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        一種新型的GPP硅片氧化層去除方法探究

        2019-10-21 08:01:48陳宏胤楊莎
        科學(xué)與信息化 2019年28期
        關(guān)鍵詞:玻璃

        陳宏胤 楊莎

        摘 要 本文發(fā)明了一種玻璃燒結(jié)后的GPP硅片氧化層的新型處理方法,包括:取燒結(jié)后的硅片,在混合酸溶液中處理4~10min,流動水沖洗14~16min,超聲波超聲清洗180~300min。本方法在不破壞玻璃的前提下快速的去除氧化層,使硅片鎳層更加均勻,產(chǎn)品質(zhì)量更加穩(wěn)定,提升了機(jī)械良率,縮短了生產(chǎn)周期,降低了生產(chǎn)成本。

        關(guān)鍵詞 玻璃燒結(jié);去除氧化層;玻璃

        序言

        目前市場上GPP硅片玻璃燒結(jié)后去氧化層的方式是利用噴砂機(jī)去除硅片燒結(jié)后的氧化層,此方式操作效率很低且噴砂時的壓力對硅片造成機(jī)械損傷,噴砂機(jī)噴砂時噴槍的出砂量很難均勻的控制,導(dǎo)致氧化層去除不均勻,玻璃容易被破壞,噴完砂的硅片鍍鎳前清洗清洗方式比較復(fù)雜。我們對GPP硅片玻璃燒結(jié)后去氧化層的方式進(jìn)行了改進(jìn),在硅片制作過程中采用了混合酸溶液代替噴砂機(jī)去除燒結(jié)后硅片的氧化層,對硅片的損傷很小,提升了硅片的機(jī)械良率,氧化層去除均勻,效率高,鍍鎳前清洗簡單,生產(chǎn)周期短,生產(chǎn)成本低。此方法使硅片鎳層更加均勻,產(chǎn)品質(zhì)量更加穩(wěn)定,提升了機(jī)械良率,縮短了生產(chǎn)周期,降低了生產(chǎn)成本[1]。

        1GPP硅片氧化層去除的新技術(shù)方案

        新型技術(shù)方案如下:取GPP玻璃燒結(jié)后的硅片,將硅片放在鐵氟龍花籃里,混酸槽中配制好混酸,將裝有硅片的花籃放進(jìn)混合酸溶液中處理4~10min,當(dāng)時間到達(dá)規(guī)定時間后,將裝有硅片的花籃拿出酸槽,放入第一級水中后迅速提起,硅片P面晶粒脫水合格后放入第二級水槽中沖洗14~16min。最后將裝有硅片的花籃放入裝有純水的超聲波中超聲清洗180~300min。將GPP硅片溝槽內(nèi)的浮動的玻璃粉和雜質(zhì)超聲出來。

        在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上,新型處理工藝還可以做如下改進(jìn)。

        所用的混合酸為氫氟酸、氟化銨、純水體積比1~2∶2~4∶1~3混合而成的溶液。氫氟酸是氟化氫氣體的水溶液,無色,具有強(qiáng)烈的腐蝕性,去硅表面的氧化物;氟化銨為離子化合物,主要提供氟離子。純水指的是不含雜質(zhì)的H2O。

        使用新工藝取得了有益效果:現(xiàn)有技術(shù)GPP硅片玻璃燒結(jié)后利用噴砂機(jī)去除硅片燒結(jié)后的氧化層,此方式操作效率很低且噴砂時的壓力對硅片造成機(jī)械損傷,降低機(jī)械良率,噴砂機(jī)噴砂時噴槍的出砂量很難均勻的控制,導(dǎo)致氧化層去除不均勻,玻璃容易被破壞,噴完砂的硅片鍍鎳前清洗清洗方式比較復(fù)雜。新型處理工藝在硅片制作過程中采用了混合酸溶液代替噴砂機(jī)去除氧化層,此方式對硅片的損傷很小,提升了硅片的機(jī)械良率,氧化層去除均勻,效率高,鍍鎳前清洗簡單,縮短了生產(chǎn)周期[2]。

        下面舉兩個實(shí)例說明新型處理工藝的原理和特征。

        實(shí)施例1:

        取GPP玻璃燒結(jié)后的硅片,將硅片擺放在鐵氟龍花籃里后,在混酸槽中配制好混酸,將裝有硅片的花籃放進(jìn)混合酸溶液中處理8min,當(dāng)時間到達(dá)規(guī)定時間后,將裝有硅片的花籃拿出酸槽,放入第一級水中后迅速提起, GPP硅片P面晶粒脫水合格后放入第二級沖水槽中流動水沖洗14min后,將裝有硅片的花籃放入裝有純水的超聲波中超聲清洗180min。

        實(shí)施例2:

        取GPP玻璃燒結(jié)后的硅片,將硅片擺放在鐵氟龍花籃里后,在混酸槽中配制好混酸,將裝有硅片的花籃放進(jìn)混合酸溶液中處理10min,當(dāng)時間到達(dá)規(guī)定時間后,將裝有硅片的花籃拿出酸槽,放入第一級水中后迅速提起, GPP硅片P面晶粒脫水合格后放入第二級沖水槽中流動水沖洗16min后,將裝有硅片的花籃放入裝有純水的超聲波中超聲清洗300min[3]。

        2原工藝和新工藝的實(shí)驗(yàn)比較

        采用噴砂去氧化層工藝,收集4000片的數(shù)據(jù),硅片的機(jī)械良率為95.0%,而采用新的工藝,同樣投入4000片硅片,硅片的機(jī)械良率為96.8%。良率得到了較大幅度的提升。電性良率也得到了較大幅度的提升,電性良率由97%提升到98.5%,在可靠性方面,具體請見表1[4]。

        3結(jié)束語

        采用新型處理工藝解決了原有工藝去氧化層效率低,機(jī)械良率低,氧化層去除不均勻,玻璃容易被破壞,鍍鎳前清洗清洗方式比較復(fù)雜,成本高的問題,使硅片鎳層更加均勻,產(chǎn)品質(zhì)量更加穩(wěn)定。

        參考文獻(xiàn)

        [1] (美)施敏,李明逵.半導(dǎo)體器件物理與工藝[M].蘇州:蘇州大學(xué)出版社,2014:73.

        [2]《半導(dǎo)體器件制造技術(shù)叢書》編寫組.硅平面器件工藝基礎(chǔ)[M].北京:國防工業(yè)出版社,1971:59.

        [3] 任繼棟,高榮杰,張宇,等.混酸刻蝕-氟化處理制備X80管線鋼雙疏表面及其耐蝕性研究[J].中國腐蝕和防護(hù)學(xué)報(bào):自然科學(xué)版,2017,3(8):233-240.

        [4] 孔德平,周榮勛.高壓臺面功率晶體管的工藝分析[J].半導(dǎo)體技術(shù),1991,6(12):42-44.

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