半導(dǎo)體塑料中可進(jìn)行離子交換

離子交換廣泛應(yīng)用于凈水、蛋白質(zhì)分離純化和工業(yè)污水處理等，是生活中不可或缺的化學(xué)現(xiàn)象。日本東京大學(xué)研究發(fā)現(xiàn)一個(gè)創(chuàng)新性原理，即利用這種極為普遍的離子交換，可以控制半導(dǎo)體塑料的電子狀態(tài)。利用該原理，研究小組精確控制了半導(dǎo)體塑料的電子狀態(tài)，成功實(shí)現(xiàn)了具有金屬性質(zhì)的塑料。

此次發(fā)現(xiàn)的方法在大面積、室溫附近溶液工序中都很容易實(shí)現(xiàn)，能顯著提高半導(dǎo)體塑料的摻雜量、結(jié)晶性、熱耐久性和傳導(dǎo)特性。通過(guò)選擇各種離子性化合物，今后還可以進(jìn)一步控制傳導(dǎo)特性和物理化學(xué)特性，有望促進(jìn)離子電子器件的實(shí)現(xiàn)。（科技日?qǐng)?bào)）

麻省理工學(xué)院研發(fā)基于鉆石的量子傳感器

麻省理工學(xué)院研究人員率先在硅芯片上創(chuàng)建了基于鉆石的量子傳感器。該團(tuán)隊(duì)認(rèn)為，這種技術(shù)在未來(lái)將低成本制造可擴(kuò)展硬件，這些硬件將用于量子計(jì)算，傳感和通信。該技術(shù)突破利用了所謂的“氮空位（NV）中心”。

鉆石的NV中心是帶電子的缺陷，可以被光和微波操縱。作為對(duì)這種操控的回應(yīng)，它們發(fā)出彩色圖像，這些圖像攜帶關(guān)于周?chē)艌?chǎng)和電場(chǎng)的量子信息。這些數(shù)據(jù)可以用于生物傳感、神經(jīng)成像、目標(biāo)檢測(cè)和其他傳感應(yīng)用。

研究小組指出，傳統(tǒng)的NV傳感器大小相當(dāng)于廚房桌子，并且還需要其它大型組件，從而限制了傳感器的實(shí)用性和靈活性。麻省理工學(xué)院團(tuán)隊(duì)已經(jīng)研究出如何使用傳統(tǒng)半導(dǎo)體制造技術(shù)，將包括微波發(fā)生器，濾光器和光電探測(cè)器等組件集成到毫米級(jí)封裝中。

該傳感器在室溫下工作，可以感應(yīng)方向和磁場(chǎng)強(qiáng)度。該團(tuán)隊(duì)能夠使用這種傳感器來(lái)測(cè)量原子尺度的頻率變化。該數(shù)據(jù)可能包含有關(guān)環(huán)境的信息。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

SK Siltron擬收購(gòu)DuPont碳化硅晶圓業(yè)務(wù)

SK Siltron董事會(huì)通過(guò)決議，將收購(gòu)杜邦（DuPont）碳化硅（SiC）晶圓事業(yè)，收購(gòu)額為4.5億美元，計(jì)劃在2019年內(nèi)完成收購(gòu)。

SK Siltron負(fù)責(zé)人表示，此舉是呼應(yīng)韓國(guó)政府推動(dòng)的材料技術(shù)自立化政策，且也是為了確保全球競(jìng)爭(zhēng)力。SK Siltron認(rèn)為，在硅晶圓領(lǐng)域要追上日本難度很大，因此將會(huì)在次世代技術(shù)上尋求機(jī)會(huì)。目前能量產(chǎn)SiC晶圓的廠商除了杜邦之外，還有日本昭和電工、Denso、住友等。SK Siltrons年?duì)I收規(guī)模約1.3萬(wàn)億韓元，而此次收購(gòu)額超過(guò)其年?duì)I收的1/3。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

歐司朗正在研發(fā)第2代EVIYOS，將突破25 600個(gè)像素點(diǎn)

日前，歐司朗表示，歐司朗正在研發(fā)第2代Eviyos，正在單個(gè)LED芯片上開(kāi)發(fā)突破性的25 600個(gè)像素點(diǎn)，面積僅為40 mm2。各個(gè)光像素聚集在一起的像素間距僅為40μm，從而節(jié)省了空間。

歐司朗光電半導(dǎo)體副總裁兼汽車(chē)業(yè)務(wù)總經(jīng)理WolfgangLex表示說(shuō)：“第2代Eviyos具有25 600個(gè)以上可單獨(dú)控制的像素，將高清質(zhì)量的燈光投射到路上。將來(lái)，汽車(chē)能夠向駕駛員或其他道路使用者顯示警告或符號(hào)”，“有了這款產(chǎn)品，在靠近車(chē)輛時(shí)，車(chē)主也會(huì)收到各種的歡迎場(chǎng)景?！?/p>

