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        LTE-A空口監(jiān)測儀下行基帶板的可行性分析

        2020-02-18 15:21:18王美樂張治中
        計算機工程與應用 2020年4期
        關鍵詞:空口監(jiān)測儀基帶

        王美樂,張治中,2,席 兵

        1.重慶郵電大學 通信與信息工程學院,重慶400065

        2.重慶重郵匯測通信技術有限公司,重慶401121

        1 引言

        目前,隨著增強型長期演進(Long Term Evolution-Advanced,LTE-A)的發(fā)展和應用,以及TD-LTE-A載波聚合技術中的終端接收機、TD-LTE無線綜測儀等的出現(xiàn),把LTE-A改進的網(wǎng)絡架構以及新興的無線通信技術運用到實踐中,促進了國內儀表的發(fā)展[1-2]。在國內眾多的LTE-A產(chǎn)品中,依然缺少LTE-A空口監(jiān)測類儀表。雖然美國和日本的兩家儀器儀表公司研制的空口監(jiān)測儀器在行業(yè)內獲得一定的應用,頻譜分析、基帶數(shù)據(jù)解析以及協(xié)議棧解析等功能也比較全面,但是該儀表操作復雜并且功耗高,很大程度上解決不了現(xiàn)場的問題,僅能應用于實驗室內部[3]。相比國外的監(jiān)測儀器,LTE-A空口監(jiān)測分析儀在保證其應有功能的條件下降低了操作復雜度,大幅度減少了儀表的體積,解決了現(xiàn)場應用受限的缺點,因此LTE-A空口監(jiān)測分析儀在一定程度上促進了國內儀器儀表的發(fā)展,具有很高的研究和應用價值[4-6]。

        在LTE-A空口監(jiān)測分析儀中,基帶板負責接收射頻板采集的數(shù)據(jù),將采集到的數(shù)據(jù)進行物理層的處理,從而恢復出基帶數(shù)據(jù),然后將基帶數(shù)據(jù)傳到上層做進一步處理,因此基帶板在監(jiān)測儀保證正常的監(jiān)測功能中發(fā)揮著不可或缺的作用[7]。近年來,許多相關的研究人員對基帶板進行了深入的研究:文獻[8]利用現(xiàn)場可編程門陣列(Field-Programmable Gate Array,F(xiàn)PGA)、數(shù)字信號處理器(Digital Signal Processor,DSP)、進階精簡指令集機器(Advanced RISC Machine,ARM)的各自優(yōu)點,設計了一種多通道基帶處理硬件架構方案,實現(xiàn)了良好的人機交互界面,通過實際上板測試,驗證了板卡設計的合理性與正確性。文獻[9]對移動終端管控系統(tǒng)基帶板卡進行研究,給出了一種DSP+ARM+FPGA多通道基帶板卡設計方案,并且對系統(tǒng)硬件電路進行詳細設計和實現(xiàn),驗證了設計的正確性。文獻[10]基于DSP和FPGA間的音頻互交換文件(Audio Interchange File,AIF)接口需求,設計了多通道復用、空口對齊方案以及兩套傳輸不同數(shù)據(jù)流的方案,實現(xiàn)了AIF接口能傳輸連續(xù)數(shù)據(jù)流和突發(fā)數(shù)據(jù)流。雖然近年來對基帶板的研究已經(jīng)證實了其應用價值,但是在基帶板設計之前卻缺少可行性分析,只是通過最終的實現(xiàn)來驗證其可行性。殊不知實現(xiàn)時,若基帶板上的處理器達不到其所需的處理速率,內部資源不足,存儲器內存不足,或者所需傳輸速度達不到要求,都需要重新選擇芯片并且重新設計原理圖,在這個過程中為此付出的時間和精力是相當大的。因此在設計LTE-A空口監(jiān)測儀的基帶板之前,有必要對基帶板的可行性進行分析。本文首先分析了基帶板上核心處理器所需的處理速度,確定了FPGA的選型,然后重點分析基帶板上存儲器的存儲能力以及元器件的總線能力,確保芯片的選型能夠達到要求,為基帶板的選型以及原理圖設計提供參考。

        2 基帶板的可行性分析

        2.1 基帶板的整體架構

        在LTE-A空口監(jiān)測儀中,基帶板主要負責完成1個2×2多輸入多輸出系統(tǒng)(Multiple Input Multiple Output,MIMO)的載波單元的基帶處理,包括基帶解調、信道解碼等過程恢復出基帶數(shù)據(jù),通過高速串行計算機擴展總線(PCIe總線)采用成組數(shù)據(jù)傳送方式將基帶數(shù)據(jù)送到層二處理板。除此之外,基帶板還需要完成兩路基帶數(shù)據(jù)的存儲,即穩(wěn)定存儲10 min離線基帶數(shù)據(jù)?;鶐О逍枰瓿傻募夹g指標如下:

