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        小型化高功率微波功率放大器的實(shí)現(xiàn)

        2020-02-01 03:24:10張東
        電子技術(shù)與軟件工程 2020年9期
        關(guān)鍵詞:設(shè)計(jì)

        張東

        (中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十四研究所 河北省石家莊市 050000)

        高功率微波功率放大器在雷達(dá)、通信等領(lǐng)域有著較為廣泛的應(yīng)用[1]。我國(guó)在微波功率放大器的研究上較歐美一些發(fā)達(dá)國(guó)家更晚,例如日本的富士通、三菱電機(jī)等公司研發(fā)出的放大器芯片較國(guó)產(chǎn)相比整體性能更高、輸出的功率更大[2],在2017年由José Antonio 等人提出的12 路波導(dǎo)微帶探針鏈?zhǔn)胶铣删W(wǎng)絡(luò)有著結(jié)構(gòu)緊湊、體積小的特點(diǎn)[3]。目前行波管制成的功率放大器在市面上較為常見(jiàn),由于在末級(jí)放大器上采用的是電子管,因此會(huì)有體積大、工作電壓力等不足之處。除此之外,我國(guó)工業(yè)領(lǐng)域使用的行波管放大器多數(shù)來(lái)源于進(jìn)口,一旦放大器出現(xiàn)故障維修起來(lái)極為不便。固態(tài)放大器則能夠擺脫行波管放大器的不足之處,且就我國(guó)目前的技術(shù)水平而言完全能夠進(jìn)行自主研發(fā),以此滿足各項(xiàng)工程的需要[4]。本次設(shè)計(jì)應(yīng)用的是20W 輸出功率的GaN 芯片作為末級(jí)放大器的芯片,并采用較小損耗的徑向波導(dǎo)管合成器實(shí)現(xiàn)功分/合成網(wǎng)絡(luò),能夠?qū)崿F(xiàn)小體積并提供大功率輸出。

        1 高功率微波功率放大器設(shè)計(jì)要求

        1.1 主要技術(shù)指標(biāo)

        1.1.1 工作頻段

        放大器在正常工作中有固定的工作頻段范圍,當(dāng)高于最高工作頻段或低于最低工作頻段放大器無(wú)法正常工作,工作頻段決定了功率放大器的帶寬。其中絕對(duì)帶寬定義為:

        其中fh代表的是功率放大器的工作頻率上限,fl代表的是功率放大器的下限。功率放大器的相對(duì)帶寬定義為:

        其中fo是功率放大器的中心頻率,20%是寬帶功率放大器和窄帶功率放大器的界限,當(dāng)功率放大器的相對(duì)帶寬高于這個(gè)值為寬帶功率放大器,小于這個(gè)值則為窄帶功率放大器,一般情況下寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)難度會(huì)更高。

        1.1.2 輸出功率

        射頻信號(hào)傳遞給放大器后,對(duì)于放大器而言能夠輸出的功率值被稱為輸出功率,在功率放大器的設(shè)計(jì)中輸出功率是其最為重要的指標(biāo)之一[5],在放大器設(shè)計(jì)中提升輸出功率也極為不易。同時(shí)放大器還有飽和輸出功率的概念,即激勵(lì)源輸入功率放大器的功率值達(dá)到某一個(gè)數(shù)值之后輸出功率不會(huì)再繼續(xù)增加,放大器的飽和輸出功率一般用Psat表示。

        1.1.3 諧波與雜散

        功率放大器在工作中會(huì)產(chǎn)生諧波,諧波產(chǎn)生的主要條件在于輸入信號(hào)值,對(duì)于功率放大器而言主要關(guān)注的是二次諧波和三次諧波。此外,功率放大器在工作中還可能會(huì)出現(xiàn)信號(hào)失真,這種非諧波關(guān)系也被稱為雜散。

        1.2 功率合成技術(shù)

        功率合成技術(shù)通常應(yīng)用在實(shí)現(xiàn)大功率輸出中,要想實(shí)現(xiàn)高功率微波功率放大器的關(guān)鍵在于功率合成技術(shù),包含電路合成、晶體管合成以及空間合成。

        電路合成主要依托于帶狀線和微狀線實(shí)現(xiàn)功率合成,這種合成器容易使得電場(chǎng)強(qiáng)度過(guò)度集中而發(fā)生電擊穿現(xiàn)象,因此在介質(zhì)材料的選擇上優(yōu)先考慮厚度較高的類型。當(dāng)在高頻率的環(huán)境中使用電路合成器為了避免介質(zhì)導(dǎo)熱率不足而散熱出現(xiàn)問(wèn)題,一般只會(huì)對(duì)兩個(gè)放大器芯片進(jìn)行功率合成,這種合成方式難以滿足大功率的需求,因此在本次設(shè)計(jì)中不適用。

        晶體管合成主要是在放大器內(nèi)部將多個(gè)半導(dǎo)體晶體級(jí)聯(lián),如圖1所示。這種功率合成方式由于為了避免晶體管合成路數(shù)過(guò)高而產(chǎn)生高熱量,因此在大功率的選擇上也不太適用。

        空間合成更適合大功率的合成,主要原因在于空間合成具有更大容量的功率空間,但由于空間合成器的結(jié)構(gòu)相比其他合成器也更為復(fù)雜,因此使用空間功率合成技術(shù)的難度也是比較大的。

        2 關(guān)鍵技術(shù)設(shè)計(jì)

        2.1 放大鏈路設(shè)計(jì)

