本報(bào)訊 晶圓代工龍頭臺(tái)積電先進(jìn)制程近期又推新產(chǎn)品——7納米深紫外DUV（N7）和5納米極紫外EUV（N5）制程的性能增強(qiáng)版本。被稱為NTP和N5P的制程技術(shù)，專門為需要7納米設(shè)計(jì)運(yùn)算更快或消耗電量更少的客戶所設(shè)計(jì)。

據(jù)悉，臺(tái)積電全新N7P制程技術(shù)采用與N7相同設(shè)計(jì)規(guī)則，但優(yōu)化前端（FEOL）和中端（MOL）架構(gòu)，可在相同耗能下，將性能提升7%，或者在相同的性能頻率下，降低10%的能耗。

臺(tái)積電最早是于今年在日本舉辦的VLSI研討會(huì)透露的有關(guān)全新N7P制程技術(shù)的相關(guān)信息，不過(guò)當(dāng)時(shí)并沒(méi)有進(jìn)行廣泛宣傳。N7P目前采用經(jīng)驗(yàn)證的深紫外（DUV）光刻技術(shù)，與N7制程技術(shù)相比，沒(méi)有改變電晶體密度。針對(duì)需要電晶體密度高出約18%-20%的客戶，臺(tái)積電預(yù)計(jì)建議使用N7+或N6制程技術(shù)。N6制程技術(shù)采用極紫外（EUV）光刻技術(shù)進(jìn)行晶圓多層處理。

除了N7P的新制程技術(shù)，臺(tái)積電下一個(gè)顯著提升電晶體密度、改進(jìn)功耗和性能的主要制程節(jié)點(diǎn)，就是5納米N5制程技術(shù)。臺(tái)積電為此特提供定名為N5P的性能增強(qiáng)版本，采用FEOL和MOL優(yōu)化功能，以便在相同功率下使芯片運(yùn)行速度提高7%，或在相同頻率下將功耗降低15%。