        (1)支持時分雙工(Time Division Duplex,TDD)和頻分雙工(Frequency Division Duplex,F(xiàn)DD)模式;

        (2)支持1.5 MHz、3 MHz、5 MHz、10 MHz、15 MHz和20 MHz信道帶寬;

        (3)支持子載波間隔為15 kHz;

        (4)支持采樣數(shù)據(jù)精度為12 bit;

        (5)支持正交相移鍵控(Quadrature Phase Shift Keying,QPSK)、正交幅度調制(16QAM)、相正交振幅調制(64QAM)下行解調功能;

        (6)支持正常循環(huán)前綴(Normal CP)和擴展循環(huán)前綴(Extended CP);

        (7)支持LTE和LTE-A增強特性,包括載波聚合(最大支持5載波聚合,含intra-band、inter-band載波聚合)。

        本基帶板是面向LTE-A處理能力的需求進行設計的,由于基帶板的最大支持帶寬是20 MHz,該帶寬下的采樣率為30.72 Mb/s,采樣的每個基帶數(shù)據(jù)都是由16位的I路數(shù)據(jù)和16位的Q路數(shù)據(jù)組成,此時單天線的數(shù)據(jù)速率為30.72 Mb/s×(16+16)=0.983 04 Gb/s,由于基帶板最大支持5載波聚合,則基帶板需要提供的傳輸速率為5×0.983 04 Gb/s=4.915 20 Gb/s?;诖诵枨?,并且為了保證核心處理器有足夠的內部資源供電路使用,基帶板采用FPGA作為核心處理器,型號為XC7Z100-2FFG900I。該芯片是Zynq?-7000系列芯片中內部資源最豐富的一款芯片,包含一個雙核的ARM處理器和通用的邏輯部分,邏輯部分和ARM部分協(xié)同工作,其CPU頻率高達1 GHz。該FPGA芯片支持的外設接口包括:

        (1)豐富的存儲器接口:動態(tài)內存控制器支持DDR3、DDR3L、DDR2和LPDDR2內存,靜態(tài)存儲器控制器支持NAND閃存接口;

        (2)DDR控制器和相關的以太網(wǎng)接口:支持DDR3的速度可高達1 833 Mb/s;

        (3)PCIe接口:可根據(jù)系統(tǒng)設計要求進行配置,在2.5 Gb/s或5.0 Gb/s數(shù)據(jù)速率下運行;

        (4)GTX收發(fā)器:采用倒裝芯片封裝的高性能GTX收發(fā)器,能夠提供高達12.5 Gb/s的線路速率。

        除此之外,XC7Z100芯片支持的外設還包括兩個支持IEEE Std 802.3和IEEE Std 1588 2.0版的10/100/1 000三速以太網(wǎng)MAC外設,兩個USB 2.0 OTG外設,兩個SD/SDIO2.0/MMC3.31兼容控制器以及兩個高速UARTs等,滿足基帶板的需求。

        本文在進行存儲器件的選型時,緩存10 min基帶數(shù)據(jù)的存儲器選用mSATA。由于mSATA在數(shù)據(jù)傳輸過程中可能會發(fā)生中斷,實時性不能滿足要求,因此在XC7Z100芯片的外部連接了一片DDR3存儲器,以保證mSATA與FPGA之間數(shù)據(jù)的良好傳輸。XC7Z100芯片的邏輯部分完成基帶接收解調工作,ARM部分負責配置調度控制,這兩部分在工作時,需要存儲大量數(shù)據(jù),因此設計時在XC7Z100芯片外部設計了外部存儲器,均采用兩個16 bit的DDR3并聯(lián)成32 bit的方式作為存儲器件進行緩存。整體架構如圖1所示。

        圖1中射頻板采集的兩路基帶數(shù)據(jù)傳入基帶板,mSATA作為存儲基帶數(shù)據(jù)的容器存儲兩路基帶數(shù)據(jù),由邏輯部分連接的一片DDR3作為緩存。圖中的NAND Flash和SD卡作為基帶板上FPGA上電的兩種上電模式,兩個存儲器均配置了XC7Z100芯片的啟動程序,SD卡未插入時,NAND Flash作為默認的啟動程序,在SD卡插入時,默認從SD卡啟動。與ARM部分相連的兩個DDR3用作ARM部分的緩存,33.33 MHz的晶振作為ARM外部處理的時鐘。邏輯部分的看門狗用來檢測系統(tǒng)運行是否正常,各種時鐘的晶振作為邏輯部分外部所需的時鐘,經(jīng)過基帶板處理之后的基帶數(shù)據(jù)經(jīng)過PCIe接口傳到層二處理板中?;鶐О逯行枰紤]可行性的元器件,最終確定型號如表1所示。

