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        溶劑熱氧化少層Ti3C2 MXene制備二維TiO2/Ti3C2復(fù)合光催化劑

        2019-07-10 02:38:04關(guān)云鋒徐畑祥李軒科
        關(guān)鍵詞:銳鈦礦羅丹明光生

        嚴(yán) 康 關(guān)云鋒 叢 野*, 徐畑祥 朱 輝 李軒科*,

        (1武漢科技大學(xué),湖北省煤轉(zhuǎn)化與新型炭材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,武漢 430081)(2武漢科技大學(xué),省部共建耐火材料與冶金國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,武漢 430081)

        0 引 言

        TiO2具有氧化效率高、無毒、光穩(wěn)定性好、成本低以及綠色環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)[1-2],是一種很有應(yīng)用前景的半導(dǎo)體光催化劑。但是光生電子-空穴對復(fù)合效率高降低了TiO2的光催化性能[3-4],成為TiO2光催化劑最主要的缺陷;其次,TiO2的禁帶較寬,在紫外光照下才能激發(fā)產(chǎn)生電子-空穴對,對太陽光的利用率低[5-6],使得TiO2難以被大規(guī)模應(yīng)用于光催化領(lǐng)域。為了提高TiO2的光催化性能,研究人員對TiO2光催化劑進(jìn)行了改性處理,其中包括貴金屬沉積[7]、陽離子摻雜改性[8]、陰離子摻雜改性[9]、半導(dǎo)體復(fù)合改性[10]等。已有大量文獻(xiàn)報(bào)道證實(shí)用RGO(還原氧化石墨烯)或GO(氧化石墨烯)修飾TiO2可以提高TiO2的光催化性能。Fan等[11]通過幾種不同的方法合成了RGO/TiO2復(fù)合材料,形成的C-O-Ti鍵使得TiO2的帶隙變窄,而RGO優(yōu)異的導(dǎo)電性降低了TiO2光生電子-空穴對的復(fù)合率,光催化性能得到明顯提升。龍梅等[12]利用水熱法制備了RGO-TiO2復(fù)合光催化劑,相比于純的TiO2而言,RGO-TiO2復(fù)合光催化劑禁帶寬度變窄且電子空穴對復(fù)合率降低,具有更高的光催化活性。

        Ti3C2TxMXene是一種新型的二維納米材料,Tx代表表面的負(fù)載基團(tuán)(如羥基、氧或氟)[13],可以由氫氟酸[13]或鹽酸和氟化鋰的混合液[14]處理Ti3AlC2前驅(qū)體得到。通過氫氟酸處理Ti3AlC2前驅(qū)體得到的Ti3C2TxMXene具有典型的手風(fēng)琴結(jié)構(gòu),由多層的Ti3C2Tx堆疊而成,標(biāo)記為ML-Ti3C2(multilayer Ti3C2MXene);通過鹽酸和氟化鋰混合液處理Ti3AlC2前驅(qū)體并經(jīng)過超聲插層處理得到的Ti3C2Tx由一層或幾層 Ti3C2Tx組成[15-16],標(biāo)記為 DL-Ti3C2。 DL-Ti3C2具有獨(dú)特的類石墨烯二維結(jié)構(gòu)、優(yōu)良的導(dǎo)電性、高的比表面積、親水性表面以及豐富的表面含氧基團(tuán)等優(yōu)點(diǎn)[17-18],是一種高效的半導(dǎo)體光催化劑的助催化劑。Zhang等[19]利用二氧化碳作為氧化劑在500℃氧化ML-Ti3C2,在ML-Ti3C2的層間和邊緣形成了大量的TiO2納米顆粒。相比于 ML-Ti3C2,TiO2/ML-Ti3C2復(fù)合材料電極的比容量更高,循環(huán)穩(wěn)定性更好。Lotfi等[20]研究了Ti3C2Tx在不同環(huán)境(干燥空氣、濕潤空氣和過氧化氫溶液)及不同溫度(1 000~3 000 K)下的氧化情況,發(fā)現(xiàn)不同環(huán)境中Ti3C2Tx的氧化速率不一樣,而且可以通過控制反應(yīng)溫度得到不同含量、晶型的TiO2與Ti3C2Tx的復(fù)合材料。Naguib等[21]利用水熱法在不同條件下(150℃反應(yīng)48 h;200℃反應(yīng)8、12和20 h;250℃反應(yīng)2 h)氧化ML-Ti3C2制備TiO2/MLTi3C2復(fù)合材料,與CO2氧化ML-Ti3C2制備的TiO2/ML-Ti3C2復(fù)合材料相比,TiO2在ML-Ti3C2片層上分布更均勻。溶劑熱法具有產(chǎn)物分散性較好、粒徑大小和形態(tài)容易控制等優(yōu)點(diǎn)。

