吳振東，梁海英，鞠 薇，焦學(xué)勝，陳東風(fēng)，傅元勇

(中國(guó)原子能科學(xué)研究院 核物理研究所，北京 102413)

1958年Young[1]使用掃描電子顯微鏡觀察裂變碎片輻照LiF的蝕刻坑時(shí)發(fā)現(xiàn)了離子徑跡，之后陸續(xù)發(fā)現(xiàn)裂變碎片和荷能重離子能在各種天然礦物、無機(jī)晶體、玻璃和有機(jī)聚合物材料中產(chǎn)生離子徑跡?；瘜W(xué)蝕刻處理會(huì)使離子徑跡擴(kuò)大，用普通光學(xué)顯微鏡即可觀察到相應(yīng)的蝕刻微孔或蝕坑。研究人員利用這一原理，選用適當(dāng)?shù)墓腆w材料研制了固體徑跡探測(cè)器[2]，開發(fā)出粒子檢測(cè)和識(shí)別的徑跡蝕刻技術(shù)。目前，與離子徑跡相關(guān)的離子輻照、徑跡蝕刻等技術(shù)在固體徑跡探測(cè)器、地質(zhì)測(cè)年[3-4]、地質(zhì)熱史[5-6]、輻射計(jì)量[7]、微孔過濾膜[8-9]、納米材料[10-12]等方面得到了廣泛的研究與應(yīng)用。

離子徑跡形成后會(huì)隨其所處的環(huán)境和時(shí)間而動(dòng)態(tài)演變。在含氧化性氣體的環(huán)境中，離子徑跡會(huì)發(fā)生陳化效應(yīng)。在含氧氣和光照的環(huán)境中，離子徑跡會(huì)發(fā)生光氧化效應(yīng)。溫度對(duì)離子徑跡也有影響。在高溫環(huán)境中，離子徑跡會(huì)因擴(kuò)散、相變等效應(yīng)的影響而逐漸減退，使得材料表現(xiàn)出整體或部分修復(fù)的效果，這一現(xiàn)象稱為退火。天然礦物和固體徑跡探測(cè)器都存在徑跡退火現(xiàn)象。天然礦物中離子徑跡的退火效應(yīng)對(duì)地質(zhì)年代的測(cè)定有很大影響[13]，固體離子徑跡探測(cè)器的退火效應(yīng)[14-16]會(huì)影響探測(cè)數(shù)據(jù)的可靠性和準(zhǔn)確性，因此得到廣泛重視和研究。核孔膜作為一種性能獨(dú)特的多孔材料，其研究和應(yīng)用正在逐步擴(kuò)大。退火效應(yīng)會(huì)使離子徑跡發(fā)生變化，在蝕刻時(shí)，化學(xué)蝕刻動(dòng)力學(xué)過程會(huì)受到影響，會(huì)改變離子徑跡微孔的形狀[17]。研究薄膜材料中離子徑跡的熱退火效應(yīng)，掌握其規(guī)律，對(duì)控制蝕刻條件、改善核徑跡微孔的性能有重要意義。

聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜是生產(chǎn)核孔膜最常用的原材料，研究PET薄膜中重離子徑跡的退火效應(yīng)有益于優(yōu)化PET核孔膜工藝參數(shù)和提高PET核孔膜品質(zhì)。本文擬采用局部熱處理的方法，對(duì)帶有重離子徑跡的PET薄膜進(jìn)行局部熱退火，經(jīng)化學(xué)蝕刻制成核孔膜后，使用顯微鏡觀測(cè)微孔，通過微孔的變化來研究離子徑跡的熱退火效應(yīng)。

1 實(shí)驗(yàn)

選用PET薄膜(濰坊凱麗包裝材料有限公司)作為離子徑跡載體，厚度為(30.5±0.2) μm。

輻照實(shí)驗(yàn)在中國(guó)原子能科學(xué)研究院HI-13串列加速器左70°束流線的重離子輻照靶室內(nèi)完成。實(shí)驗(yàn)選用32S離子束輻照PET薄膜，加速器提供的離子束流穿過12.5 μm厚聚酰亞胺(PI)薄膜輻照窗后進(jìn)入低真空輻照靶室，均勻輻照在PET薄膜上。離子束流的初始能量為140.0 MeV，穿過輻照窗后能量有一定的衰減。為確定輻照PET薄膜的離子能量，使用SRIM-2013軟件包中的Ion Stopping & Range Tables程序[7-8]計(jì)算不同能量的32S離子在PI薄膜中的射程，如圖1所示。由圖1可知，32S離子穿過PI薄膜后的剩余能量為113.7 MeV。重離子輻照靶室為低真空靶室，真空度約為100 Pa。從輻照窗到PET薄膜之間的距離為5 cm，低真空對(duì)離子束能量的影響可忽略不計(jì)，即可認(rèn)為輻照到PET薄膜上的離子束的能量為113.7 MeV。