        表1 元器件選型

        在此之前已經(jīng)確定了XC7Z100芯片符合需求,接下來主要針對mSATA、DDR3、PCIe總線進行可行性分析,主要是分析其存儲能力和總線能力是否滿足需求。

        2.2 存儲能力分析

        2.2.1 mSATA存儲

        基帶板支持的20 MHz帶寬下采樣點2 048個,支持子載波間隔為15 kHz,則每一路基帶數(shù)據(jù)的最高時鐘速率為2 048×15 kHz=30.72 MHz。由于采樣的數(shù)據(jù)精度為12 bit,通過PCIe總線以雙通道的方式向基帶板傳輸數(shù)據(jù),因此可以計算每秒鐘存儲的基帶數(shù)據(jù)為12×2×2×30.72 Mb=1 474.56 Mb。那么mSATA 10 min所存儲的數(shù)據(jù)量為1 474.56 Mb×10×60=110.59 GB?;鶐О逯羞x用的mSATA型號內存容量為500 GB,存儲能力遠遠滿足要求。

        2.2.2 DDR3存儲

        在基帶板中設計了五片DDR3,其中一片用于mSATA傳輸數(shù)據(jù)的緩沖內存,由于只是彌補mSATA的實時性,因此對該DDR3的要求不高;其中兩片DDR3用于XC7Z100芯片ARM部分的緩存,即緩存ARM部分的配置程序;還有兩片DDR3用于基帶處理過程中信道估計之后數(shù)據(jù)的存儲。具體連接情況和用途如表2所示。

        表2 基帶板上各DDR3用途

        在這些DDR3存儲器中,用于基帶處理過程中的緩存數(shù)據(jù)量最大,因此若該DDR3的存儲能力滿足需求,其他DDR3必然也能夠滿足要求。在計算該DDR3存儲數(shù)據(jù)量時,按照LTE-A下行基帶處理的最大配置來計算,具體配置如表3所示。

        表3 配置信息

        該DDR3存儲以子幀為單位,由36.211協(xié)議[11]可知20 MHz信道帶寬下對應的傳輸帶寬為100個資源塊(RB)。在Normal CP情況下,可以計算一個RB包含了84個資源元素(RE),因此在20 MHz下,一個子幀包含了兩個時隙,可以計算得出一個子幀包含了1 200×14=16 800個RE。每個RE攜帶2個頻域數(shù)據(jù)和4個H值,相當于6個數(shù)據(jù),而每個數(shù)據(jù)包含4 Byte,因此可以計算出每個子幀中需要存儲的最大數(shù)據(jù)量是16 800×6×4=403 200 Byte,即使考慮需要緩沖多個子幀的情況,總的存儲需求也遠遠小于一個DDR3的存儲容量。

        2.3 總線能力分析

        2.3.1 PCIe總線

        PCIe總線將GTXE2收發(fā)器用于Xilinx 7000系列,能夠與XC7Z100芯片完美兼容。XC7Z100芯片支持PCIe總線8B/10B編解碼方式,并且可根據(jù)系統(tǒng)設計要求配置PCIe總線的時鐘以及通道數(shù)[12]。本文中基帶板接收兩路基帶數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)傳輸速率可達到5.0 Gb/s。由于LTE-A空口監(jiān)測儀的背板可插入10塊基帶板用于上下行的基帶處理,因此可以通過配置鎖相環(huán)使得不同的基帶板共享同一個采樣時鐘,保證每塊基帶板的采樣時鐘同步,從而嚴格地在同一時刻進行數(shù)據(jù)采集。

        2.3.2 SATA總線

        在基帶板接收數(shù)據(jù)時,數(shù)據(jù)精度為12 bit,通過PCIe總線以雙通道的方式向基帶板傳輸數(shù)據(jù),傳輸數(shù)據(jù)分為兩路,由此可以計算每秒鐘存儲的基帶數(shù)據(jù)為12×2×2×30.72 Mb=1 474.56 Mb,即mSATA需要的傳輸速率為1.47 Gb/s。

        SATA總線所需的吞吐量遵循LTE-A下行基帶處理中需要的吞吐量,限于篇幅,加之已有前人對LTE-A下行吞吐量進行深入的研究,因此本文直接加以運用。在20 MHz的帶寬下,TDD-LTE單載波下行峰值吞吐量可達到160 Mb/s,Cat5進行測試時,F(xiàn)DD-LTE下行單UE的吞吐量能夠達到127 Mb/s[13-14]。