        因此,本文采用溶劑熱法,用乙醇作為反應(yīng)溶劑,通過控制氧化DL-Ti3C2一步合成TiO2/DL-Ti3C2復(fù)合光催化劑,并考察不同氧化溫度對TiO2/DLTi3C2復(fù)合光催化劑的結(jié)構(gòu)和性能的影響??刂蒲趸疍L-Ti3C2可以一步合成TiO2/DL-Ti3C2復(fù)合材料,TiO2光照下能夠產(chǎn)生電子-空穴對,而DL-Ti3C2能夠提供電子傳輸通道以提高電子空穴分離效率,同時TiO2和DL-Ti3C2之間形成的C-O-Ti等化學(xué)鍵能夠有效減小TiO2的禁帶寬度,以期提高其光催化性能。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1 實(shí)驗(yàn)試劑

        實(shí)驗(yàn)所用的Ti粉(300目,純度為99.99%)和Al粉(300目,純度為99.5%)購于北京中金研新材料科技有限公司;天然石墨(400目,純度為99.9%)購于青島金海石墨制品有限公司;LiF(純度為99.9%)購于阿拉丁化學(xué)試劑有限公司;二氧化鈦P25(純度為99.5%)購于Degussa中國有限公司;實(shí)驗(yàn)所用的其它化學(xué)試劑均為分析純,購于國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司。

        1.2 DL-Ti3C2的制備

        將Ti粉、Al粉和天然石墨按照物質(zhì)的量之比3∶1.2∶2球磨混勻,然后于管式電阻爐中在Ar氣氛下1 350℃(10℃·min-1)保溫30 min合成Ti3AlC2前驅(qū)體。將5 mL蒸餾水與15 mL鹽酸(36.5%(w/w))混合均勻。稱取1.0 g LiF粉末加入到上述稀釋的鹽酸中,磁力攪拌30 min使其充分溶解。然后將1 g Ti3AlC2粉末分次緩慢加入上述混合溶液中,最后于30℃攪拌24 h進(jìn)行刻蝕。之后對樣品進(jìn)行多次離心分離和蒸餾水洗滌,直到pH值達(dá)到6左右;然后向清洗過后的樣品中加入20 mL蒸餾水超聲30 min,離心(3 000 r·min-1)得到 DL-Ti3C2的懸浮液。

        1.3 TiO2/DL-Ti3C2復(fù)合材料的制備

        量取一定體積的懸浮液進(jìn)行抽濾,通過抽濾前后濾膜的質(zhì)量變化計(jì)算懸浮液中DL-Ti3C2的濃度。將DL-Ti3C2懸浮液和無水乙醇按照體積比1∶1加入水熱反應(yīng)釜中,在不同溫度下(120、140、160和180℃)反應(yīng)24 h,制備TiO2/DL-Ti3C2復(fù)合光催化劑,并將其標(biāo)記為TiO2/DL-Ti3C2-T,其中T表示溶劑熱反應(yīng)溫度。