圖1 32S離子在PI薄膜中的射程Fig.1 Projected range of 32S ion in PI film

圖2 32S離子在PET薄膜中的射程Fig.2 Projected range of 32S ion in PET film

為確定離子是否穿透PET薄膜，使用SRIM-2013計(jì)算了不同能量的32S離子在PET薄膜中的射程，結(jié)果示于圖2。由圖2可知，113.7 MeV的32S離子在PET薄膜材料中的射程為41.9 μm，遠(yuǎn)大于PET薄膜厚度，說明離子可穿透PET薄膜，形成貫通薄膜的離子徑跡。32S離子穿過30.5 μm的PET薄膜，能量損失為84.5 MeV，平均能量損失率(線性能量轉(zhuǎn)移值LET)為2.77 keV/nm，剩余能量為29.2 MeV。

實(shí)驗(yàn)采用自制溫控加熱器接觸加熱的方法對(duì)32S離子輻照后的PET薄膜進(jìn)行局部離子徑跡退火。自制加熱器的結(jié)構(gòu)示于圖3。加熱器的前端為3 mm×5 mm的長(zhǎng)方形拋光端面，可與薄膜緊密接觸。溫度傳感器盡可能與長(zhǎng)方形端面靠近，以減小測(cè)量溫度與端面實(shí)際溫度的偏差。加熱管通過PID溫度控制器進(jìn)行控制，以維持加熱器溫度穩(wěn)定。

圖3 加熱器結(jié)構(gòu)Fig.3 Structure of self-made heater

退火步驟如下。

1) 將PID溫度控制器目標(biāo)溫度設(shè)定為選定的退火溫度，并開始運(yùn)行。

2) 待測(cè)量溫度穩(wěn)定到目標(biāo)溫度±0.2 ℃范圍內(nèi)后，用加熱器前端長(zhǎng)方形平面與薄膜接觸，并施加適當(dāng)壓力以保證緊密接觸導(dǎo)熱，同時(shí)開啟定時(shí)器。

3) 到達(dá)預(yù)定熱處理時(shí)間后，迅速將加熱器與薄膜分開。

熱處理溫度是離子徑跡退火效應(yīng)的主要影響因素。實(shí)驗(yàn)研究了不同熱處理溫度下PET薄膜中離子徑跡的退火效應(yīng)。在70～250 ℃溫度范圍內(nèi)間隔10 ℃選取溫度點(diǎn)設(shè)置加熱器溫度。加熱器測(cè)量的溫度為加熱器內(nèi)部溫度，由于表面散熱的影響，熱處理時(shí)與薄膜緊密接觸的長(zhǎng)方形端面的表面溫度低于測(cè)量溫度。加熱器本體采用黃銅制成，導(dǎo)熱效果好，且加熱器體積小，溫度傳感器與長(zhǎng)方形端面的距離很近，長(zhǎng)方形端面處的表面溫度與加熱器內(nèi)部溫度差很小，即實(shí)際退火溫度略低于溫度傳感器測(cè)量的溫度。為進(jìn)行對(duì)比，不同溫度的局部熱處理都在同一張薄膜上進(jìn)行，按照一定的間隔排成一行，且熱處理時(shí)間相同，均為5 s。在溫度較低時(shí)，熱處理操作在薄膜上只留有輕微壓痕；隨著退火溫度的升高，薄膜會(huì)出現(xiàn)熱變形，且溫度越高變形越大；當(dāng)退火溫度達(dá)到250 ℃時(shí)，薄膜軟化熔融。

