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        成核劑對(duì)聚丙烯基復(fù)合材料線性膨脹系數(shù)的影響

        2020-03-16 10:22:20
        合成材料老化與應(yīng)用 2020年1期
        關(guān)鍵詞:晶面晶體結(jié)構(gòu)X射線

        (上海金發(fā)科技發(fā)展有限公司,上海工程塑料功能化工程技術(shù)中心,上海 201714)

        聚丙烯(PP)與其他通用熱塑性塑料相比,具有密度低、加工性能優(yōu)良、環(huán)保無毒以及易回收等優(yōu)勢(shì),在汽車、家電等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用[1-2]。但PP材料存在線性膨脹系數(shù)(CLTE)較大、尺寸穩(wěn)定性差的問題,尤其用于汽車領(lǐng)域大型制件時(shí),如保險(xiǎn)杠、儀表板、門板等,往往難以滿足對(duì)制件裝配的要求[3-6]。在PP材料的應(yīng)用過程中,可以通過添加無機(jī)填料、乙烯/辛烯共聚物(POE)以及成核劑等方法降低PP材料的CLTE值,提高其尺寸穩(wěn)定性[7-9]。其中,引入成核劑的方式因具有用量低,改善效果明顯且不影響其他性能的優(yōu)勢(shì)而被廣泛應(yīng)用[10]。然而,成核劑對(duì)降低PP材料CLTE值的根本原因尚不明確,有待進(jìn)一步研究。

        為深入研究成核劑對(duì)PP材料CLTE值的影響,本文以PP為基體,滑石粉、POE、成核劑等為添加成分,制備了PP基復(fù)合材料。并分別通過靜態(tài)熱機(jī)械分析和采用廣角X射線衍射研究了兩種成核劑與復(fù)合材料CLTE的關(guān)系,以及成核劑對(duì)復(fù)合材料晶體結(jié)構(gòu)的影響。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1 主要原材料

        PP樹脂:熔融指數(shù)(MI)為60g/10min(230℃/2.16kg),??松梨诨瘜W(xué)公司;乙烯/辛烯共聚物(POE):POE,MI為5.0g/10min(190℃/2.16kg);??松梨诨瘜W(xué)公司;滑石粉:3000目,廣西桂林桂廣滑石粉有限公司;成核劑:NA1,芳基磷酸鹽類成核劑,陜西省化工研究院;NA2,山梨醇類成核劑,蘭州石化研究院。

        1.2 儀器及設(shè)備

        雙螺桿擠出機(jī):SHJ-30型,南京瑞亞高聚物裝備有限公司;注塑機(jī):B-920型,浙江海天注塑機(jī)有限公司。

        1.3 試樣制備

        按一定比例稱量原料,用高混機(jī)混合均勻,然后在190℃~210℃條件下通過雙螺桿擠出機(jī)擠出造粒,粒料在80℃烘箱中烘干2h,在200℃溫度條件下注塑ISO標(biāo)準(zhǔn)拉伸樣條。

        1.4 性能測(cè)試

        靜態(tài)熱機(jī)械分析(TMA):Q400型,ISO拉伸樣條裁切成10mm×10 mm×4 mm樣片并磨平。測(cè)試溫度為-45℃~110℃,升溫速率為5℃/min,統(tǒng)計(jì)-30℃~110℃內(nèi)熔體流動(dòng)(FD)和垂直方向(TD)的CLTE值。

        廣角X射線衍射(WAXD)分析:Rigaku D/max 2550 VB/PC 型,在13°~18°范圍對(duì)平整樣品進(jìn)行掃描。X射線波長為0.154nm,電壓為40kV,電流為40mA,掃描時(shí)間為60s。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 成核劑種類對(duì)CLTE值的影響

        為研究成核劑類型對(duì)PP基復(fù)合材料CLTE值的影響,在空白樣的基礎(chǔ)上分別添加了2份NA1和NA2成核劑。同時(shí),為了保證總組分不變,需要減掉等量的PP,具體組成列于表1。

        表1 PP基復(fù)合材料的組成Table 1 Composition of PP-based composite materials

        成核劑改性后的PP基復(fù)合材料的CLTE值按照測(cè)試溫度分為三個(gè)區(qū)段分別進(jìn)行計(jì)算,詳細(xì)數(shù)值如圖1所示。復(fù)合材料的FD CLTE和TD CLTE值均隨溫度區(qū)段的升高逐漸增大,且FD CLTE較TD CLTE升高幅度更大。此外,NA1成核劑可明顯降低各溫度段FD和TD CLTE值,且TD CLTE值對(duì)溫度變化表現(xiàn)不明顯。相反,NA2成核劑可顯著提高各溫度段FD和TD CLTE值,而且CLTE值對(duì)溫度變化表現(xiàn)較為明顯。由上分析可知,成核劑NA1有利于降低PP基復(fù)合材料的CLTE值,增強(qiáng)復(fù)合材料的尺寸穩(wěn)定性。

        圖1 成核劑類型對(duì)PP基復(fù)合材料CLTE值的影響Fig.1 Effects of nucleating agent types on CLTE values of PP-based composite materials