        1.4 材料表征

        實(shí)驗(yàn)采用BrukerA X′Pert PRO MPD型轉(zhuǎn)靶X射線粉末衍射儀對材料進(jìn)行X射線衍射 (XRD)測試,測試電壓為40 kV,電流為30 mA,并以波長為0.154 056 nm的Cu Kα輻射線為輻射源,掃描范圍為5°~90°。樣品的微觀形貌和顯微結(jié)構(gòu)由場發(fā)射掃描電子顯微鏡(NOVA 400 NANOSEM,工作電壓30 kV)和場發(fā)射透射電子顯微鏡(FEI Tecnai G2 F20 STWIN,加速電壓120 kV)進(jìn)行表征。采用激光拉曼光譜儀 (LabRam HR Evolution)對材料進(jìn)行拉曼光譜(Raman)測試。材料的元素組成、元素含量和化學(xué)鍵等信息通過X射線光電子能譜(XPS)進(jìn)行分析,測試儀器為ThermoFischer ESCALAB 250Xi。材料的比表面積通過ASAP 2020物理吸附儀測試得到。采用紫外可見分光光度計(jì)(日本島津公司UV-2550PC)測試材料的紫外-可見漫反射光譜,以BaSO4標(biāo)準(zhǔn)空白樣作參比,掃描波長范圍為300~800 nm。采用熒光光譜分析光催化劑的電子和空穴分離效率,測試儀器為日立F-7000熒光分光光度計(jì)。

        1.5 光催化性能測試

        將0.05 g光催化劑加入到100 mL濃度為50 mg·L-1的羅丹明B溶液,之后將攪拌的懸浮液置于黑暗環(huán)境中吸附2 h,直至吸附/脫附平衡,然后在可見光下進(jìn)行光催化降解。實(shí)驗(yàn)利用中教金源CELHXF300型氙燈光源模擬太陽光,并配備濾波片,將得到的波長大于420 nm的可見光用于光催化降解實(shí)驗(yàn),利用X3PC UV-Vis分光光度計(jì)測定溶液的吸光度以確定其降解率。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 樣品的物相與形貌分析

        圖1為所制備的Ti3AlC2前驅(qū)體及DL-Ti3C2的XRD 圖 。 圖 1(a)在 2θ=9.5°、34.0°、39.0°、41.8°和60.8°處的衍射峰分別對應(yīng)Ti3AlC2(PDF No.00-052-0875)的(002)、(101)、(104)、(105)和(110)晶面,說明產(chǎn)物中主要存在 Ti3AlC2,且結(jié)晶度較高;在 2θ=35.9°和72.4°處的弱的衍射峰對應(yīng)TiC(PDF No.00-031-1400)的(111)和(311)晶面,說明合成的Ti3AlC2前驅(qū)體中存在少量的TiC雜質(zhì)。Ti3AlC2在鹽酸和氟化鋰混合液刻蝕處理之后(圖 1(b)),Ti3AlC2的衍射峰消失,在2θ=6.4°、17.8°、28.2°、35.6°、43.0°和 60.8°處出現(xiàn)了新的衍射峰,分別對應(yīng) Ti3C2Tx的(002)、(006)、(008)、(0010)、(0012)和(110)晶面,說明 Ti3AlC2在刻蝕之后形成了Ti3C2Tx,而且與文獻(xiàn)報(bào)道的ML-Ti3C2相比,(002)晶面的特征衍射峰向低角度移動,說明制備的Ti3C2Tx層間距比ML-Ti3C2更大。

