劉 淼，牛英山

（中國電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所，沈陽110032）

1 引 言

隨著我國航天領(lǐng)域的飛速發(fā)展，各類人造衛(wèi)星、空間探測器等航天器相繼進(jìn)入太空，為國家的發(fā)展和社會(huì)的進(jìn)步提供支持和保障。在太空中，工作環(huán)境復(fù)雜且惡劣, 嚴(yán)重影響航天器中的集成電路的正常工作，單粒子功能中斷就是空間輻射對集成電路的嚴(yán)重影響之一[1]。單粒子功能中斷通常由單粒子瞬態(tài)和單粒子翻轉(zhuǎn)共同作用產(chǎn)生。由于單粒子瞬態(tài) SET（Single-Event Transient）和單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)SEU（Single-Event Upset）具有任意時(shí)間和任意地點(diǎn)的隨機(jī)性特點(diǎn)以及SET 在一定條件下可轉(zhuǎn)化為SEU 的特點(diǎn)，從而使之成為抗輻射加固集成電路的重點(diǎn)研究內(nèi)容之一[2]。

2 單粒子功能中斷機(jī)理分析

單粒子功能中斷主要出現(xiàn)在大規(guī)模集成電路中，是由一個(gè)高能量的粒子入射到半導(dǎo)體材料的反偏PN 結(jié)或者體硅區(qū)導(dǎo)致的，沿著高能粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)產(chǎn)生大量的電子空穴對，當(dāng)在入射路徑沉積的能量足夠大時(shí), 會(huì)引起集成電路性能下降甚至控制部件出錯(cuò)，引起正常的功能中斷或出錯(cuò)。發(fā)生單粒子功能中斷的器件功能暫時(shí)喪失，需電源重啟恢復(fù)。

圖1 是一個(gè)CMOS 結(jié)構(gòu)的反相器受到單粒子干擾的示意圖，這個(gè)干擾產(chǎn)生的脈沖出現(xiàn)在組合邏輯中，稱為單粒子瞬態(tài)脈沖[3]。

圖1 反相器版圖橫截面圖

當(dāng)單粒子瞬態(tài)（SET）所引起的錯(cuò)誤被觸發(fā)器或存儲(chǔ)器采樣并輸出到產(chǎn)生SET 的組合邏輯上并形成環(huán)路，從而導(dǎo)致錯(cuò)誤狀態(tài)持續(xù)保持，就會(huì)產(chǎn)生單粒子功能中斷。同樣當(dāng)這種現(xiàn)象發(fā)生在觸發(fā)器或存儲(chǔ)器中, 即產(chǎn)生單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)SEU, 當(dāng)SEU 輸出到組合邏輯并形成環(huán)路,也會(huì)產(chǎn)生單粒子功能中斷。隨著工藝尺寸不斷變小，臨界電荷隨工藝約成平方關(guān)系減小。在超深亞微米工藝下，數(shù)字組合電路中的SET 脈沖很容易像正常的信號(hào)一樣沿著組合邏輯傳播并被末端的觸發(fā)器或存儲(chǔ)器捕獲形成一個(gè)持久的錯(cuò)誤,從而導(dǎo)致單粒子功能中斷。

3 抗單粒子功能中斷加固電路設(shè)計(jì)

3.1 設(shè)計(jì)原理

由以上原理可以看出, 組合邏輯上的單粒子干擾是可以通過多級邏輯逐漸吸收的, 只有干擾信號(hào)被觸發(fā)器或存儲(chǔ)器鎖存,并反饋形成環(huán)路,才會(huì)產(chǎn)生功能中斷, 所以觸發(fā)器或存儲(chǔ)器的信號(hào)鎖存功能是產(chǎn)生單粒子功能中斷的必備條件[4-6],因此對觸發(fā)器進(jìn)行抗單粒子加固設(shè)計(jì)，屏蔽掉干擾信號(hào)，就可以解決觸發(fā)器信號(hào)路徑上的單粒子功能中斷的問題[7-8].