熱處理時(shí)間對(duì)離子徑跡的退火效應(yīng)有重要影響。在熱處理溫度為150 ℃下，對(duì)薄膜進(jìn)行不同時(shí)間的局部熱處理。熱處理時(shí)間分別為1、2、4、8、16、32、64、128、300 s。同樣地，不同時(shí)間的局部熱處理也都在同一張薄膜上完成，并按照一定的間隔排成一行。

將已進(jìn)行局部熱處理的薄膜樣品進(jìn)行化學(xué)蝕刻處理，制成核孔膜，以通過觀測(cè)離子徑跡蝕刻微孔的變化來研究熱處理對(duì)離子徑跡的影響。實(shí)驗(yàn)使用蝕刻PET核孔膜常用的方法對(duì)樣品進(jìn)行處理，蝕刻液為6 mol/L的NaOH溶液，在60 ℃下蝕刻120 min。取出后用0.1 mol/L的稀HCl溶液浸泡5 min，再用純凈水浸洗5 min，取出后50 ℃恒溫烘干，完成核孔膜樣品制作。使用光學(xué)顯微鏡對(duì)核孔膜樣品進(jìn)行觀測(cè)，對(duì)每個(gè)局部熱處理部位進(jìn)行觀察并使用數(shù)碼相機(jī)拍攝顯微圖像。

2 結(jié)果與討論

PET薄膜經(jīng)5 s、70～240 ℃熱處理后制作的核孔膜樣品照片示于圖4。

PET薄膜樣品經(jīng)2 s、150 ℃熱處理后經(jīng)蝕刻處理得到的樣品在熱處理位置邊緣處的顯微圖像示于圖5，該圖像由相機(jī)從目鏡拍攝。從圖5可看出，經(jīng)過熱處理的部位與未經(jīng)熱處理的部位之間有明顯差異，有較明顯的分界線。經(jīng)過熱處理部位的微孔明顯小于未經(jīng)過熱處理部位的微孔，且前者的黑邊明顯較后者的寬。這說明經(jīng)過2 s、150 ℃熱處理后，PET薄膜中的離子徑跡可能發(fā)生了變化，出現(xiàn)了離子徑跡退火效應(yīng)，使得離子徑跡的選擇性化學(xué)活度降低，徑跡蝕刻速率變小，反映在相應(yīng)的核孔膜樣品上即為微孔變小。

圖4 局部熱處理后制作的PET核孔膜樣品Fig.4 Photograph of track-etched membrane made from partial thermal treatment PET film

圖5 熱處理區(qū)域邊緣處顯微圖像Fig.5 Micrograph of thermal treatment region edge

經(jīng)5 s、70～240 ℃熱處理后制作的核孔膜在對(duì)應(yīng)處理位置的顯微圖像示于圖6。由圖6可見，經(jīng)70～100 ℃較低溫度熱處理后，微孔的大小與未處理處基本相同。110～170 ℃熱處理后，微孔明顯開始逐漸變小，微孔邊緣的黑圈逐漸增厚，但黑圈的外圓大小基本保持不變，即微孔的錐形開口變得愈加明顯，通孔孔徑越來越小，但開口的大小基本不變。從180 ℃開始，微孔變成錐形，在圖像上體現(xiàn)為黑斑。180～230 ℃時(shí)，黑斑逐漸減小，至240 ℃時(shí)，黑斑消失。

在顯微圖像上測(cè)量70～170 ℃的核徑跡微孔的孔徑(孔中間白色圓盤的直徑)和180～230 ℃的核徑跡微坑(黑斑)的直徑(黑斑外緣圓形輪廓的直徑)，測(cè)量結(jié)果示于圖7。

為確定蝕刻微孔孔形和孔徑變化的主要原因，測(cè)量了微孔膜樣品70～240 ℃熱處理壓印處的厚度，結(jié)果示于圖8。由圖8可見，70～230 ℃熱處理壓印處核孔膜厚度隨溫度的升高而增大，240 ℃熱處理處核孔膜厚度明顯偏小。240 ℃熱處理處核孔膜厚度的突然變化，可能是因?yàn)闊崽幚頊囟容^高，導(dǎo)致PET薄膜軟化，在加熱器接觸壓力作用下變薄所致。

