房新蕊 張文武 張清 房亮 張東亮
(中國航空工業(yè)集團公司濟南特種結構研究所,高性能電磁窗航空科技重點實驗室 山東省濟南市 250023)
隨著多層次、全方位、寬譜帶的立體電磁探測技術的發(fā)展,基于傳統(tǒng)電磁吸波材料和外形設計的電磁波隱身技術已經(jīng)難以應對將來對武器裝備的全方位隱身性能的需求,超寬帶雷達、米波雷達的發(fā)展對雷達吸波材料也提出了低頻、寬帶等要求。
電磁帶隙結構(Electromagnetic Band-gap, EBG)是一種具有頻率帶隙的新型周期電磁結構,因其同時具有表面波帶隙特性和平面波同相反射特性,已經(jīng)在微波領域得到廣泛的研究與應用[1-4]。
傳統(tǒng)吸波材料通?;?Salisbury 屏原理設計,將損耗層放置在距離金屬表面 1/4 波長處,有效地吸收入射電磁波[5-8]。如果底板為理想磁導體(Perfect magnetic conductor, PMC),就不再有 1/4 波長厚度的限制,損耗層可以放在離底板很近的位置,實現(xiàn)超薄吸波結構?;诖?,本文設計了電阻膜-EBG 復合吸波結構,并采用有限元算法分別對這種結構的吸波特性進行了數(shù)值仿真分析。
入射電磁波從自由空間照射在材料上,依據(jù)Maxwell 方程及邊界條件可知,當電磁波垂直入射時,材料界面的復反射系數(shù)為:
圖1:復合吸波結構仿真示意圖
由此可見,要獲得性能優(yōu)良的吸波材料,必須綜合考慮阻抗匹配和衰減匹配2 種因素,尤其是材料的介電常數(shù)、磁導率和厚度參數(shù)等。
將集總電阻加載型EBG 吸波結構與電阻膜進行組合匹配,設計了如圖1 所示的復合吸波結構。該復合吸波結構包括基于電阻膜的面層結構和介質層、基于EBG 結構的超薄介質層及其金屬襯底。
如圖2 和圖3 所示,對該結構中的電阻膜和EBG 單元參數(shù)進行優(yōu)化設計,幾何參數(shù)為p=7.3mm,a1=0.81mm,方阻R1=500~800Ω/□;a2=1.72m,方阻R2=340~600Ω/□;a3=3.55mm,方 阻R3=150~300Ω/ □,h1=3.4mm,h2=2.5mm,h3=2.4mm,L=7.3mm;d1=1.23mm,g1=4.02mm;d2=3.46mm,g2=1.26mm,t1=3.45mm,t2=2.55mm。其中,金屬材料為厚度0.018mm、電導率為5.8×107S/m 的銅;中間層為介電常數(shù)為2.2、損耗角正切為0.05的介質板。
仿真結果如圖4 和圖5 所示,復合吸波結構在1GHz -4GHz 平均反射率為-8.8dB,在4GHz -16GHz 平均反射率為-11.3dB,且該結構具有較好的角度和極化穩(wěn)定性。
基于多層電阻膜與EBG 設計了一種電阻膜-EBG 的復合吸波結構,通過有限元算法分別對其吸波特性進行了數(shù)值仿真。仿真結果表明:該復合吸波結構,厚度為14.3mm,在1GHz-4GHz 平均反射率為-8.8dB,4GHz-16GHz 平均反射率為-11.3dB,且寬頻范圍內(nèi)具有較好的角域特性。
通過復合結構的匹配設計,可以實現(xiàn)較寬頻帶范圍的阻抗匹配,在兼顧極化無關、寬入射角和寬頻帶的前提下,實現(xiàn)了厚度較薄且強損耗的吸收特性。
圖2:電阻膜單元尺寸結構圖
圖3:EBG 單元尺寸示意圖
圖4:S11 仿真曲線(垂直極化)
圖5:S11 仿真曲線(水平極化)