此外，汽車(chē)照明Eviyos系列的一大基本功能是在特定情況下僅點(diǎn)亮所需的像素，這意味著僅消耗必要的能源。第2代Eviyos可以以前所未有的精度逐漸熄滅某個(gè)區(qū)域，而其他區(qū)域則在全光照下發(fā)光。根據(jù)應(yīng)用的不同，用戶還可將多個(gè)Eviyos彼此組合或與其他常規(guī)LED組合。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

意法半導(dǎo)體推出低失真高壓LED驅(qū)動(dòng)器

近日，意法半導(dǎo)體發(fā)布HVLED007AC/DCLED驅(qū)動(dòng)器，采用新的失真抑制輸入電流整形（ICS）電路，使節(jié)能型固態(tài)燈具符合日益嚴(yán)格的照明規(guī)定。

HVLED007是一個(gè)峰值電流模式PFC控制器，為隔離式高功率因數(shù)準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)，ICS電路確保電網(wǎng)輸入電流是真正的正弦交變電流，在整個(gè)負(fù)載和輸入電壓范圍內(nèi)，輸入電流總諧波失真（THD）極低，在滿負(fù)荷時(shí)低于5%。功率因數(shù)接近1，最高能效高于90%，HVLED007允許設(shè)計(jì)人員僅用一個(gè)控制IC驅(qū)動(dòng)多個(gè)高達(dá)80W的中高功率LED照明燈具。

HVLED007完善了意法半導(dǎo)體的HVLED系列直接用電網(wǎng)整流電源驅(qū)動(dòng)LED燈具的數(shù)字IC產(chǎn)品。HVLED驅(qū)動(dòng)器集成先進(jìn)的功能，支持經(jīng)濟(jì)的原邊穩(wěn)壓功能，可降低材料成本和電路尺寸，同時(shí)提高系統(tǒng)可靠性和照明性能。

HVLED007的最低工作溫度為-40℃，可用于路燈等室外照明以及室內(nèi)照明。圖騰柱輸出級(jí)源出電流600mA，灌入電流800mA，除了照明應(yīng)用外，HVLED007還可用于高達(dá)100W的EN61000—3—2標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)關(guān)式電源。芯片內(nèi)置保護(hù)功能包括短路保護(hù)、過(guò)載保護(hù)和過(guò)壓保護(hù)。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

日亞化與英飛凌合作開(kāi)發(fā)車(chē)用高清Micro LED矩陣燈

日前，日亞化（NichiaCorporation）和英飛凌（Infineon）開(kāi)展合作，目前正共同開(kāi)發(fā)一種高清（HD）光引擎，其中有超過(guò)16 000個(gè)MicroLED用于前照燈應(yīng)用。與目前的高清解決方案不同，新設(shè)備將為駕駛員提供高分辨率光。

日亞化高級(jí)研發(fā)中心負(fù)責(zé)人KanjiBando表示：“我們的新型LED矩陣燈的分辨率將達(dá)到目前道路上同類(lèi)解決方案的180倍”，“這將為全新的和改進(jìn)的安全功能鋪平道路并提高駕駛舒適性?！崩?，高清燈可用于通過(guò)突出路邊的人或物體來(lái)警告駕駛員；它也可以在道路上投射標(biāo)記——例如，幫助駕駛員在建筑工地中進(jìn)行駕駛；此外，無(wú)眩光遠(yuǎn)光燈或彎曲燈等可以更精確、更平穩(wěn)地運(yùn)行。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

全球第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專(zhuān)利總量近9萬(wàn)項(xiàng)

在第3代半導(dǎo)體領(lǐng)域，美國(guó)早期領(lǐng)銜全球?qū)＠鲩L(zhǎng)，而2010年前后我國(guó)的申請(qǐng)量首次超過(guò)美國(guó)。截止到2018年9月30日，第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專(zhuān)利總量約為87510項(xiàng)。其中，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、其他金屬氧化物3種主要材料申請(qǐng)數(shù)量較為接近。而SiC在功率半導(dǎo)體和器件工藝方面較為熱門(mén)，GaN在外延生長(zhǎng)和光電子方面較為突出。