        圖1 (a)Ti3AlC2和(b)DL-Ti3C2的XRD圖Fig.1 XRD patterns of(a)Ti3AlC2 and(b)DL-Ti3C2

        為了進(jìn)一步證明實(shí)驗(yàn)成功制得了DL-Ti3C2,對Ti3AlC2刻蝕處理前后的微觀形貌進(jìn)行了SEM表征。圖2為Ti3AlC2在鹽酸和氟化鋰的混合液處理前后的SEM圖。從圖2(a)中可以看出,合成的Ti3AlC2具有MAX相典型的三元層狀結(jié)構(gòu)且表面光滑。Ti3AlC2在用混合液處理后(圖2(b)),形貌發(fā)生了明顯的變化,Ti3AlC2的三元層狀結(jié)構(gòu)被剝離開,形成了一層或幾層堆疊的卷曲片層,與文獻(xiàn)[22]報(bào)道的DL-Ti3C2形貌一致。鹽酸和氟化鋰混合液能夠成功剝離Ti3AlC2制得DL-Ti3C2是因?yàn)門i3AlC2前驅(qū)體中Ti-C鍵主要是共價(jià)鍵和離子鍵,強(qiáng)度高;而Ti-Al和Al-Al鍵有較多的金屬鍵成分,相對較弱,所以Ti3AlC2在用鹽酸和氟化鋰混合液處理之后能夠剝離掉Al元素,后期經(jīng)過超聲處理將水分子插入ML-Ti3C2的層間可進(jìn)一步擴(kuò)大其層間距得到DL-Ti3C2。

        為了表征DL-Ti3C2氧化后的物相組成,對DLTi3C2在不同溫度溶劑熱氧化后的產(chǎn)物進(jìn)行了XRD分析。圖3為不同溫度氧化后的TiO2/DL-Ti3C2的XRD 圖。 位于 2θ=25.3°、36.9°、37.8°、48.0°、53.9°、55.1°、62.8°、68.8°、75.1°和 82.7°處的衍射峰分別對應(yīng)銳鈦礦型 TiO2(PDF No.01-084-1286)的(101)、(103)、 (004)、(200)、 (105)、 (211)、 (204)、 (116)、 (215)和(224)晶面;位于 2θ=6.3°和 60.8°處的衍射峰分別對應(yīng)Ti3C2Tx的(002)和(110)晶面。當(dāng)氧化溫度較低時,樣品中存在明顯的Ti3C2Tx的衍射峰,說明低溫下DL-Ti3C2的氧化程度較低,只有部分DL-Ti3C2被氧化形成了銳鈦礦型TiO2。隨著氧化溫度的升高,Ti3C2Tx的衍射峰強(qiáng)度逐漸降低,同時銳鈦礦型TiO2的衍射峰逐漸增強(qiáng),說明在高溫下DL-Ti3C2的氧化程度加深,復(fù)合材料中銳鈦礦型TiO2的含量增加。

        圖2 (a)Ti3AlC2和(b)DL-Ti3C2的SEM圖Fig.2 SEM images of(a)Ti3AlC2 and(b)DL-Ti3C2

        圖3 TiO2/DL-Ti3C2-T的XRD圖Fig.3 XRD patterns of TiO2/DL-Ti3C2-T

        圖 4 為 TiO2/DL-Ti3C2-120、TiO2/DL-Ti3C2-140、TiO2/DL-Ti3C2-160和TiO2/DL-Ti3C2-180的SEM圖。當(dāng)氧化溫度為120℃時,樣品的表面可以觀察到尺寸較小的氧化物顆粒,說明此時樣品的氧化程度較淺。隨著反應(yīng)溫度的進(jìn)一步升高,DL-Ti3C2的表面逐漸變得粗糙,可以在片層表面和邊緣觀察到氧化物顆粒逐漸變大且數(shù)量增多。說明隨著氧化溫度的升高,DL-Ti3C2的氧化程度逐漸加深,形成了大量的TiO2納米顆粒,與圖3中的XRD結(jié)果相一致。

