對(duì)分立無源器件進(jìn)行內(nèi)置共燒處理,所以模塊尺寸相較于傳統(tǒng)電路板工藝的光模塊并沒有太大優(yōu)化。在后續(xù)研究中,筆者將對(duì)分立器件與基板共燒的工藝進(jìn)行驗(yàn)證,以期在后續(xù)光模塊的超小型化設(shè)計(jì)中使用,并在傳輸速度、模塊尺寸、功耗、可靠性和性價(jià)比等方面與傳統(tǒng)工藝光模塊進(jìn)行對(duì)比,以進(jìn)一步研究驗(yàn)證LTCC 基板在數(shù)字光模塊設(shè)計(jì)中的應(yīng)用前景。