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        制備工藝對(duì)重晶石-硼硅酸鹽玻璃陶瓷結(jié)構(gòu)及性能的影響

        2020-05-19 00:13:40楊遠(yuǎn)波張海洋
        硅酸鹽通報(bào) 2020年4期
        關(guān)鍵詞:工藝

        雷 杰,吳 浪,江 楓,楊遠(yuǎn)波,張海洋,康 澤

        (西南科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,綿陽(yáng) 621010)

        0 引 言

        高放廢液(High Level Liquid Waste,HLLW)主要來(lái)自乏燃料后處理過(guò)程中鈾钚共去污循環(huán)產(chǎn)生的萃余液[1],具有放射性強(qiáng)、半衰期長(zhǎng)、釋熱量高等特點(diǎn),對(duì)生物圈造成了極大的威脅。因此,HLLW的安全處理和處置受到世界各國(guó)的高度關(guān)注。硼硅酸鹽玻璃因具有良好的抗輻照、化學(xué)穩(wěn)定性和耐水性等,是包括中國(guó)在內(nèi)的很多國(guó)家固化高放廢液的首選玻璃固化材料[2-4]。

        在含硫的礦物中,重晶石(BaSO4)礦物的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性最高[11-14]。課題組前期研究結(jié)果表明[15],在模擬廢液中加入Ba(NO3)2溶液,模擬廢液中的Na2SO4會(huì)與Ba(NO3)2反應(yīng)生成BaSO4。因此,實(shí)驗(yàn)中采用BaSO4代替Na2SO4引入硫。當(dāng)BaSO4摻量較高(SO3≥5wt%)時(shí),玻璃陶瓷體內(nèi)存在未完全溶解的BaSO4晶體,對(duì)硫酸鹽具有較高的包容量。值得注意的是,該研究中是將基礎(chǔ)玻璃原料與模擬廢物氧化物直接混合熔制獲得玻璃陶瓷固化體。而工業(yè)生產(chǎn)中是先制得硼硅酸鹽玻璃球,再與模擬廢液混合熔制獲得硼硅酸鹽玻璃固化體。王孝強(qiáng)等[6]的研究表明,玻璃固化體樣品的準(zhǔn)備方式對(duì)玻璃包容硫的能力有顯著影響。

        由于共存物相和實(shí)驗(yàn)條件對(duì)硫酸鹽的分解溫度影響較大[16],因此,本文擬采用工藝A(將基礎(chǔ)玻璃原料與BaSO4直接混合熔制)、工藝B(將基礎(chǔ)玻璃原料煅燒后再與BaSO4混合熔制)和工藝C(先制得玻璃再與BaSO4混合熔制)分別制備玻璃陶瓷固化體,根據(jù)固化體的物相組成、顯微結(jié)構(gòu)、硫含量以及抗浸出性能等實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)比,篩選出較佳的熔制工藝,為含硫高放廢液的固化提供技術(shù)參考和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)支撐。

        1 實(shí) 驗(yàn)

        1.1 樣品制備

        用分析純的化學(xué)試劑SiO2、H3BO3、Na2CO3、Li2CO3、Al2O3、CaCO3、TiO2、MgO、BaSO4為原料,采用熔融法制備重晶石-玻璃陶瓷固化體。根據(jù)文獻(xiàn)[15]選擇硫酸鹽包容硫含量較高(~2.17wt%,以SO3計(jì))的玻璃配方作為本實(shí)驗(yàn)的研究配方,玻璃中各氧化物含量分別為:SiO2,56.21wt%;B2O3,20.68wt%;Na2O,4.7wt%;Li2O,2.16wt%;Al2O3,3.29wt%;CaO,5.08wt%;TiO2,0.94wt%;MgO,0.94wt%;SO3,6wt%。SO3以BaSO4的形式引入。根據(jù)配比稱取原料,在瑪瑙研缽中充分混合均勻。將混合物利用不同工藝在高溫下熔融制得重晶石-玻璃陶瓷固化體,隨后在馬弗爐中退火1 h。不同工藝的制備條件為:

        (1)工藝A:將基礎(chǔ)玻璃原料直接與BaSO4混合,在750 ℃下煅燒2 h,然后在1 200 ℃下熔融3 h,所得樣品稱為樣品A;

        (2)工藝B:將基礎(chǔ)玻璃原料在750 ℃下煅燒2 h,再與BaSO4混合,在1 200 ℃熔融3 h,所得樣品稱為樣品B;