在氮化物同質(zhì)襯底技術(shù)方面，三菱公司提出改進(jìn)品質(zhì)和厚度的GaN單晶制造法和具有低位錯(cuò)密度的GaN族晶體基底部及用途，LG公司則優(yōu)化快速形成單晶GaN半導(dǎo)體襯底方法；住友公司利用磨削將在表面上具有C面的氮化物半導(dǎo)體襯底的表面加工為面粗糙度Rms5 nm～200 nm。涉及藍(lán)寶石襯底技術(shù)，索尼公司改進(jìn)藍(lán)寶石襯底蝕刻方法。

在GaN外延生長(zhǎng)方面，基于同質(zhì)襯底生長(zhǎng)，三星公司提出一種以高生長(zhǎng)速率生長(zhǎng)高質(zhì)量GaN膜的方法；住友公司提出氣相成長(zhǎng)的成長(zhǎng)表面不是平面狀態(tài)而形成具有三維的小面結(jié)構(gòu)單晶體GaN的結(jié)晶成長(zhǎng)方法；住友公司提出一種可以收取氧作為n型摻雜劑的GaN單晶的成長(zhǎng)方法；法國(guó)國(guó)家科學(xué)研究中心提出通過(guò)在犧牲層上的異質(zhì)外延制造包含Ⅲ氮化物的自承基材的方法。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

航天科工203所表貼溫補(bǔ)晶體實(shí)現(xiàn)小型化封裝 填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白

日前，航天科工203所研發(fā)成功一款表貼溫補(bǔ)晶體振蕩器產(chǎn)品，具有體積?。ㄏ鄬?duì)以往同類(lèi)產(chǎn)品體積縮小50%）、工作溫度范圍寬（最低工作溫度從-40℃降低至-55℃，比普通溫補(bǔ)晶振擴(kuò)展了15℃）、可靠性高（可經(jīng)受10kg沖擊能力）的特點(diǎn)，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域空白。溫補(bǔ)晶體振蕩器作為頻率源的“心臟”器件，為電子設(shè)備提供高穩(wěn)定的頻率和時(shí)鐘信號(hào)，對(duì)整機(jī)性能起著舉足輕重的作用。該溫補(bǔ)晶體振蕩器采用石英諧振器小型化設(shè)計(jì)、寬溫頻率穩(wěn)定性設(shè)計(jì)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了小型化和更寬溫度范圍下的高精度指標(biāo)。

該產(chǎn)品可應(yīng)用于航天飛船、火箭、衛(wèi)星及航空機(jī)載等領(lǐng)域的通信和控制系統(tǒng)，為整機(jī)提供穩(wěn)定的頻率基準(zhǔn)信號(hào)，具有廣闊市場(chǎng)前景。（中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)）

中科院深圳先進(jìn)院在可自展開(kāi)智能柔性神經(jīng)電極研發(fā)方面取得進(jìn)展

近日，中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院納米調(diào)控與生物力學(xué)研究中心副研究員杜學(xué)敏團(tuán)隊(duì)和微納系統(tǒng)與仿生醫(yī)學(xué)研究中心研究員吳天準(zhǔn)團(tuán)隊(duì)合作研發(fā)出新型可自適應(yīng)形變的高密度寬幅柔性神經(jīng)電極，在近人體體溫條件下可由微管狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂刑囟A(yù)設(shè)曲率的展開(kāi)狀態(tài)，從而有效貼合曲面組織，有望提升神經(jīng)電極的刺激效率。

研究發(fā)現(xiàn)，具有形狀記憶高分子涂層的高密度寬幅神經(jīng)電極可在室溫下塑形為直徑約為2mm的微管臨時(shí)形狀，從而適用于眼球內(nèi)的微創(chuàng)植入；在近人體體溫的溫度條件下，該電極可在類(lèi)似人體眼球高黏度環(huán)境的硅油中自展開(kāi)成具有預(yù)設(shè)曲率的永久形狀，從而有效貼合視網(wǎng)膜。這種神經(jīng)電極由于有著較高密度的電極位點(diǎn)和較傳統(tǒng)電極更大的尺寸，有望獲得高分辨、寬可視角的刺激視野。并且，由于基底材料間合適的力學(xué)性能匹配度，這種高精度的神經(jīng)電極在反復(fù)的卷曲和展開(kāi)過(guò)程中依然可以保持較好的電極連接有效性。（中國(guó)科學(xué)院）

中科院化學(xué)所在高效單組份有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管方面取得進(jìn)展