核孔膜厚度隨熱處理溫度的變化可能是由于PET薄膜本體在熱處理時(shí)發(fā)生了變化，導(dǎo)致體蝕刻速度發(fā)生變化。體蝕刻速度與薄膜厚度損失(核孔膜厚度相對(duì)于原膜厚度減少的量)呈正比。由PET原膜厚度和圖8中核孔膜厚度數(shù)據(jù)可計(jì)算出每個(gè)溫度熱處理處的厚度損失：70、170、180 ℃熱處理的厚度損失分別為10.1、7.7、7.6 μm。由圖7可知，其對(duì)應(yīng)的微孔孔徑分別為9.2、2.5、0 μm(未成孔)。從70 ℃到170 ℃，薄膜厚度損失減少了2.4 μm，若離子徑跡未發(fā)生退火效應(yīng)，相應(yīng)的微孔孔徑也應(yīng)減少2.4 μm，而實(shí)際上相應(yīng)微孔孔徑減少了6.7 μm，遠(yuǎn)大于2.4 μm。從170 ℃到180 ℃，薄膜厚度損失只減少了0.1 μm，若離子徑跡未發(fā)生退火效應(yīng)，180 ℃處的微孔孔徑應(yīng)較170 ℃處減少0.1 μm，即應(yīng)約為2.4 μm，而實(shí)際上卻減少了很多，致使180 ℃處未能蝕刻成孔，只蝕刻出徑跡斑?？梢?，熱處理導(dǎo)致PET薄膜發(fā)生變化，使其體蝕刻速度變慢，同時(shí)，熱處理也導(dǎo)致PET薄膜中的32S離子徑跡發(fā)生了退火效應(yīng)，而且在后續(xù)的化學(xué)蝕刻過程中，退火效應(yīng)主導(dǎo)了蝕刻后微孔孔形和孔徑的變化。

圖6 不同溫度熱處理后制作的核孔膜顯微圖像Fig.6 Micrographs of track-etched membranes for thermal treatments at different temperatures

圖7 核徑跡微孔(坑)直徑隨熱處理溫度的變化Fig.7 Pore/pit size of track-etched membrane vs. thermal treatment temperature

從圖7微孔孔徑的變化趨勢(shì)來看，在70～100 ℃熱處理溫度下，5 s的短時(shí)間熱作用對(duì)離子徑跡產(chǎn)生的影響很小，或沒有產(chǎn)生影響，即離子徑跡的退火效應(yīng)不顯著。從110 ℃開始，短時(shí)間熱作用對(duì)離子徑跡產(chǎn)生了明顯的退火效應(yīng)。隨著溫度的升高，退火效應(yīng)顯著增大。溫度達(dá)到240 ℃時(shí)，5 s的熱作用即可使PET薄膜中的離子徑跡消失，即離子徑跡完全退火。

圖8 核孔膜厚度隨熱處理溫度的變化Fig.8 Thickness of track-etched membrane vs. thermal treatment temperature

150 ℃下不同時(shí)間熱處理后制備的核孔膜的顯微圖像示于圖9。從圖9可看出，隨著熱處理時(shí)間的增加，微孔逐漸變小，變成蝕刻微坑，且微坑逐步變淺。這說明，隨著熱處理時(shí)間的增加，PET薄膜中離子徑跡的熱退火效應(yīng)逐漸增大。在顯微圖像上，測(cè)量熱處理時(shí)間小于8 s的核徑跡微孔的孔徑和熱處理時(shí)間大于8 s的核徑跡微坑(黑斑)的直徑，結(jié)果示于圖10。核徑跡微孔(坑)直徑的變化反映出核徑跡的熱退火效應(yīng)隨熱處理時(shí)間的增加而增大。

圖9 不同時(shí)間熱處理后制作的核孔膜顯微圖像Fig.9 Micrographs of track-etched membranes for thermal treatment of different intervals

圖10 核徑跡微孔(坑)直徑隨熱處理時(shí)間的變化Fig.10 Pore/pit size of track-etched membrane vs. thermal treatment interval