        SATA接口先后出現(xiàn)了SATA 1.×、SATA 2.×、SATA 3.×版本,最大傳輸速率分別對應1.5 Gb/s、3 Gb/s和6 Gb/s[15]。本設計選用的三星硬盤采用了SATA3.0接口,傳輸速率理論最大可以達到6 Gb/s,接口支持高達600 MB/s帶寬吞吐量,總線的傳輸速率和帶寬吞吐量均能滿足要求。

        2.3.3 DDR總線

        在基帶處理過程中,XC7Z100芯片需要對接收數(shù)據(jù)完成數(shù)據(jù)的處理工作,處理過程如圖2所示。

        基帶板接收的兩路基帶數(shù)據(jù)首先需要解OFDM基帶信號,然后計算出CRS在時頻資源網(wǎng)格中的位置,從而進行導頻分離,將取出的導頻信號進行信道估計,估計輸出的H矩陣作為信號檢測的輸入信號,而用戶參考信號、同步信號以及各個信道資源依次按照其解資源映射規(guī)則進行解資源映射,解出來的各信號以及信道資源依次經(jīng)過信號檢測、解調、解擾、信道譯碼(其中PBCH信道譯碼成功后得到系統(tǒng)信息塊(MIB)),最終把處理結束的比特數(shù)據(jù)上傳到層二處理板進行上層處理。

        XC7Z100芯片中的DDR3控制器最大支持32位寬,考慮到在基帶數(shù)據(jù)的處理過程中信道估計的數(shù)據(jù)量較大,并且需要減少數(shù)據(jù)傳輸過程中的延遲,因此設計中采用兩片16位寬的DDR3并聯(lián)的方式進行緩存。在計算基帶處理過程中每秒傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量之前,需要先確定信道估計后單個RE包含的數(shù)據(jù)量。在信道估計模塊工作時,輸入數(shù)據(jù)為兩路頻域數(shù)據(jù),輸出為估計后的H矩陣,而輸出的H矩陣需要考慮2發(fā)2收模式,因此單個RE的數(shù)據(jù)量包括2個頻域數(shù)據(jù)和4個H值。由于輸入的兩路頻域數(shù)據(jù),每個數(shù)據(jù)包含16 bit的I路數(shù)據(jù)和16 bit的Q路數(shù)據(jù),同樣每個H矩陣包含了16+16=32 bit的數(shù)據(jù)量,因此單個RE攜帶的數(shù)據(jù)量為2×(16+16)+4×32=192 bit,從而可以計算每秒鐘傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量為192×1 200×14×100=322.56 Mb,即基帶處理過程中所需的傳輸速率為322.56 Mb/s。本文所選的型號為MT41K256M16HA-125IT:E的DDR3芯片最高傳輸速率能夠達到1600 Mb/s,并且在XC7Z100芯片中DDR控制器支持的范圍內,符合要求。

        3 測試

        3.1 PCIe接口測試

        LTE-A空口監(jiān)測儀中基帶板提供PCIe Gen2接口,PCIe接口通過P2連接器連接到監(jiān)測儀的PCIe背板。本文通過對PCIe接口進行測試來驗證PCIe信號能夠正常傳輸,若PC機與基帶板的PCIe接口能夠正常連接,則證明PCIe接口功能正常。在測試PCIe通信功能之前需要將基帶板插入到監(jiān)測儀的PCIe機箱中,在設備管理器中查看是否有新硬件顯示,若出現(xiàn)未安裝驅動的新硬件選擇安裝公司提供的PCIe驅動軟件,安裝完成之后,在設備管理器的LTE-A設備中發(fā)現(xiàn)“L1_Xilinx_PCIe”設備,說明基帶板與背板之間的硬件連接沒有問題。如圖3所示,證明了PCIe接口可以正常與PC機通信。

        3.2 DDR3測試

        DDR3以及mSATA的可行性均是通過Vivado工具進行測試驗證。Vivado是2012年Xilinx公司發(fā)布的一套集成設計環(huán)境,該環(huán)境結合了各種可編程技術,能夠在滿足客戶需求的條件下定制設計流程[16]。相比Xilinx的ISE,Vivado工具的出現(xiàn)提升了設計的生產(chǎn)力以及升級擴展能力,加速了FPGA的設計。

