美國西北大學(xué)和意大利墨西拿大學(xué)的研究人員合作開發(fā)出一種基于反鐵磁材料的新型磁存儲器件，其具有體積小、耗能低的特點。研究團隊使用了柱狀反鐵磁材料，研究表明，生長在重金屬層上的、直徑低至800nm 的反鐵磁鉑錳（PtMn）柱，通過極低電流后可以在不同的磁態(tài)之間進行可逆轉(zhuǎn)換。通過改變寫入電流的振幅，即可實現(xiàn)多級存儲特性?；诜磋F磁鉑錳柱制成的存儲器件僅為現(xiàn)有的基于反鐵磁材料存儲設(shè)備的1/10，且新型器件的制造方法與現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造規(guī)范兼容。該新型磁存儲器件很小，耗能很低，有望使反鐵磁存儲器走向?qū)嶋H應(yīng)用，并幫助解決AI 的“內(nèi)存瓶頸”問題。