        (3)工藝C:先將基礎(chǔ)玻璃原料在750 ℃下煅燒2 h,再升到1 200 ℃熔融3 h,熔制成玻璃,再與BaSO4混合,1 200 ℃下熔融3 h,所得樣品稱為樣品C。

        1.2 樣品表征

        用DMAX1400型X射線衍射儀(X-ray Diffractometer,XRD)分析樣品的物相組成。將樣品打磨、拋光、超聲清洗后,用EVO 18型掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,SEM)以及Oxford IE450X-Max80能譜儀(Energy Disperse Spectroscopy,EDS)分析樣品斷面的微觀形貌及成分。采用STA449F5同步熱分析儀(Synchronous Thermal Analyzer,TG-DSC),以20 ℃/min的升溫速率在N2氣氛下從室溫升到1 200 ℃,分析不同樣品的質(zhì)量損失情況。用Axios型X射線熒光光譜儀(X-ray Fluorescence Spectrometer,XRF)分析樣品中SO3的含量。采用阿基米德排水法測(cè)定玻璃陶瓷的體積密度。用Nicolet-5700傅里葉紅外吸收光譜儀(Infrared Absorption Spectrometer,F(xiàn)TIR)進(jìn)行紅外光譜測(cè)試。

        1.3 抗浸出性能測(cè)試

        (1)

        式中:LRi為固化體中元素i的歸一化浸出率,g·m-2·d-1;Ci為浸出液中元素i的質(zhì)量濃度,g/m3;S為固體顆粒表面積之和;V為浸出液的體積,按標(biāo)準(zhǔn)S/V取為2 000 m-1;fi為樣品中元素i所占的質(zhì)量分?jǐn)?shù);Δt為間隔時(shí)間,d。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 樣品的物相組成和顯微結(jié)構(gòu)

        圖1是不同工藝制備樣品的外觀照片。由圖1可知,樣品中均存在白色晶體,其中樣品A和樣品B中晶體較少,與文獻(xiàn)[15]獲得的樣品相似,白色晶體主要分布在玻璃基體表面,樣品C表面和內(nèi)部均存在較多的白色晶體。圖2是不同工藝制備樣品的XRD譜。由圖2可知,樣品中均檢測(cè)到了BaSO4晶相(PDF No.76-0213),其中樣品A和樣品B的衍射峰強(qiáng)度較弱,樣品C的衍射峰強(qiáng)度較強(qiáng),表明工藝C制得的樣品中BaSO4晶體含量較高,與圖1樣品外觀照片分析結(jié)果一致。

        圖1 不同工藝制備樣品的外觀照片F(xiàn)ig.1 Appearance of different process samples

        圖2 不同工藝制備樣品的XRD譜Fig.2 XRD patterns of different process samples

        圖3(a)~(c)分別是樣品A、樣品B和樣品C斷面的背散射(BSE)照片(200倍),圖3(d)顯示了樣品C的局部放大BSE照片(2 000倍)。由圖3(a)~(c)可知,樣品A與樣品B的晶體含量接近,分布較少。而樣品C中晶體含量明顯增多,分布密集。從圖3(d)可以看出,樣品C中晶體上有很多微孔,晶體與玻璃的界面附近存在明顯的孔隙。圖3(e)和圖3(f)分別是樣品C中的A點(diǎn)晶相和B點(diǎn)玻璃相的EDS譜。由圖3(e)可知,A點(diǎn)主要由Ba、S和O元素組成,原子比例分別為19.10%、18.42%、62.48%,比值約為1.04∶1∶3.39。結(jié)合XRD分析結(jié)果可知,該白色晶體為BaSO4。圖3(f)顯示B點(diǎn)主要由Si、Na、Al、Ca和Ti元素組成,還含有少量Ba元素,表明部分BaSO4可能在高溫下分解生成了BaO,成為網(wǎng)絡(luò)修飾體進(jìn)入了玻璃基體。

        圖3 不同工藝制備樣品斷面的BSE照片和EDS譜Fig.3 BSE images and EDS spectra of sample sections prepared by different processes