        圖2 下行基帶數(shù)據(jù)處理過程

        圖3 PCIe設備測試結果

        在測試DDR3可行性時主要是測試其功能,若DDR3能夠正常讀寫,那么DDR3的可行性就得到了驗證,當然其傳輸速率以及吞吐量同樣能夠滿足要求。雖然基帶板上有5片DDR3分別作三種用途,但是DDR3都是通過Vivado軟件進行可行性測試,并且測試過程相同。因此在DDR3的測試過程中,本文以XC7Z100芯片邏輯部分連接的兩片DDR3為例進行測試,其他DDR3的測試參考該DDR3的測試過程。

        在測試DDR3之前,將PC機連接至基帶板上XC7Z100芯片的JTAG接口,該接口為2×7的連接座,PC機打開Vivado工具,若基帶板不插入機箱中測試,則需要額外提供一個40 MHz的時鐘。測試過程如下所示:

        (1)在例程中打開mig_7series_0_example文件,該文件中存儲了DDR3測試的配置程序;

        (2)建立連接,將Vivado工具連接到基帶板;

        (3)錄入程序,將生成的比特流文件加載到基帶板中;

        (4)確定觸發(fā)信號為上升沿觸發(fā),運行觸發(fā)器,查看數(shù)據(jù)觸發(fā)值,最終觸發(fā)結果如圖4所示。

        圖4 DDR3測試結果

        圖4中信號觸發(fā)值為1,init_calib_complete信號波形顯示為高,說明該DDR3運行正常,由此可以驗證該DDR3存儲器可行。

        3.3 mSATA測試

        mSATA負責存儲基帶板接收的基帶數(shù)據(jù),為了防止測試mSATA過程中基帶板上的其他硬件出現(xiàn)問題,將其放在其他硬件測試結束之后進行測試。與DDR3測試過程相似,通過對mSATA進行功能測試驗證mSATA的傳輸速率以及吞吐量達到要求。在測試之前,將PC機連接至基帶板上XC7Z100芯片的JTAG接口,該接口為2×7的連接座,PC機打開Vivado軟件,測試過程如下所示:

        (1)建立連接,加載測試配置文件;

        (2)添加觸發(fā)信號,修改上升沿觸發(fā);

        (3)點擊觸發(fā),查看link_UP_0是否為高,運行結果如圖5所示。

        圖5 mSATA測試結果

        圖5中觸發(fā)值為1,link_UP_0信號波形顯示為高,說明mSATA運行正常,由此可以驗證mSATA存儲器可行。

        3.4 系統(tǒng)測試

        本文將基帶板卡插入LTE-A空口監(jiān)測儀中,先依照LTE-A空中接口監(jiān)測分析儀表測試規(guī)范要求配置小區(qū)信息,再利用儀表解析其配置信息。通過儀表解析MIB信息的正確性以驗證下行基帶處理流程的正確性。

        以FDD模式為例,配置基站帶寬為20 MHz,輔助被測終端接入該小區(qū),小區(qū)配置信息如圖6所示。

        圖6 小區(qū)配置信息

        圖7 儀表解析出的MIB信息

        圖7為LTE-A空口監(jiān)測儀解析出的MIB信息,解析出的16 bit MIB信息為1010100010100101,其中下行帶寬掩碼為101,表示下行帶寬為20 MHz;信道持續(xù)時間掩碼為0,表示在時域中,每個PHICH組所占的OFDM符號個數(shù)均為1;信道資源掩碼為10,表示phich-Resource參數(shù)為“one”;MIB信息中的systemFrameNumber字段只能傳輸系統(tǒng)幀號的高8位,系統(tǒng)幀號的前8 bit掩碼為00101001;傳輸天線配置端口參數(shù)占2 bit,掩碼為01,表示傳輸天線配置端口為2。

        由此可見,LTE-A空口監(jiān)測儀可正確解析出MIB,驗證了下行基帶處理流程的正確性,同時也進一步驗證了基帶板卡整體設計的可行性。

        4 結束語

        國內對基帶板的研究已經(jīng)日趨成熟,但是目前依然缺少專門對基帶板可行性分析的相關資料,而僅限于通過實現(xiàn)來驗證其可行性。因此本文提出了在硬件設計之前對可行性進行分析,防止在實現(xiàn)時芯片資源不足而導致人力和時間等資源的浪費。本文以LTE-A空口監(jiān)測分析儀的下行基帶板為例進行可行性分析,主要分析FPGA、DDR3、mSATA以及PCIe總線相關的可行性,經(jīng)過最終測試證明了本文提出的可行性分析思路的正確性。本文的研究內容不僅確定了LTE-A空口監(jiān)測儀中基帶板的芯片選型,大大降低了基帶板設計的風險,同時也為其他硬件的芯片選型提供參考。

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