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        多線(xiàn)圈薄板電磁加熱的均勻性及可控性

        2020-05-12 13:47:38王宏民劉燕鑫許家忠
        關(guān)鍵詞:電流強(qiáng)度矩陣式表面溫度

        王宏民 劉燕鑫 許家忠

        (哈爾濱理工大學(xué),哈爾濱,150080)

        隨著電磁感應(yīng)加熱技術(shù)的日趨成熟,此技術(shù)在工業(yè)、商業(yè)、生活中都得到廣泛的應(yīng)用,目前,加熱物體的熱均勻性主要靠自身熱傳遞以及熱輻射完成[1],但當(dāng)加熱板為薄板時(shí),加熱板自身的導(dǎo)熱性大大降低,導(dǎo)致加熱板的熱均勻度變差以及加熱板溫度難以控制。

        針對(duì)電磁加熱溫度均勻性與可控性問(wèn)題,孫彬彬等[2]提出了雙線(xiàn)圈平板加熱裝置,并從電流和頻率方面研究溫度的提升速度;余露等[3]從電流密度載荷以及頻率影響因素對(duì)平板硫化機(jī)熱板表面溫度場(chǎng)的均勻性進(jìn)行了分析,結(jié)果表明,電流密度以及頻率對(duì)硫化機(jī)加熱板的均勻性有不同的影響;張思彥等[4]提出了一種七線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)電磁爐加熱裝置,通過(guò)與單一線(xiàn)圈作對(duì)比使單一線(xiàn)圈存在的溫度死區(qū)現(xiàn)象得到改善。以上均從不同角度對(duì)加熱板的受熱均勻性以及溫度提升問(wèn)題做了不同的分析,但目前,很少有對(duì)5 mm以下的加熱薄板熱均勻性與可控性問(wèn)題做深入研究。本文主要針對(duì)薄板建立矩陣式多線(xiàn)圈電磁加熱模型,通過(guò)對(duì)參數(shù)優(yōu)化構(gòu)建電磁加熱模型,并將構(gòu)建的矩陣式多線(xiàn)圈加熱模型導(dǎo)入ANSYS軟件中的Workbench模塊進(jìn)行溫度場(chǎng)瞬態(tài)求解,分析流過(guò)矩陣式多線(xiàn)圈中的電流強(qiáng)度與相鄰線(xiàn)圈間距離對(duì)薄板溫度均勻性影響、氣隙長(zhǎng)度與頻率對(duì)溫度的可控性影響。

        1 數(shù)學(xué)模型的構(gòu)建

        1.1 電磁場(chǎng)有限元計(jì)算數(shù)學(xué)建模

        電磁場(chǎng)宏觀(guān)規(guī)律的描述,主要是對(duì)麥克斯韋方程組進(jìn)行研究,

        (1)

        式中:E、B、H、D、J、ρ,均為位置r與時(shí)間t的時(shí)變函數(shù);E(r,t)為電場(chǎng)強(qiáng)度;D(r,t)為電位移;H(r,t)為磁場(chǎng)強(qiáng)度;B(r,t)為磁通量密度;J(r,t)為傳導(dǎo)電流密度;ρ(r,t)為電荷密度;為梯度算子。引入矢量磁勢(shì)(A)和標(biāo)量電勢(shì)(φ)與電勢(shì)得定義[5]:

        (2)

        將式(2)中的B和J帶入式(1)得磁勢(shì)方程:

        (1/μ)(×A)=-σ(?A/?t)+J0。

        (3)

        式中:J0為線(xiàn)圈電流密度。以上3個(gè)方程式在空間中任何一點(diǎn)都成立。

        1.2 渦流場(chǎng)以及溫度場(chǎng)有限元計(jì)算數(shù)學(xué)模型

        對(duì)于渦流場(chǎng),可以退出以矢量A為變量的表達(dá)式[6]:

        (1/μrμ0)××A=Js-σ(?A/?t)。

        (4)

        式中:μr為相對(duì)磁導(dǎo)率;μ0為真空中磁導(dǎo)率;σ為電導(dǎo)率;Js為激磁電流。對(duì)方程式(4)進(jìn)行求解,得感應(yīng)渦流:

        J=-σ(?A/?t)=-jω。

        (5)

        感應(yīng)加熱中,渦流所產(chǎn)生的焦耳熱作為熱源(Qe),表達(dá)式為:

        Qe=|J|2/σ。

        (6)

        對(duì)于熱傳導(dǎo)場(chǎng),應(yīng)用傅里葉熱傳導(dǎo)方程計(jì)算溫度場(chǎng),其表達(dá)式為:

