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        某某變220kVI段母線電壓互感器B相因制造質量不良造成二次電壓異常的原因分析

        2019-10-21 01:59:32李剛孫偉謝宏亮乜志斌
        中國電氣工程學報 2019年5期
        關鍵詞:電壓互感器

        李剛 孫偉 謝宏亮 乜志斌

        【摘要】電壓互感器為電網(wǎng)安全運行的重要保障環(huán)節(jié)之一,在電壓互感器生產(chǎn)過程中反應出電壓互感器制造廠家在產(chǎn)品質量把控上的不足,產(chǎn)品沒有達到安全穩(wěn)定運行的規(guī)定要求。說明其在生產(chǎn)環(huán)節(jié)存在漏洞,制造工藝把控不夠嚴格。造成設備故障。探討電力設備,特別是互感器因制造工藝不良造成對電網(wǎng)穩(wěn)定的影響,探尋最佳的防止對策方法。

        “關鍵詞”? 電壓互感器? ?制造工藝不良? 防止對策

        一、事件過程描述

        2018年8月23日上午10時分,某某公司監(jiān)控發(fā)現(xiàn)220kV楊柳變電站220kVI段母線壓變B相相電壓偏高(A相相電壓134.55kV、B相相電壓135.58kV、C相相電壓134.55kV)。二次專業(yè)人員現(xiàn)場檢查220kV電壓并列屏測得,B相二次電壓61.0V,A、C相二次電壓分別為60.2V、60.3V,B相電壓偏高。在220kVI段母線PT端子箱處測量壓變根部到端子箱二次電壓,同樣存在B相偏高現(xiàn)象。經(jīng)排查現(xiàn)場端子排螺絲均緊固到位,無松動引起的接觸不良問題。8月30日9時55分,220kVI段母線電壓互感器轉為檢修狀態(tài),電氣試驗試驗專業(yè)人員對220kVI母線壓變進行診斷性試驗,絕緣電阻、介損、變比測試試驗。

        試驗結論:220kVI段壓變B相一次繞組對1a1n變比值為2172,B相一次繞組對3a3n變比值為2172;與A、C相一次繞組對二次繞組變比值存在明顯差值;誤差為-1.093%。同時,220kVI段壓變B相C11電容量與2012年5月18日試驗相比有明顯增大,電容量誤差為1.908%,存在B相C11電容單元有擊穿現(xiàn)象。依據(jù)變電五通檢測規(guī)定:電容式電壓互感器電容值初值差≤±2%,220kVI段壓變B相C11電容量變化接近2%,綜上,220kVI段壓變B相不合格,建議三相同時更換。

        二、事件原因及暴露問題

        1、事件原因:對220kVI段母線電壓互感器進行解體檢查,重點排查C11分壓電容各個電容單元情況,以查找其電容器增大原因。經(jīng)過對各個電容單元逐個拆解檢查,共發(fā)現(xiàn)1個電容單元存在擊穿現(xiàn)象,是造成電容量增大的直接原因。

        2、原因分析如下。

        (1)、電容式電壓互感器結構:該產(chǎn)品由一節(jié)分壓電容器和電磁單元疊裝組成。分壓電容器外絕緣為瓷套結構,瓷套內(nèi)部由多個電容元件串聯(lián)組成。出現(xiàn)問題產(chǎn)品電容元件為兩膜一紙結構,電容元件結構見圖11。

        (2)、電容元件擊穿原因分析:電容元件的絕緣介質主要為聚丙烯薄膜和電容器紙組成。電容器在運行過程中,在電場和熱場的作用下,由于其組成材料的分子結構和成分會發(fā)生老化,自身的性能會逐步降低。老化隨著時間的增加,最后導致故障。一種是電氣強度降低造成元件電擊穿?;蛘哂捎趽p耗的增加造成熱擊穿。電容元件的擊穿具有偶發(fā)性,根據(jù)該產(chǎn)品運行時間及擊穿元件的情況看,主要有以下兩方面因素:a)元件介質電容紙和聚丙烯薄膜存在薄弱點,隨著運行年限的增大,介質性能的逐漸退化,在系統(tǒng)過電壓較多時,對電容元件介質的薄弱點造成沖擊,引起了擊穿。b)在電容元件引線片處、元件打彎處及元件極板邊沿一般都是場強比較集中的部位,由于電場較高,當系統(tǒng)有過電壓時,此處較易發(fā)生畸變,發(fā)生擊穿。暴露問題:此次220kV某某變互感器因某某電力電容器有限責任公司產(chǎn)品生產(chǎn)質量原因被迫退出運行,反應出電壓互感器制造廠家在產(chǎn)品質量把控上的不足,產(chǎn)品沒有達到安全穩(wěn)定運行的規(guī)定要求。說明其在生產(chǎn)環(huán)節(jié)存在漏洞,制造工藝把控不夠嚴格。其導致迎峰度夏期間主設備非計劃停運,為嚴重的產(chǎn)品質量責任事故。

        三、防止對策

        防止對策:(1)運行期間內(nèi)周期檢修時對電容器的電容及介質損耗角測量:電容元件發(fā)生擊穿時,往往出現(xiàn)介損增大現(xiàn)象,并會引起二次電壓輸出變化?,F(xiàn)場測量電容介損時,330kV及以下電壓等級產(chǎn)品,單節(jié)電容變化(與銘牌值或上一次檢驗值比較)超過1.5%時,可以判斷元件擊穿。測量中介損值較大(超過0.2%)時,表明元件擊穿時間較長;介損值正常(不超過0.15%)時,表明元件擊穿時間較短。(2)二次電壓檢查:二次電壓監(jiān)測時,當某一項電壓偏離較大或三相電壓不平衡超過正常范圍(如0.4%),應分析造成的原因,系統(tǒng)因素、二次回路問題及CVT問題。當測量值與額定值有變化,可能與電容器中元件擊穿及電磁單元的繞組短路有關,應及時申請停電檢查。(3)加強設備全過程技術監(jiān)督管理:推進設備全過程技術監(jiān)督關口前移,加強對設計、設備制造和駐場監(jiān)造環(huán)節(jié)的質量監(jiān)督,及時發(fā)現(xiàn)問題,分析處理。

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