        圖4 TiO2/DL-Ti3C2-T的SEM圖Fig.4 SEM images of TiO2/DL-Ti3C2-T

        圖 5 為 DL-Ti3C2、TiO2/DL-Ti3C2-120 和 TiO2/DLTi3C2-160的TEM圖。從圖5(a)可以看出,DL-Ti3C2片較薄,具有褶皺的層狀結(jié)構(gòu),由幾層Ti3C2Tx片堆疊而成,而且在高壓電子束作用下,DL-Ti3C2薄片是穩(wěn)定的。由于鹽酸和氟化鋰的混合液比氫氟酸要溫和得多,所以制備的MXene薄片中納米尺寸的缺陷很少,這在氫氟酸刻蝕的樣品中是常見的[23]。從選區(qū)電子衍射中可以看到明顯的六角形衍射花樣,表明DL-Ti3C2保持了Ti3AlC2前驅(qū)體的六方晶系結(jié)構(gòu)。圖5(b)測得的DL-Ti3C2的晶格間距約為1.37 nm,對應(yīng)Ti3C2Tx的(002)晶面,與圖 1(b)的 XRD測試結(jié)果一致。DL-Ti3C2在120℃氧化之后表面有明顯的納米顆粒形成,根據(jù)納米顆粒的HRTEM圖(圖5(d))采用快速傅里葉變換((FFT)計(jì)算納米顆粒的晶格間距為0.35和0.24 nm,分別對應(yīng)銳鈦礦型TiO2的(101)和(103)晶面,說明DL-Ti3C2在120℃氧化后形成了銳鈦礦型TiO2晶體。圖5(e)顯示DL-Ti3C2在160℃氧化后,表面形成的納米顆粒增多,根據(jù)納米顆粒的HRTEM圖(圖5(f))采用快速傅里葉變換((FFT)計(jì)算納米顆粒的晶格間距為0.35、0.19和0.17 nm,分別對應(yīng)銳鈦礦型 TiO2的(101)、(200)和(105)晶面。 說明隨著氧化溫度的升高,DL-Ti3C2的氧化程度加深。

        圖5 樣品的TEM圖Fig.5 TEM images of the samples

        2.2 樣品的拉曼光譜分析

        圖6 (a)TiO2/DL-Ti3C2-120和(b)TiO2/DL-Ti3C2-160的拉曼光譜Fig.6 Raman spectra of(a)TiO2/DL-Ti3C2-120 and(b)TiO2/DL-Ti3C2-160

        圖6 為TiO2/DL-Ti3C2-120和TiO2/DL-Ti3C2-160的拉曼光譜, 在 144、198、398、513 和 640 cm-1處的峰,歸屬于銳鈦礦型TiO2,而且隨著氧化溫度的升高,銳鈦礦型TiO2的衍射峰逐漸增強(qiáng)。表明DL-Ti3C2在溶劑熱過程中氧化生成了銳鈦礦型TiO2,并且隨著氧化溫度的升高,DL-Ti3C2的氧化程度逐漸加深,生成的TiO2的量逐漸增加。在1 350和1 590 cm-1處的2個峰分別對應(yīng)于碳的D峰和G峰,D峰代表的是C原子晶格的缺陷,G峰代表的是C原子sp2雜化的面內(nèi)伸縮振動。當(dāng)氧化溫度為120℃時,兩者的強(qiáng)度比值(ID/IG)的值約為0.8,說明DL-Ti3C2在氧化形成了TiO2晶體的同時也形成了無定形碳。當(dāng)氧化溫度升高到160℃時,無定形碳的含量降低,這是因?yàn)檠趸瘻囟壬呤沟脽o定形碳氧化形成一氧化碳或二氧化碳,與文獻(xiàn)報(bào)道一致[24]。