        λ2T-cρ(?T/?t)=-Qe。

        (7)

        式中:λ為導(dǎo)熱系數(shù);c為比熱容;ρ為物體的密度;T為溫度。薄板表面因?qū)α饕鸬臒崃繐p耗由傅里葉邊界條件確定,其表達(dá)式為:

        -λ(?T/?n)=h-(Ts-Ta)。

        (8)

        式中:h為對(duì)流熱換系數(shù);Ts為變表面溫度;Ta為環(huán)境溫度。聯(lián)立式(4)~(8)得出薄板表面任意時(shí)刻溫度分布。由于磁熱耦合的實(shí)際計(jì)算過(guò)程十分復(fù)雜性,其中,電磁線(xiàn)圈的尺寸、結(jié)構(gòu)、薄板的厚度、材料屬性等影響因子,在很大程度上影響著薄板表面渦流和溫度分布[7];多線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)中,相鄰線(xiàn)圈間的鄰近效應(yīng)使感應(yīng)出的磁場(chǎng)因流過(guò)線(xiàn)圈電流相位的不同而相互疊加或相消[8];磁-熱耦合的非線(xiàn)性問(wèn)題屬于三維范疇,因此,我們無(wú)法對(duì)其進(jìn)行理論計(jì)算;針對(duì)以上問(wèn)題,本文采用有限元法實(shí)現(xiàn)矩陣式多線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)中渦流場(chǎng)與溫度場(chǎng)的雙向耦合。耦合場(chǎng)求解流程如圖1所示。

        圖1 耦合場(chǎng)求解流程圖

        2 仿真模型的構(gòu)建

        2.1 矩陣式多線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)電磁加熱模型構(gòu)建

        仿真模型的合理構(gòu)建有助于提高薄板溫度數(shù)值模擬的準(zhǔn)確性。本文仿真加熱系統(tǒng)模型,由加熱薄板、外部空氣場(chǎng)、線(xiàn)圈構(gòu)成,加熱薄板為鐵質(zhì)材料,密度7 874 kg/m3,線(xiàn)圈在三維坐標(biāo)系中呈矩陣式排列,根據(jù)相關(guān)參數(shù)(見(jiàn)表1),構(gòu)建多線(xiàn)圈加熱系統(tǒng)仿真模型(見(jiàn)圖2)。當(dāng)線(xiàn)圈中通入頻率為f的激勵(lì)信號(hào)i(t)時(shí),線(xiàn)圈周?chē)鷮a(chǎn)生交變磁場(chǎng),磁感線(xiàn)穿過(guò)薄板形成閉合磁路[9];根據(jù)電磁場(chǎng)理論,處于變化磁場(chǎng)中的薄板內(nèi)將產(chǎn)生感應(yīng)渦流,以感應(yīng)渦流損耗作為內(nèi)熱源[10],進(jìn)而對(duì)薄板進(jìn)行加熱。薄板渦流分布及流向,薄板的網(wǎng)格劃分如圖3所示。

        表1 仿真模型相關(guān)參數(shù)

        圖2 薄板電磁加熱系統(tǒng)仿真模型

        由于鐵質(zhì)材料的電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、導(dǎo)熱系數(shù)、比熱容,會(huì)隨著薄板溫度的升高而呈非線(xiàn)性變化,因此他們會(huì)對(duì)加熱薄板溫度分布有很大的影響[11-12],加熱薄板材料物理參數(shù)與溫度的關(guān)系如表2所示。

        2.2 兩種結(jié)構(gòu)的仿真模擬比較

        保證其他條件以及相鄰線(xiàn)圈中心距相同的情況下,分別對(duì)矩陣式結(jié)構(gòu)以及蜂窩狀結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真模擬分析,并比較以被加熱薄板幾何中心為基點(diǎn),溫度沿徑向呈遞減梯度變化量以及同等溫度區(qū)間下的有效加熱面積。模型幾何參數(shù)如表1所示:相鄰線(xiàn)圈間相位互差180 ℃、相鄰線(xiàn)圈間的中心距為35 mm、單個(gè)線(xiàn)圈匝數(shù)為100、加載電流為6 A、加熱時(shí)間為30 s,在渦流損耗以及頻率相同的他情況下,得矩陣式結(jié)構(gòu)以及蜂窩式結(jié)構(gòu)薄板溫度分布(見(jiàn)圖4)。

        表2 薄板材料(鐵)物理參數(shù)

