彭練矛，男，1962年9月生，湖南平江人，1982年畢業(yè)于北京大學無線電電子學系，1988年在美國獲物理學博士學位。北京大學信息科學技術學院教授，博士生導師。2019年11月，當選為中國科學院院士。

彭練矛的主要研究領域為電子顯微學和碳基電子學。在電子顯微學領域，發(fā)展了可以精確處理一般材料體系反射和透射電子衍射、彈性和非彈性電子散射的理論框架;建立了確定材料結(jié)構所需的重要參數(shù)庫。在碳基電子學領域，發(fā)展形成了整套碳基CMOS集成電路無摻雜制備新技術。采用不同功函數(shù)的金屬作為電極，實現(xiàn)了碳管理想的歐姆接觸，解決了制備性能超越硅基晶體管的碳管CMOS晶體管這一世界難題;利用釔可與碳納米結(jié)構形成完美浸潤，獲得了高質(zhì)量的超薄氧化釔柵介質(zhì)層。在此基礎上，首次制備出性能接近理論極限、柵長僅5納米的碳管晶體管，綜合性能超過硅基器件十余倍。

相關研究分別獲得2010年度和2016年度國家自然科學獎二等獎，2017年獲全國創(chuàng)新爭先獎，2018年獲何梁何利基金獎。