陳昌太
安徽大華半導體科技有限公司(安徽合肥 230001)
塑料封裝(簡稱塑封)是指為了防止物理損傷或化學腐蝕,將芯片用環(huán)氧樹脂模塑料(EMC)進行封裝的注射成型工藝。環(huán)氧樹脂模塑料、芯片和引線框架等多種材料成分的復雜性,以及高密度的I/O,給集成電路塑封工藝帶來了許多挑戰(zhàn)。由于環(huán)氧樹脂模塑料在融化過程中的流動性(黏度)、與結(jié)構(gòu)變形和樹脂的聚合反應(yīng)之間存在復雜的相互作用,早期的塑封模具設(shè)計采用的是傳統(tǒng)的試錯法,由半模試驗來判斷填充過程中的一致性,X-ray 判斷金絲沖彎,晶芯偏移,有無分層的實際情況,根據(jù)實際生產(chǎn)情況,再修改樹脂的配方,模具的澆口和排氣槽等設(shè)計參數(shù),這種事后驗證的方法浪費大量的精力,甚至有可能會以失敗告終。隨著近些年固體動力學以及計算機仿真技術(shù)(CAE)的發(fā)展,出現(xiàn)了眾多可以模擬環(huán)氧樹脂熔融過程流動性的軟體,例如:Moldex3D、MoldFlow。模流分析可以模擬塑封過程中常見的缺陷:填充不完全、氣孔、晶芯偏移、金絲沖彎、塑封后翹曲等等,為塑封工藝的成熟、穩(wěn)定發(fā)展提供了幫助[1~2]。
集成電路塑封的產(chǎn)品外形通常具有復雜的特征——拔模角度、芯片基島、框架引腳等,準確的模型構(gòu)造是模型分析中最關(guān)鍵的部分。模流分析包括:分析模型(見圖1)和材料參數(shù)(見圖2)。分析模型至少要包括塑封產(chǎn)品、流道、澆口、排氣、芯片位置和金絲的三維特征(見圖3)。材料參數(shù)要包括溫度黏度曲線,熱傳導曲線,pvT曲線,密度和固化時間等。由于塑封產(chǎn)品的對稱性(多料筒注塑),為簡化節(jié)省建模和分析時間,可以用單個料筒的注塑過程作為仿真[3]。
圖1 包含塑封體尺寸的分析模型
圖2 材料參數(shù)
圖3 金絲模型
模流分析內(nèi)容主要包括流動性分析和功能性分析,如圖4所示,其中功能性分析是集成電路特有的分析功能。流動性分析主要從填充時間,填充速度,熔接線/面等結(jié)果來判斷填充質(zhì)量的好壞。
圖5顯示了某智能功率器件(IPM)產(chǎn)品在不同時刻流入型腔的樹脂填充狀態(tài)??梢悦黠@看出流動過程中底層的流動速度大于頂層,出現(xiàn)了“反包覆”的現(xiàn)象,在熔合處極易導致氣孔,導致外觀不佳和電氣性的降低。而對于QFN、BGA等單面塑封的產(chǎn)品則不存在此類現(xiàn)象。
圖4 模流分析內(nèi)容
圖5 智能功率器件(IPM)產(chǎn)品樹脂填充狀態(tài)
由于芯片基島以及金絲的影響,樹脂在流動過程中需要繞過這些障礙,匯合到一起形成熔接線。熔接線的位置通常是塑封體結(jié)構(gòu)薄弱點或是表面瑕疵。速度/壓力切換時的結(jié)果表明的是從速度控制切換為壓力控制時(見圖6),在模具中沿流動路徑的壓強分布情況。理想情況下為保證完全填充,在填充結(jié)束時流動路徑末端的壓力應(yīng)為零。使用該分析功能,可以確定注射壓力可能過高的區(qū)域,尤其適用有低注射壓力塑封要求的產(chǎn)品,例如FC、鉭電容等[4]。
圖6 基板類產(chǎn)品塑封過程速度/壓力切換示意圖
塑封后冷卻產(chǎn)生的熱應(yīng)力會導致制品翹曲變形,程度嚴重的甚至會局部開裂。翹曲變形已成為評定注射成型質(zhì)量的重要指標,越來越受到關(guān)注和重視,尤其在晶圓級和面板級的塑封工藝上(見圖7)。翹曲可歸因于以下幾個因素:①由不同區(qū)域間的收縮率變化導致的收縮不均;②由模具的溫度差異導致的冷卻不均;③由材料特性的水平方向與垂直方向上的收縮量變化導致。
圖7 基板類產(chǎn)品翹曲評價
金線沖彎分析是計算封裝過程中,連接芯片和框架引腳的接合線的變形量。此計算可以避免封裝過程中發(fā)生過渡的金線偏移,導致電氣功能失效,通常以金絲偏移指數(shù)來衡量,金絲偏移指數(shù)等于金線最大偏移量除以金線長度(見圖8)。主要受塑封料的黏度影響以及模具的澆口位置和尺寸[5]。
圖8 IPM模流過程金線偏移指數(shù)
本文主要通過注射成型過程的計算機模擬分析,得到環(huán)氧樹脂的流動型和功能性的仿真,對仿真結(jié)果進行可視化評估。通過模流軟件可以對填充過程中可能存在的未填充,晶芯偏移,翹曲等缺陷進行分析,檢驗注射模澆口、排氣槽設(shè)計是否合理并優(yōu)化生產(chǎn)工藝:合模壓力、保壓時間、注射成型速度[5]。通過對多個產(chǎn)品的模流分析,總結(jié)出適用于集成電路塑封模流分析的標準流程和評價策略,為塑封工藝從業(yè)人員提供參考。