最近，在前期研究的基礎(chǔ)上，科研人員利用課題組發(fā)展的高遷移率發(fā)光有機(jī)半導(dǎo)體材料2，6—diphenylanthracene（DPA）和2，6—di（2—naphthyl） anthracene（dNaAnt）作為活性層構(gòu)筑了單組分有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管?；诓粚?duì)稱(chēng)器件結(jié)構(gòu)和界面能級(jí)調(diào)控策略實(shí)現(xiàn)了OLET器件中高效平衡的雙極性注入和傳輸。研究表明，所構(gòu)筑DPA—和dNaAnt—OLET器件均展現(xiàn)了穩(wěn)定且較強(qiáng)的溝道發(fā)光特性，在柵壓調(diào)控下，其電子和空穴復(fù)合發(fā)光位置在p型溝道和n型溝道中均可得到很好的調(diào)控，證實(shí)其典型的雙極性發(fā)光特性。并且，所構(gòu)筑DPA—和dNaAnt—OLET器件最大外量子效率（EQE）分別達(dá)到1.61%和1.75%，為目前報(bào)道的單組份OLET器件的最高值。同時(shí)，DPA—和dNaAnt—OLET器件分別展現(xiàn)了高的發(fā)光亮度（1 210 cd/m2和3 180 cd/m2）和大的電流密度（1.3 kA/cm2和8.4 kA/cm2）。（中國(guó)科學(xué)院）

中科院上海硅酸鹽所在碳化硅單晶基光導(dǎo)開(kāi)關(guān)研究中取得進(jìn)展

近期，中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所碳化硅晶體項(xiàng)目部在開(kāi)展碳化硅晶錠制備和晶圓片加工的同時(shí)，與相關(guān)應(yīng)用單位緊密合作，持續(xù)開(kāi)展碳化硅基光導(dǎo)開(kāi)關(guān)原理研究和器件制備實(shí)驗(yàn)，研制成功多款器件并完成了應(yīng)用驗(yàn)證。

進(jìn)一步降低器件導(dǎo)通電阻是碳化硅基光導(dǎo)開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用的技術(shù)關(guān)鍵，器件導(dǎo)通電阻與基底材料的結(jié)晶質(zhì)量、電極的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料選取及其制作工藝等諸多要素密切相關(guān)。2019年，為檢測(cè)器件接近真實(shí)應(yīng)用條件的導(dǎo)通電阻，團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了精確測(cè)量碳化硅單晶基光導(dǎo)開(kāi)關(guān)納秒量級(jí)瞬態(tài)光電導(dǎo)的新方法，在此基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了不改變器件結(jié)構(gòu)、僅改變光源參數(shù)連續(xù)調(diào)控碳化硅單晶基光導(dǎo)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻。（中國(guó)科學(xué)院）

我國(guó)首片自主研發(fā)的8.5代TFT—LCD玻璃基板下線

9月18日，我國(guó)首片8.5代TFT—LCD玻璃基板在安徽蚌埠下線。我國(guó)成為全球第3個(gè)掌握高世代TFT—LCD玻璃基板生產(chǎn)技術(shù)的國(guó)家。

TFT—LCD玻璃基板是液晶顯示面板的核心部件，是電子信息顯示產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵戰(zhàn)略材料，其核心技術(shù)長(zhǎng)期被少數(shù)幾家國(guó)外企業(yè)所壟斷。

為推動(dòng)我國(guó)信息顯示產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展，在國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“重點(diǎn)基礎(chǔ)材料技術(shù)提升與產(chǎn)業(yè)化”專(zhuān)項(xiàng)支持下，中建材蚌埠玻璃工業(yè)設(shè)計(jì)研究院牽頭承擔(dān)了“高世代電子玻璃基板和蓋板核心技術(shù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化示范”項(xiàng)目。經(jīng)過(guò)3年多的持續(xù)攻關(guān)，該項(xiàng)目取得了一系列階段性重大成果，先后攻克了能夠同時(shí)滿足理化和工藝性能的玻璃基板化學(xué)組成與配方。（經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)）

首條高世代OLED生產(chǎn)線投產(chǎn)

近日，我國(guó)首條高世代OLED面板線——LG Display廣州OLED項(xiàng)目正式投產(chǎn)，成為全球最大尺寸和最先進(jìn)的8.5代OLED生產(chǎn)線。該項(xiàng)目總投資約460億元，預(yù)計(jì)到2021年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能9萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值約200億元。屆時(shí)，以LG Display為龍頭的平板顯示產(chǎn)業(yè)集群年產(chǎn)值將達(dá)1200億元，廣州將一躍成為全球OLED戰(zhàn)略基地。

LG Display廣州OLED項(xiàng)目主要產(chǎn)品為4K超高清55英寸、65英寸、77英寸等大尺寸電視用OLED面板。該項(xiàng)目占地面積19萬(wàn)m2，布局全球領(lǐng)先的智能生產(chǎn)線。（經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)）