        圖3 薄板渦流分布及流向和薄板的網(wǎng)格劃分

        圖4 薄板溫度分布

        由圖4可見(jiàn):以被加熱薄板幾何中心為基點(diǎn),溫度沿徑向呈遞減特征;在有效加熱區(qū)域內(nèi),矩陣結(jié)構(gòu)與蜂窩結(jié)構(gòu)溫差變化量分別為4.46、8.39 ℃,有效加熱面積分別為6 120.68、4 280.45 mm2。以上表明,在同等邊界條件下,矩陣式多線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)的遞減率比蜂窩結(jié)構(gòu)的小53.16%;以及同等溫度梯度下,矩陣式多線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)的有效加熱面積,比蜂窩結(jié)構(gòu)有效加熱面積大43.52%。因此,采用矩陣式多線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)在薄板溫度的均勻性以及加熱效能上,優(yōu)于蜂窩結(jié)構(gòu)。

        3 加熱薄板渦流場(chǎng)及溫場(chǎng)仿真模擬

        3.1 電流強(qiáng)度對(duì)薄板表面溫差的影響

        以矩陣式線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)構(gòu)建模型,在氣隙長(zhǎng)度、加熱時(shí)間、電流頻率、薄板厚度等一定的情況下,分別計(jì)算不同電流強(qiáng)度作用下,薄板表面有效區(qū)域溫度分布情況。設(shè)置加熱時(shí)間為30 s,加熱頻率為40 kHz,線(xiàn)圈匝數(shù)為100匝,分別對(duì)電流強(qiáng)為3、4、5、6、7、8、9、10 A時(shí)的薄板表面溫度進(jìn)行仿真模擬(見(jiàn)圖5),分析薄板有效區(qū)域表面溫差隨電流強(qiáng)度的變化趨勢(shì)(見(jiàn)表3)。

        表3 隨著電流強(qiáng)度的增大薄板表面徑向溫差與有效區(qū)域面積

        電流強(qiáng)度/A有效區(qū)域溫差/℃有效區(qū)域面積/mm21021.104371.82913.285538.96810.975695.7678.415766.3865.985851.8154.326025.3942.755792.9731.505632.05

        由圖5、表3可見(jiàn):在電流強(qiáng)度從3 A至10 A的變化過(guò)程中,薄板沿徑向溫度梯度有效區(qū)域表面溫差,從1.50 ℃增大到21.10 ℃,變化量為19.60 ℃,溫差呈上升趨勢(shì),有效加熱區(qū)域面積先增大后減小。由此可以得出:在其他條件特定的情況下,薄板表面徑向有效區(qū)域的溫差與電流強(qiáng)度呈正相關(guān),且溫差增大的幅度呈增大趨勢(shì);因此,電磁加熱設(shè)計(jì)時(shí),在一定的條件下,選擇較小電流強(qiáng)度才能使加熱效果更均勻。

        圖5 薄板表面溫度分布云圖

        3.2 相鄰線(xiàn)圈間的間距對(duì)薄板表面溫差的影響

        在一定的范圍內(nèi),對(duì)相鄰線(xiàn)圈間的間距進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整,并進(jìn)行仿真模擬,通過(guò)薄板溫度分布云圖分析薄板表面徑向有效區(qū)域溫度分布情況。設(shè)置相鄰線(xiàn)圈間的中心距為35 mm、加熱頻率為40 kHz、加熱時(shí)間為30 s、線(xiàn)圈的電流強(qiáng)度為5 A,相鄰線(xiàn)圈間的距離分別為1、5、9、13、17、21 mm,仿真模擬顯示,薄板表面沿徑向有效區(qū)域溫差分別為7.42、5.87、4.80、3.43、2.35、0.60 ℃。仿真模擬結(jié)果表明:在確保中心距為35 mm的情況下,在一定范圍內(nèi),適當(dāng)?shù)恼{(diào)整線(xiàn)圈間距離,距離從1 mm至21 mm的變化過(guò)程中,薄板表面徑向有效區(qū)域溫差從7.42 ℃減小到0.60 ℃,變化量為6.82 ℃,呈下降趨勢(shì);加熱薄板有效區(qū)域面積增加8.92%。由此可以得出:在電流密度、頻率、線(xiàn)圈間中心距特定情況下,在間距一定范圍內(nèi),適當(dāng)調(diào)整相鄰線(xiàn)圈的間距,薄板表面徑向溫度梯度有減小特征;與此同時(shí),薄板表面有效區(qū)域加熱溫度也隨之減小。因此,在設(shè)計(jì)電磁薄板加熱時(shí),在一定的范圍內(nèi),確保加熱溫度的基礎(chǔ)上,選擇較大的線(xiàn)圈間距才能使薄板表面溫度更均勻。