        圖4是不同工藝制備樣品的紅外吸收光譜。由圖4可知,紅外光譜中主要有4個(gè)特征峰,波數(shù)為466 cm-1附近處的吸收峰為[SiO4]中Si-O-Si的彎曲振動(dòng)峰,611 cm-1處為[BO4]中B-O-B的振動(dòng)吸收峰,1 086 cm-1附近處為[SiO4]中Si-O-Si反對(duì)稱伸縮振動(dòng)峰和[BO4]中B-O-B的反對(duì)稱伸縮振動(dòng)峰的合峰,1 385 cm-1處為[BO3]中B-O-B的反對(duì)稱伸縮振動(dòng)峰[17-19]。相對(duì)于樣品C,樣品A與樣品B的紅外曲線相似,611 cm-1處[BO4]中B-O-B的振動(dòng)吸收峰顯著減弱,說(shuō)明[BO4]含量減少。

        圖4 不同工藝制備樣品的紅外吸收光譜Fig.4 FTIR spectra of different process samples

        圖5是不同工藝制備樣品在800~1 300 cm-1波段的分峰圖??梢钥吹较鄬?duì)于樣品C,樣品A和樣品B在波數(shù)為1 100 cm-1附近對(duì)應(yīng)[BO4]中B-O-B的反對(duì)稱伸縮振動(dòng)峰有所減弱,也說(shuō)明[BO4]含量減少。這可能是由于樣品A與樣品B在熔制過(guò)程中BaSO4分解相對(duì)較多,生成的BaO作為網(wǎng)絡(luò)修飾體進(jìn)入玻璃基體,非橋氧的增加導(dǎo)致[BO4]出現(xiàn)部分解體,使[BO4]含量減少,[BO3]相應(yīng)增加[20-22]。上述結(jié)果表明,樣品A和樣品B的[BO4]/[BO3]比值較低,玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)疏松,密度較小[23-24]。另一方面,樣品C中BaSO4晶體較多,BaSO4的密度較高(~4.5 g/cm3),應(yīng)具有較高的密度;而通過(guò)阿基米德排水法測(cè)得樣品A、樣品B和樣品C的體積密度基本相同,分別為2.55 g/cm3、2.53 g/cm3和2.54 g/cm3,表明樣品C不夠致密,這與BSE分析結(jié)果一致。

        圖5 不同工藝制備樣品在800~1 300 cm-1波段處紅外分峰光譜Fig.5 Infrared peak splitting spectra of different process samples at of 800-1 300 cm-1 band

        2.2 樣品的硫含量及差熱分析

        樣品A中硫含量為2.04wt%(以SO3計(jì)),樣品B為2.19wt%,樣品C為4.45wt%。樣品A與樣品B的硫含量相差不大,而樣品C中的硫含量達(dá)4.45wt%,這是因?yàn)闃悠稢中BaSO4較多,而S元素基本保留在BaSO4中。此外,在不同工藝制備的樣品中的硫含量都低于原始硫的加入量,說(shuō)明在熔融過(guò)程中部分BaSO4發(fā)生了分解,導(dǎo)致硫含量降低,這與圖3的BSE-EDS分析結(jié)果一致。

        圖6為不同工藝制備樣品的TG曲線。由圖可知,樣品A的TG曲線在100~200 ℃之間下降,主要為硼酸的分解,500~730 ℃之間主要為碳酸鹽的分解,730 ℃以后TG曲線基本平穩(wěn),說(shuō)明碳酸鹽已經(jīng)分解完全。在860~1 200 ℃的溫度范圍內(nèi),樣品A、樣品B和樣品C的質(zhì)量損失率分別為1.876%、1.610% 和1.434%。在此溫度范圍內(nèi)的質(zhì)量損失可認(rèn)為主要是樣品中Na、B、Li等元素的揮發(fā)以及BaSO4的分解,其中樣品C的質(zhì)量損失率最小,可能是因?yàn)闃悠稢中BaSO4分解最少,從而導(dǎo)致玻璃陶瓷體內(nèi)BaSO4含量最高,這與XRF分析結(jié)果一致。

        2.3 樣品的抗浸出性能

        圖7 不同工藝制備樣品中Na、B、Si元素和的歸一化浸出率Fig.7 Normalized leaching rates of Na, B, Si and of different process samples

        3 結(jié) 論

        (1)工藝A和工藝B對(duì)玻璃陶瓷結(jié)構(gòu)和性能影響不大,工藝C制得的樣品體內(nèi)BaSO4含量較高,包容硫含量高達(dá)4.45wt%(以SO3計(jì))。

        (2)樣品中未溶解的BaSO4晶體存在大量微孔,樣品C致密度較低。

        (3)樣品C的Na、B、Si元素初始浸出速率較高,在28 d后歸一化浸出率較低(~10-2g·m-2·d-1),抗浸出性能較好。

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