2018年6月5日，中國電科二所為我國半導(dǎo)體SiC單晶體材料和設(shè)備生產(chǎn)實現(xiàn)新突破，這兩項“批量生產(chǎn)”技術(shù)水平都達到了國際先進水平。2018年年初，該所突破了SiC單晶的低應(yīng)力控制技術(shù)、本征深能級點缺陷控制技術(shù)等系列關(guān)鍵技術(shù)，在國內(nèi)率先實現(xiàn)了4英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底材料的工程化和6英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底的研發(fā)，經(jīng)驗證與美國Cree襯底水平相當(dāng)，一舉突破國外對我國高純半絕緣碳化硅晶體生長技術(shù)的長期封鎖。當(dāng)時，中國電科二所已自制SiC單晶生長爐100臺;計劃全年生產(chǎn)4英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底4000～5000片，已與客戶簽訂4000片供貨合同。