        3.3 氣隙長(zhǎng)度以及頻率對(duì)薄板表面溫度的影響

        在電流密度、加熱時(shí)間、電流頻率、線(xiàn)圈中心距、線(xiàn)圈間距等一定的情況下,采用矩陣式結(jié)構(gòu)加熱,在保證薄板溫度均勻的前提下,分別對(duì)厚度為0.9、1.2、1.5 mm的薄板在不同氣隙長(zhǎng)度下進(jìn)行數(shù)值模擬,并分析薄板表面有效區(qū)域溫度的可控性。設(shè)置加熱頻率為40 kHz、加熱時(shí)間為30 s、氣隙長(zhǎng)度為1~21 mm之間時(shí),模擬不同薄板厚度以及氣隙長(zhǎng)度所對(duì)應(yīng)的薄板表面溫度(見(jiàn)圖6)。

        圖6 不同薄板厚度以及不同氣隙長(zhǎng)度時(shí)的薄板表面溫度

        同時(shí)在氣隙長(zhǎng)度為6 mm、加熱時(shí)間為30 s、薄板厚度為0.9 mm、電流強(qiáng)度為6 A等一定的情況下,分別計(jì)算不同電流頻率作用下,薄板表面有效區(qū)域溫度;線(xiàn)圈匝數(shù)為100匝,電流頻率分別為10、20、30、40、50 kHz時(shí)薄板表面溫度(見(jiàn)圖7)。

        由圖6、7可見(jiàn):一定范圍內(nèi),在薄板表面溫度均勻的基礎(chǔ)上,當(dāng)薄板厚度分別為0.9、1.2、1.5 mm時(shí),氣隙長(zhǎng)度由1 mm至20 mm變化的過(guò)程中與薄板表面溫度呈負(fù)相關(guān);薄板表面溫度與頻率呈正相關(guān)。因此,在電磁加熱設(shè)計(jì)時(shí),一定的條件下,根據(jù)所需溫度要求,通過(guò)調(diào)整氣隙長(zhǎng)度以及頻率進(jìn)而達(dá)到對(duì)薄板加熱溫度進(jìn)行控制。

        圖7 薄板表面溫度隨頻率變化曲線(xiàn)

        4 結(jié)論

        針對(duì)薄板電磁加熱溫度均勻性及可控性問(wèn)題,本文提出新型矩陣式多線(xiàn)圈加熱結(jié)構(gòu),為問(wèn)題的解決提供了有效途徑。在渦流損耗與模型尺寸相同的條件下,通過(guò)建立矩陣式線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)與蜂窩式線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)進(jìn)行薄板表面溫度均勻性仿真模擬比較,并分析流過(guò)矩陣式多線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)中的電流強(qiáng)度和線(xiàn)圈間距離對(duì)薄板溫度均勻性影響以及通過(guò)實(shí)驗(yàn)得知?dú)庀冻叽绾皖l率對(duì)溫度的控性關(guān)系。

        多線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)下,薄板溫場(chǎng)以幾何中心點(diǎn)沿徑向呈溫度遞減分布,在同等邊界條件下矩陣結(jié)構(gòu)的遞減率比蜂窩結(jié)構(gòu)小50%以上,而相同溫度梯度對(duì)應(yīng)的有效加熱面積大40%以上。因此,矩形線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)在薄板溫度的均勻性以及加熱效能上優(yōu)于蜂窩結(jié)構(gòu)。

        采用矩陣式多線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱,電流密度以及頻率一定的情況下,薄板表面的徑向溫度梯度與電流呈正相關(guān);適當(dāng)調(diào)整相鄰線(xiàn)圈的間距,薄板表面有效加熱區(qū)域面積與間距呈正相關(guān),薄板表面溫度的均勻性得到改善。

        仿真結(jié)果表明,矩陣式多線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)中氣隙長(zhǎng)度與薄板表面溫度呈負(fù)相關(guān),頻率與薄板表面溫度呈正相關(guān),因此,通過(guò)選擇合適氣隙長(zhǎng)度及調(diào)節(jié)頻率實(shí)現(xiàn)薄板表面溫度的有效控制。

        本文對(duì)矩陣式多線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)所做研究,可為薄板電磁加熱溫度均勻性以及可控性設(shè)計(jì)提供參考。

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