        在2份NA1成核劑的基礎(chǔ)上,改變NA1成核劑的含量(組成見表1),研究了成核劑含量對(duì)PP基復(fù)合材料CLTE值的影響,如圖2所示。當(dāng)成NA1成核劑含量從0.5%增加至2%時(shí),復(fù)合材料FD和TD CLTE值逐漸降低。當(dāng)成核劑含量超過1%后,CLTE降低幅度趨于平緩,進(jìn)一步增加成核劑含量對(duì)降低CLTE值無明顯幫助。成核劑對(duì)CLTE值的影響可能歸因于成核劑對(duì)PP晶體的作用[11-12]。

        圖2 成核劑含量對(duì)PP基復(fù)合材料CLTE值的影響Fig.2 Effects of nucleating agent contents on CLTE values of PP-based composite materials

        為進(jìn)一步分析成核劑對(duì)PP晶體的作用機(jī)理,本文采用WXAD對(duì)聚丙烯基復(fù)合材料的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析,如圖3所示。從圖譜中可以看出,衍射角2θ=14°、16.8°處出現(xiàn)衍射峰,分別對(duì)應(yīng)(110)和(040)晶面,均為α晶體特征峰[13-14]。由圖3(a)可以看出,引入成核劑NA1可以明顯降低(110)晶面衍射強(qiáng)度,提高(040)晶面衍射強(qiáng)度;引入成核劑NA2可顯著提高(110)晶面衍射強(qiáng)度,降低(040)晶面衍射強(qiáng)度。表明兩種成核劑對(duì)PP基復(fù)合材料晶體結(jié)構(gòu)影響作用相反。由圖3(b)可以看出,成核劑NA1引入量為0.5份時(shí)即可顯著降低復(fù)合材料(110)晶面衍射強(qiáng)度,提高(040)晶面衍射強(qiáng)度;隨著成核劑NA1含量超過1%后,成核劑含量對(duì)復(fù)合材料晶體結(jié)構(gòu)影響作用趨于平緩,這與成核劑對(duì)CLTE值的作用一致。綜合上文分析可知,成核劑NA1降低PP基復(fù)合材料CLTE值的根本原因在于抑制(110)晶面的生長,同時(shí)促進(jìn)(040)晶面的生長。

        由圖3可知,(040)晶面是復(fù)合材料的主要生長方向,且隨組成變化表現(xiàn)出明顯差異。因此,本文選擇計(jì)算(040)晶面生長方向的晶粒尺寸來進(jìn)一步分析成核劑對(duì)晶體結(jié)構(gòu)的影響。計(jì)算方法根據(jù)Scherrer公式[15-17]:

        其中,Dhkl是晶面(hkl)法線方向的晶粒尺寸,k是與晶粒尺寸有關(guān)的常數(shù)(對(duì)于結(jié)晶性聚合物一般取值0.89),λ是X射線的波長(λ=0.154nm),β是衍射峰的半峰寬,θ是晶面(hkl)與入射線之間的衍射角。

        (040)晶面的晶粒尺寸計(jì)算結(jié)果列于表2。由表2可知,(040)晶面生長方向中晶粒尺寸隨NA1成核劑含量的增多而逐漸增大,隨NA2成核劑的引入而減小,說明成核劑的引入使微晶的尺寸發(fā)生改變。Jiacong等研究表明,晶面的法向厚度反映了晶體的生長情況[18-19]。因此,引入成核劑NA1后,(040)晶面沿b軸生長。

        表2 聚丙烯基復(fù)合材料(040)晶面晶粒尺寸Table 2 Crystalline size of (040) lattice plane of PP-based composite materials

        本文進(jìn)一步分析了結(jié)晶對(duì)CLTE值的影響機(jī)理,如圖4所示。(040)晶面平行于a、c軸,垂直于b軸[圖4(a)]。由此說明,成核劑NA1引入后,(040)晶面沿b軸取向生長[圖4(b)],這與晶粒尺寸分析結(jié)果一致。Michio Ono等研究表明,晶胞中b軸平行于厚度方向(ND),即垂直于流動(dòng)方向(FD),而c軸平行于FD[20-21]。因此,樣品中晶體主要生長方向與ND一致,垂直于FD[圖4(c)]。Gu等研究表明,b軸方向的熱膨脹最大,是a軸方向的2.6倍,c軸方向最小,為a軸方向的10%。因此,成核劑NA1引入后,F(xiàn)D和TD方向的CLTE值明顯減小。

        圖4 結(jié)晶對(duì)CLTE值的影響機(jī)理示意圖:(a)晶胞;(b)晶胞生長;(c)樣品Fig.4 Schematic illustration of inf luence of crystal on CLTE: (a) crystal cell; (b) crystal growth; (c) sample

        3 結(jié)論

        通過靜態(tài)熱機(jī)械分析和廣角X射線衍射分別研究了兩種成核劑與復(fù)合材料CLTE的關(guān)系,以及成核劑對(duì)復(fù)合材料晶體結(jié)構(gòu)的影響。實(shí)驗(yàn)得出結(jié)論如下:

        (1)成核劑NA1可顯著降低PP基復(fù)合材料的FD和TD CLTE值,提高了材料的尺寸穩(wěn)定性;

        (2)成核劑NA1添加量超過1份后,其對(duì)CLTE值的降低效果無明顯增強(qiáng);

        (3)成核劑NA1可顯著促進(jìn)晶胞中(040)晶面沿b軸取向生長,降低PP基復(fù)合材料的CLTE值。

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