觸發(fā)器抗單粒子加固設(shè)計(jì)主要使用加固DICE觸發(fā)器設(shè)計(jì)（Dual Interlocked Cell）。加固 DICE 觸發(fā)器設(shè)計(jì)主要包含時(shí)鐘冗余電路、主DICE 鎖存器、從DICE 鎖存器、延時(shí)濾波電路、相位轉(zhuǎn)換電路。圖2 是DICE 鎖存器主要結(jié)構(gòu)?？梢?，DICE 鎖存器內(nèi)部有M1、M2、M3、M4 電荷存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn),其中 M1、M4 存儲(chǔ)的電平相同, M2、M3 存儲(chǔ)的電平相同, 當(dāng)干擾粒子進(jìn)入芯片，使4 個(gè)節(jié)點(diǎn)中的某一個(gè)節(jié)點(diǎn)發(fā)生翻轉(zhuǎn), 結(jié)構(gòu)中的雙互鎖存結(jié)構(gòu)DICE 可以將其余3 個(gè)節(jié)點(diǎn)的電平值恢復(fù)。只有M1、M4 存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)同時(shí)受到高能粒子的影響時(shí),或者M(jìn)2、M3 存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)同時(shí)受到高能粒子的影響時(shí)，才能引發(fā)整個(gè)電路的翻轉(zhuǎn)。因此DICE 對干擾離子引起的電離翻轉(zhuǎn),有很強(qiáng)的抵抗能力。本設(shè)計(jì)將采用加固DICE 觸發(fā)器進(jìn)行設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。

圖2 DICE 鎖存器

3.2 設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

圖3 加固DICE 觸發(fā)器

設(shè)計(jì)采用加固DICE 觸發(fā)器實(shí)現(xiàn)抗單粒子功能。設(shè)計(jì)圖如圖3?？梢姡髠?cè)有時(shí)鐘冗余電路，由4 個(gè)反相器組成，將 CK 時(shí)鐘分為 CK1、CK2、CKN1、CKN2。CK1 和 CKN1 主要控制經(jīng)過 D1、M4、S4 和兩個(gè)三態(tài)門的傳輸信號(hào)，CK2 和CKN2 主要控制經(jīng)過D2、M1、S1 和兩個(gè)三態(tài)門的傳輸信號(hào)。同時(shí)CK1、CK2、CKN1、CKN2 用在主 DICE 鎖存器和從 DICE鎖存器，在主DICE 鎖存器中，CK1 和CKN1 控制M4 上的信號(hào)的鎖存，CK2 和 CKN2 控制 M1 上的信號(hào)的鎖存。在從DICE 鎖存器中，CK1 和CKN1 控制S4 上的信號(hào)的鎖存，CK2 和 CKN2 控制 S1 上的信號(hào)的鎖存。延遲濾波電路由延遲單元和濾波電路兩部分組成，主要功能是利用延遲單元,在前后2～3 個(gè)時(shí)刻分別對輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行取樣。若數(shù)據(jù)不同，說明受到SET 干擾，此時(shí)濾波電路會(huì)維持之前的狀態(tài)。如果電路要屏蔽SET, 延遲電路的延遲時(shí)間要大于干擾脈沖的寬度。該設(shè)計(jì)中將延遲濾波電路放到輸出端，即能夠?qū)斎攵说钠胀⊿ET 干擾能夠進(jìn)行屏蔽，也能對發(fā)生在觸發(fā)器內(nèi)部單粒子瞬態(tài)干擾進(jìn)行屏蔽。當(dāng)單粒子干擾發(fā)生在時(shí)鐘上升沿時(shí)，形成信號(hào)鎖存，該電路無效，需要相位轉(zhuǎn)換電路進(jìn)行屏蔽。主從兩個(gè)DICE 鎖存器主要用于對內(nèi)部產(chǎn)生的單粒子干擾進(jìn)行屏蔽，在主DICE 鎖存器中，M1 信號(hào)與M4信號(hào)相同，當(dāng)M1=1 時(shí)，M4=1，如果M1 上出現(xiàn)單粒子干擾脈沖，將信號(hào)拉低，M1=0，輸入與M1 相連的MOS 管 P3 導(dǎo)通，M3 上出現(xiàn)干擾脈沖，M3=1，輸入與M3 相連的MOS 管N9 導(dǎo)通，與N9 串聯(lián)的MOS管N8 的輸入端連接時(shí)鐘，處于截止?fàn)顟B(tài)，所以該干擾脈沖被截止在N8。同樣如果M4 上出現(xiàn)單粒子干擾脈沖，將信號(hào)拉低，M4=0，輸入與M4 相連的MOS管P2 導(dǎo)通，M2 上出現(xiàn)干擾脈沖，M2=1，輸入與M2相連的MOS 管N5 導(dǎo)通，與N5 串聯(lián)的MOS 管N4的輸入端連接時(shí)鐘，處于截至狀態(tài)，所以該干擾脈沖被截止在N4。在從DICE 鎖存器中，S1 信號(hào)與S4 信號(hào)相同，當(dāng)S1=1 時(shí)，S4=1，如果S1 上出現(xiàn)單粒子干擾脈沖，將信號(hào)拉低，S1=0，輸入與S1 相連的MOS管 P9 導(dǎo)通，S3 上出現(xiàn)干擾脈沖，S3=1，輸入與 S3 相連的 MOS 管 N14 導(dǎo)通，與 N14 串聯(lián)的 MOS 管 N15的輸入端連接時(shí)鐘，處于截至狀態(tài)，所以該干擾脈沖被截止在N15。同樣如果S4 上出現(xiàn)單粒子干擾脈沖，將信號(hào)拉低，S4=0，輸入與S4 相連的MOS 管P10 導(dǎo)通，S2 上出現(xiàn)干擾脈沖，S2=1，輸入與 S2 相連的 MOS 管 N12 導(dǎo)通，與 N12 串聯(lián)的 MOS 管 N13的輸入端連接時(shí)鐘，處于截至狀態(tài)，所以該干擾脈沖被截止在N13。但是因?yàn)镾3 通過組合邏輯與輸出相連，所以這種干擾會(huì)輸出到下一級，變?yōu)閱瘟Ｗ铀矐B(tài)干擾。單粒子瞬態(tài)會(huì)通過組合邏輯傳輸?shù)较乱患売|發(fā)器，并且被DICE 結(jié)構(gòu)屏蔽。相位轉(zhuǎn)換電路是buffer 鏈組成的delay 單元，位置是在第一級的trinv的輸入端，其功能是將輸入信號(hào)D 分解為信號(hào)相同，相位不同的兩個(gè)輸入信號(hào)D1 和D2，如果單粒子干擾信號(hào)在時(shí)鐘沿產(chǎn)生，在其后面的傳輸路徑上的 M1 和 M4 信號(hào)相同，相位不同，同樣，S1 和 S4 信號(hào)相同，相位不同。與S3 相連的PMOS 的輸入端連接S1，與S3 相連的NMOS 的輸入端連接S4，如果有單粒子干擾導(dǎo)致PMOS 和NMOS 同時(shí)導(dǎo)通，因?yàn)橄辔徊煌?，也不?huì)出現(xiàn)短路和翻轉(zhuǎn)現(xiàn)象。

