鄭雨佳 徐家躍 周 鼎
1上海市計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究院 (上海 201203)
2上海應(yīng)用技術(shù)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 (上海 201418)
1962年,美國(guó)GE公司Coble博士制備出世界上第一塊氧化鋁半透明陶瓷 “Lucalox”,其具有耐高溫、耐腐蝕和透光性等綜合性能;該項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)改良,所制備材料于1964年在高壓鈉燈上成功商用[1-2]。由于玻璃無(wú)法承受高溫鈉蒸汽放電所產(chǎn)生的腐蝕性,而普通陶瓷不具備透光特性,因此高壓鈉燈燈管材料的使用壽命成為其短板。半透明氧化鋁陶瓷燈管的出現(xiàn),促進(jìn)了高壓鈉燈的發(fā)展和推廣,自此交通道路的黃光路燈大多采用高壓鈉燈,并沿用至今。在軍用領(lǐng)域,高強(qiáng)度以及對(duì)紅外光的高透過(guò)性使得氧化鋁透明陶瓷可以作為導(dǎo)彈整流罩和高溫紅外探測(cè)窗口使用。鑒于低廉的成本、優(yōu)異的力學(xué)和光學(xué)性能,半透明氧化鋁陶瓷被廣泛用于集成電路基片、高強(qiáng)度氣體放電燈管、航空航天及高頻絕緣材料等領(lǐng)域[3-5]。
一般來(lái)說(shuō),陶瓷材料由于內(nèi)部存在大量的缺陷,如氣孔、晶界、雜質(zhì)等,會(huì)使入射光線發(fā)生損耗,因此,陶瓷體通常不透明。影響陶瓷透明性的因素主要有氣孔率、晶粒尺寸、晶界結(jié)構(gòu)和表面加工光潔度等4個(gè)方面[6],如圖1所示。當(dāng)一束強(qiáng)度為I0的光線入射時(shí),陶瓷表面的反射損耗約為7%~8%。此外,陶瓷基體中存在的氣孔、雜質(zhì)、晶界等顯微結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致入射光在通過(guò)時(shí)發(fā)生散射和折射損耗,其中對(duì)損耗貢獻(xiàn)最大的是微氣孔。有研究表明,當(dāng)氣孔率超過(guò)15×10-5時(shí),陶瓷基體的透過(guò)率嚴(yán)重下降[7]。因此,具有良好透過(guò)率的氧化鋁陶瓷的密度應(yīng)接近其理論密度。
圖1 光線通過(guò)多晶陶瓷時(shí)的光線損失示意圖
本實(shí)驗(yàn)以市售氧化鋁粉體為原料,添加燒結(jié)助劑并選用聚丙烯酸銨 (PAA-NH4)為分散劑,經(jīng)過(guò)球磨、成型、燒結(jié),來(lái)制備半透明氧化鋁陶瓷,并優(yōu)化了粉體的燒結(jié)工藝。
氧化鋁 (Al2O3)粉體,山東國(guó)瓷功能材料股份有限公司;氧化鎂 (MgO)、聚丙烯酸 ([CH2CH]nCOOH)、氨水 (NH3·H2O),上海阿拉丁生化科技股份有限公司;去離子水,自制。
RS2S2電子天平,奧豪斯儀器 (上海)有限公司;PMQD行星式球磨機(jī),南京馳順科技發(fā)展有限公司;101A-2電熱鼓風(fēng)干燥箱,上海實(shí)驗(yàn)儀器廠有限公司;KSL-1800馬弗爐,合肥科晶材料技術(shù)有限公司;L2121Ⅱ氫氣還原爐,四川南光真空設(shè)備有限公司;Axio Imager M2M高倍光學(xué)顯微鏡,卡爾蔡司公司;Cary 5000分光光度計(jì),安捷倫科技有限公司。
按圖2所示的流程,稱取30 g高純Al2O3粉體置于250 mL的聚四氟乙烯球磨罐中,按質(zhì)量比0.2%添加0.06 g MgO作為燒結(jié)助劑,隨后加入18.421 mL PAA-NH4水溶液配成體積固含量為30%的漿料,最后加入150 g氧化鋯球?yàn)榍蚰ソ橘|(zhì),用全方位行星式球磨機(jī)球磨6 h。球磨完成后,將氧化鋯漿料倒入托盤(pán)中,放入70℃的烘箱中過(guò)夜,烘干后粉料過(guò)200目不銹鋼篩,獲得改性氧化鋁粉體。氧化鋁粉體經(jīng)干壓、200 MPa靜壓成型后,用氫氣爐或馬弗爐燒結(jié)獲得最終的氧化鋁陶瓷。
圖2 實(shí)驗(yàn)流程