        2.1.1 設(shè)計(jì)指標(biāo)

        (1)輸入接口:SMA-K;

        (2)輸出接口:BJ120;

        (3)工作頻段:10.5GHz-13.5GHz;

        (4)增益:59dB;

        (5)增益平坦度:3dB;

        (6)輸出飽和功率:800w;

        (7)輸入駐波比:1.25:1Max;

        (8)輸出駐波比:1.30:1Max;

        (9)雜波:-65dBc;

        (10)諧波:-40dBc。

        2.1.2 放大鏈路設(shè)計(jì)

        在放大鏈路的設(shè)計(jì)上采用的是固態(tài)設(shè)計(jì),需要使用功率合成技術(shù)以此獲得高功率。而本次功率放大器本著小型化的設(shè)計(jì)原則,在末級(jí)芯片的選擇上采用的是目標(biāo)頻段輸出功率最大的GaN 芯片(NC116124C-1113P25 芯片),其增益曲線和功率曲線如圖2所示。

        從GaN 芯片的增益曲線圖和功率曲線圖可以看出,在工作頻段的輸出功率在25W 左右,而工作頻段外的輸出功率跌幅較大,在工作頻段的的增益為20dB 左右。為確保整機(jī)功率在工作頻段輸出達(dá)到800W,以3dB 電橋合成為兩路基礎(chǔ)模塊,假設(shè)末級(jí)多路合成效率為95%計(jì)算,需要至少26 路基礎(chǔ)模塊合成,采取的是徑向波導(dǎo)合成方式。為了本著更小體型的設(shè)計(jì),最終合成器采用的是BJ120 波導(dǎo)口。

        在驅(qū)動(dòng)功放鏈路的設(shè)計(jì)如圖3所示,共設(shè)計(jì)了三級(jí)放大,且在每級(jí)中都有加入隔離器,目的是為了防止除了整機(jī)增益過(guò)大的自激現(xiàn)象。功率放大器射頻鏈路設(shè)計(jì)了驅(qū)動(dòng)放大和末級(jí)放大,功能在于獲得增益和提供大功率輸出。

        圖1:晶體管兩路功率合成示意圖

        圖2:GaN 芯片的增益曲線和功率曲線

        2.2 功分/合成網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)

        公分/合成網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的主要目的在于降低功耗及將輸出功率進(jìn)行合成,由于本次設(shè)計(jì)的功率放大器為高功率,因此還需要重點(diǎn)考慮合成網(wǎng)絡(luò)的散熱問(wèn)題,而由于放大模塊的數(shù)量較多,在端口的空間設(shè)計(jì)上各端口間保持了良好的距離,避免端口間出現(xiàn)干擾現(xiàn)象。

        這里選擇的是徑向波導(dǎo)公分/合成器,由于徑向波導(dǎo)功率合成技術(shù)在散熱性能上較好,且擁有較低的損耗和較高的效率,對(duì)于本次小型化高功率微波功率放大器的設(shè)計(jì)是非貼合。圖4 顯示的是徑向波導(dǎo)公分/合成器傳輸系數(shù)和反射系數(shù)的仿真結(jié)果,從圖4 中數(shù)據(jù)顯示能夠判斷出徑向波導(dǎo)合成器性能的好壞。

        從圖4 中可以看出徑向波導(dǎo)合成器輸口端的發(fā)射系數(shù)在-10.08dB 以下,背靠背損耗最大為0.42dB。由此反映出在功率合成的過(guò)程中端口匹配還沒(méi)達(dá)到一個(gè)理想狀態(tài),但對(duì)于本次設(shè)計(jì)的要求還是能夠滿足。

        圖3:驅(qū)動(dòng)功放鏈路圖

        圖4:徑向波導(dǎo)合成器傳輸系數(shù)及反射系數(shù)仿真圖

        2.3 小型化設(shè)計(jì)

        本次設(shè)計(jì)的功率放大器還有小型化的特點(diǎn),在小型化設(shè)計(jì)上不僅需要采用更小的體積,還需要考慮到散熱、減重等綜合因素,因此在外殼和射頻基板上采用了一體化設(shè)計(jì),放大器內(nèi)部構(gòu)造從上至下分別為儲(chǔ)能電路、射頻電路以及負(fù)壓保護(hù)電路。在放大器的底面采用的是鋁制基板,這種材料的基板在散熱、減重性能上更好。在基板外設(shè)計(jì)了散熱齒,功率放大器運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生的環(huán)控風(fēng)能夠?qū)⒁徊糠譄崃可⑷?。在板材上選擇的是高介電常數(shù)板材,該板材的介電常數(shù)為10.2,因此能夠減少放大器的設(shè)計(jì)尺寸。

        3 結(jié)論

        本次小型化高功率微波功率放大器的設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)測(cè)試符合要求,根據(jù)相關(guān)指標(biāo)采用了較為科學(xué)的鏈路設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)了三級(jí)放大,且每級(jí)放大中都有加入隔離器防止整機(jī)增益過(guò)大的自激現(xiàn)象,并設(shè)計(jì)出了26 路合成的功分/合成網(wǎng)絡(luò),各端口之間的距離進(jìn)行了合理的把控,避免端口間出現(xiàn)干擾,保證工作在Ku波段(10,5GHz-13.5GHz)的輸出功率在800W 以上,該網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)緊湊滿足了小型化的特點(diǎn),且能夠提供較大功率的輸出,對(duì)于雷達(dá)、通信等領(lǐng)域能夠得到一定的借鑒。

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