實(shí)驗(yàn)使用的PET薄膜是由結(jié)晶性聚合物PET經(jīng)雙向拉伸制成，在拉伸成膜時(shí)需添加少量添加劑來改善薄膜的性能。PET薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度一般在70～80 ℃，當(dāng)溫度低于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度時(shí)，PET薄膜處于玻璃態(tài)，分子鏈和鏈段都不能運(yùn)動(dòng)，只是構(gòu)成分子的原子(或基團(tuán))在其平衡位置作振動(dòng)；溫度達(dá)到玻璃化轉(zhuǎn)變溫度時(shí)，分子鏈雖不能移動(dòng)，但鏈段開始運(yùn)動(dòng)，表現(xiàn)出高彈性質(zhì)；溫度再升高，分子鏈開始運(yùn)動(dòng)而表現(xiàn)出黏流性質(zhì)。因此在熱處理溫度為70 ℃時(shí)，PET薄膜內(nèi)部分子鏈和鏈段還未開始移動(dòng)，對(duì)離子徑跡的熱退火沒有貢獻(xiàn)，在核孔膜上經(jīng)過熱處理位置的微孔與未經(jīng)熱處理處的微孔相同，沒有可分辨的差異。當(dāng)熱處理溫度升高到80～100 ℃時(shí)，這一范圍的溫度較玻璃化轉(zhuǎn)變溫度略高，分子鏈段開始運(yùn)動(dòng)，但運(yùn)動(dòng)非常緩慢，短時(shí)間(5 s)的熱處理對(duì)離子徑跡的熱退火貢獻(xiàn)很小，經(jīng)過熱處理位置的微孔與未經(jīng)熱處理處的微孔亦無明顯差別。當(dāng)熱處理溫度達(dá)到110 ℃時(shí)，分子鏈和鏈段的運(yùn)動(dòng)加快，使得徑跡區(qū)域內(nèi)的自由基愈合減少，溫度越高減少得越快。當(dāng)熱處理溫度升高至接近PET薄膜軟化點(diǎn)溫度(240 ℃)時(shí)，分子鏈和鏈段的運(yùn)動(dòng)很快，在短時(shí)間內(nèi)自由基全部愈合而使得徑跡消失，此時(shí)，離子徑跡完全退火。

目前，使用高分辨率的電子顯微鏡和原子力顯微鏡已能觀察到離子徑跡并測(cè)量其大小，但離子徑跡內(nèi)部結(jié)構(gòu)尚不能完全確定?，F(xiàn)有的研究結(jié)果認(rèn)為，潛徑跡由徑跡芯和徑跡暈兩部分組成[18]。徑跡芯所受損傷大，其自由基密度較大；徑跡暈所受損傷小，其自由基密度也相對(duì)較小。從徑跡芯、徑跡暈到本體之間是連續(xù)變化的，沒有清晰的界限。自由基密度在徑跡的中心線處最大，隨著遠(yuǎn)離中心線而逐漸減小，其分布可能類似于中心位于中心線的二維高斯分布。當(dāng)溫度高于薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度時(shí)，分子鏈和鏈段的運(yùn)動(dòng)加快，自由基隨之移動(dòng)并相互作用而復(fù)合形成穩(wěn)定的化學(xué)鍵而使自由基密度減少。在離子徑跡退火時(shí)，徑跡芯和徑跡暈中的自由基都會(huì)減少。本實(shí)驗(yàn)研究只能反映聚合物薄膜中離子徑跡的退火程度與溫度和時(shí)間的大致關(guān)系，需要進(jìn)一步的研究才能給出兩者之間的定量關(guān)系，并獲得離子徑跡退火動(dòng)力學(xué)過程的詳細(xì)信息。

3 結(jié)論

本工作用113.7 MeV的32S離子輻照PET薄膜，產(chǎn)生垂直于表面且貫穿薄膜的離子徑跡。通過對(duì)薄膜進(jìn)行局部熱處理，結(jié)合化學(xué)蝕刻制作核孔膜的方法，觀測(cè)熱處理溫度和時(shí)間對(duì)核孔膜微孔的影響，研究離子徑跡的熱退火效應(yīng)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：當(dāng)熱處理溫度達(dá)到PET薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以上時(shí)，熱退火效應(yīng)逐漸開始顯現(xiàn)；在相同的熱處理時(shí)間下，隨著溫度的升高，離子徑跡的熱退火效應(yīng)愈加明顯；在相同的熱處理溫度下，隨著時(shí)間的增加，退火效應(yīng)亦愈加明顯。

熱退火效應(yīng)可改變徑跡的蝕刻速率，可利用這一效應(yīng)在核孔膜蝕刻過程中控制微孔的幾何形狀，改善核孔膜的品質(zhì)，或研制具有特殊功能的核孔膜。