世界上第一塊半透明氧化鋁陶瓷制備時(shí),添加MgO為燒結(jié)助劑,有效抑制了氧化鋁晶粒的長(zhǎng)大,從而縮短了晶內(nèi)氣孔的擴(kuò)散距離,加快晶內(nèi)氣孔從晶界處擴(kuò)散至表面的速度,得到致密的Al2O3透明陶瓷。除此之外,燒結(jié)氣氛也是影響氧化鋁陶瓷燒結(jié)致密度的核心因素之一[8];為了探求燒結(jié)氣氛對(duì)氧化鋁致密化性能的影響,分別在馬弗爐 (空氣氣氛)和氫氣爐 (氫氣氣氛)中進(jìn)行氧化鋁陶瓷的燒結(jié)實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)樣品均選用添加0.2%MgO、以PAA-NH4為分散劑球磨得到的氧化鋁素坯,燒結(jié)設(shè)備分別為KSL-1800馬弗爐和L2121Ⅱ氫氣還原爐。由于馬弗爐最高溫度只能到1700℃,為保證實(shí)驗(yàn)的可對(duì)比性,將最終的燒結(jié)條件設(shè)定為1700℃保溫2 h。所得樣品如圖3所示。
由圖3可知,在同樣的燒結(jié)溫度和保溫條件下,氧化鋁素坯在空氣氣氛中燒結(jié)所得樣品呈現(xiàn)出生坯的特征,而在氫氣氣氛中燒結(jié)所得樣品表現(xiàn)出“玉質(zhì)”特性,未經(jīng)拋光的樣品已顯現(xiàn)出一定的透明特征,說(shuō)明氫氣氣氛燒結(jié)有助于氧化鋁陶瓷素坯中氣孔的消除。原因在于:氫氣氣氛屬于還原性氣氛,高溫?zé)Y(jié)過(guò)程中,陶瓷體內(nèi)易形成氧空位,它們提供了晶界擴(kuò)散的通道,加速了氧化鋁的物質(zhì)遷移過(guò)程,從而獲得致密度較好的氧化鋁陶瓷。而在空氣氣氛下燒結(jié),氧分壓較高,抑制了氧空位的形成,不利于氧化鋁陶瓷內(nèi)離子的擴(kuò)散傳質(zhì),因此燒結(jié)后陶瓷致密度偏低。
還原氫氣氣氛有助于氧化鋁陶瓷的致密化,為了獲得更高透過(guò)率的樣品,選取同樣的氧化鋁陶瓷素坯在氫氣爐中,分別在1750,1800,1820和1 850℃下燒結(jié)8 h,所得陶瓷樣品的雙面機(jī)械拋光圖片 (均為1 mm厚)及測(cè)得的透過(guò)率曲線如圖4所示。
圖4 不同溫度燒結(jié)樣品的實(shí)物照片(a)和透過(guò)率曲線(b)
從圖4(b)中可以看出,在同樣的保溫時(shí)間下,1 750,1 800,1 820和1 850℃下燒結(jié)樣品的透過(guò)率分別為17%、38%、51%和40.5%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明隨著燒結(jié)溫度的提高,氧化鋁陶瓷的致密化程度明顯提高,且在1 820℃時(shí)透過(guò)率達(dá)到最大值。當(dāng)燒結(jié)溫度進(jìn)一步升高到1 850℃時(shí),2 500 nm波長(zhǎng)處的直線透過(guò)率約為40.5%,呈下降趨勢(shì)。為了進(jìn)一步探尋透過(guò)率降低的原因,分別將1800,1820和1 850℃下燒結(jié)的樣品精細(xì)拋光后,在馬弗爐中1400℃下熱腐蝕2 h,然后采用高倍光學(xué)顯微鏡觀察熱腐蝕樣品表面的顯微結(jié)構(gòu),結(jié)果如圖5所示。
從圖5可以看出:1 800℃燒結(jié)的氧化鋁半透明陶瓷顯示出均勻的晶粒大小,且無(wú)異常長(zhǎng)大,平均晶粒尺寸約為15μm,但在陶瓷晶界上存在大量的氣孔 (可能是燒結(jié)動(dòng)力不足所致),從而影響了陶瓷的透過(guò)率。當(dāng)燒結(jié)溫度達(dá)到1820℃時(shí),陶瓷晶粒長(zhǎng)大到30μm左右,未發(fā)現(xiàn)明顯的二次晶粒異常長(zhǎng)大現(xiàn)象,晶界氣孔逐步消失,但仍有少量殘留在晶界處。當(dāng)燒結(jié)溫度達(dá)到1 850℃時(shí),氧化鋁半透明陶瓷的平均晶粒變得不均勻,出現(xiàn)了異常長(zhǎng)大晶粒,并且在晶界處出現(xiàn)了更大尺寸的氣孔,這些大氣孔的存在嚴(yán)重影響了氧化鋁陶瓷的透過(guò)率。綜合圖4和圖5可得,實(shí)驗(yàn)范圍內(nèi),最佳的燒結(jié)條件是在還原氫氣氣氛中、1820℃下燒結(jié)。
圖5 不同燒結(jié)溫度氧化鋁陶瓷熱腐蝕表面的顯微結(jié)構(gòu)
氫氣作為一種還原氣氛,有助于在氧化鋁陶瓷中形成氧空位,從而促進(jìn)燒結(jié)致密化。同等條件下,在氫氣中1700℃燒結(jié)2 h的氧化鋁陶瓷塊體明顯比在空氣中燒結(jié)樣品的密度高。同樣在氫氣中燒結(jié),氧化鋁的晶粒尺寸隨著燒結(jié)溫度的提高逐漸增大,在1 850℃下易發(fā)生晶粒的異常長(zhǎng)大,并在氧化鋁陶瓷晶界處形成大尺寸氣孔,從而使陶瓷透過(guò)率降低。最佳燒結(jié)溫度為1820℃,所得氧化鋁陶瓷的晶粒尺寸約為30μm,2500 nm處的直線透過(guò)率最高達(dá)到51%,表現(xiàn)出較好的光學(xué)透明性。