4 抗單粒子功能中斷加固技術(shù)仿真分析

4.1 仿真原理

為檢查抗輻射加固電路在輻射環(huán)境下的抗加能力，本設(shè)計(jì)使用電流源作為單粒子對電路的影響的模型，使用Cadence 仿真軟件來模擬單粒子輻射對電路的影響。其電流源表達(dá)式為：

其中T 是和晶體管模型及離子能量吸收（LET）有關(guān)的常量，P 管和N 管的值不同，t 是時(shí)間變量。

仿真使用的干擾電流源能量表如表1 所示：

表1 電流源能量

仿真使用的是I=10mA，上升沿延遲=25ps，保持時(shí)間=135ps，下降沿延遲=60ps，電荷數(shù)=3.002pC。

電路采用上華0.5μm 工藝庫，模型為tt_5v，仿真時(shí)，供電電壓為5V，溫度為室溫25℃。為了便于進(jìn)行 SEU／SET 故障注入，采用時(shí)鐘頻率=20MHz，采樣周期為3μs。

4.2 仿真結(jié)果

觸發(fā)器仿真所采用的電路圖如圖4 所示。

圖4 仿真電路圖

從圖4 可以看出，干擾源1 和2 設(shè)置在D2 端，干擾源3 和4 設(shè)置在D1 端，干擾源5 和6 設(shè)置在M4 端，干擾源7 和8 設(shè)置在S4 端。每個(gè)干擾源設(shè)置三個(gè)干擾信號(hào)，分別設(shè)置在一個(gè)時(shí)鐘周期的高電平階段，低電平階段和上升沿階段，如圖5 所示。

圖5 局部波形圖

仿真波形如圖6 和圖7 所示。由圖6 和圖7 可見，在D2 端，當(dāng)D2=0 時(shí)，輸入干擾源1，模擬輻照時(shí)單粒子效應(yīng)產(chǎn)生的瞬間的高電平，當(dāng)D2=1 時(shí)，輸入干擾源2，模擬輻照時(shí)單粒子效應(yīng)產(chǎn)生的瞬間的低電平。其他干擾源也是用相同方法設(shè)置。由輸出波形可以看到，雖然干擾源在觸發(fā)器內(nèi)部產(chǎn)生信號(hào)波動(dòng)，輸出波形未受影響。

圖6 仿真波形圖A

圖7 仿真波形圖B

5 結(jié)束語

集成電路在輻照條件下，產(chǎn)生單粒子功能中斷，能中斷的電路為例，進(jìn)行原理分析和加固設(shè)計(jì)，并通過仿真對加固設(shè)計(jì)進(jìn)行驗(yàn)證，所獲得的數(shù)據(jù)和結(jié)論具有一定代表意義。文中設(shè)計(jì)的抗單粒子功能中斷加固觸發(fā)器能夠應(yīng)用到電路設(shè)計(jì)中，具有一定的實(shí)用價(jià)值。