        2.3 樣品的XPS譜圖分析

        圖7 樣品的XPS譜圖Fig.7 XPSspectra of the samples

        為了分析DL-Ti3C2在氧化前后化學(xué)鍵的變化,對DL-Ti3C2及其氧化后的樣品進(jìn)行XPS測試,如圖7所示。通過比較氧化前后樣品的O1s譜圖(圖7(a,d,g))發(fā)現(xiàn),刻蝕處理得到的DL-Ti3C2表面負(fù)載有大量的羥基,但是在氧化之后,O-H鍵的峰強(qiáng)度減弱,同時Ti-O鍵的峰強(qiáng)度增強(qiáng)。這是因?yàn)镈L-Ti3C2在氧化過程中表面形成了TiO2,負(fù)載的含氧基團(tuán)的相對含量減少。從圖7(b,e,h)可以看出,隨著氧化溫度的升高,Ti-C鍵的Ti2p3/2(454.3 eV)和 Ti2p1/2(460.3 eV)逐漸被 TiO2的 Ti2p3/2(458.9 eV)和 Ti2p1/2(464.7 eV)取代,這說明DL-Ti3C2逐漸被氧化形成了TiO2,且氧化溫度越高,DL-Ti3C2的氧化程度越深,形成的銳鈦礦型TiO2也越多,但DL-Ti3C2并未被完全氧化,DLTi3C2與TiO2同時存在于復(fù)合材料中。從圖7(c,f,i)中可以看出,隨著氧化溫度的升高,DL-Ti3C2的C-Ti(≈281.9 eV)鍵逐漸轉(zhuǎn)化為 C-O-Ti(288.0 eV)鍵,這與O1s和Ti2p的譜圖結(jié)果一致。

        2.4 樣品的比表面積分析

        表1列出了不同溫度氧化產(chǎn)物的比表面積,可以看出 DL-Ti3C2的比表面積(SBET)為 45 m2·g-1,相比于文獻(xiàn)報(bào)道[12]的ML-Ti3C2的比表面積增大了幾倍。這主要是因?yàn)镸L-Ti3C2在剝離形成DL-Ti3C2后,堆積的片層充分暴露出來,使得其比表面積大幅度增加。隨著氧化溫度的升高,DL-Ti3C2片層表面氧化形成的TiO2納米顆粒增加,比表面積也就越大。當(dāng)溫度達(dá)到180℃時,產(chǎn)物的比表面積開始下降,這可能是因?yàn)镈L-Ti3C2氧化程度過深,使得部分DL-Ti3C2重新沉積堆疊。

        表1 DL-Ti3C2和TiO2/DL-Ti3C2-T的S BETTable 1 S BET of DL-Ti3C2 and TiO2/DL-Ti3C2-T

        2.5 樣品的紫外-可見漫反射光譜分析

        為了研究材料的光吸收性能,對DL-Ti3C2和TiO2/DL-Ti3C2-T進(jìn)行了紫外-可見漫反射光譜測試。由圖8可知,DL-Ti3C2和TiO2/DL-Ti3C2-T在可見光區(qū)域吸收強(qiáng)度均較高,相比于紫外區(qū)吸收強(qiáng)度明顯增加。隨著氧化溫度的升高,TiO2/DL-Ti3C2對光的吸收能力下降,且吸收邊緣略紅移。這主要是因?yàn)殡S著氧化溫度升高,DL-Ti3C2的含量逐漸降低,而TiO2在可見光區(qū)域的吸收與DL-Ti3C2相比低得多,使得復(fù)合材料TiO2/DL-Ti3C2對光的吸收強(qiáng)度下降。光照吸收邊緣的紅移是由于氧化過程形成C-O-Ti鍵,導(dǎo)致TiO2的帶隙變窄,與文獻(xiàn)報(bào)道一致[11,25-26]。

        圖8 DL-Ti3C2和TiO2/DL-Ti3C2-T的紫外-可見漫反射光譜Fig.8 UV-Vis diffuse reflection spectra and of DL-Ti3C2 and TiO2/DL-Ti3C2-T

        2.6 樣品的熒光光譜分析

        熒光光譜主要由半導(dǎo)體中電子與空穴的復(fù)合產(chǎn)生,而電子-空穴對的復(fù)合率對催化劑的光催化性能有顯著的影響。為了研究電子空穴的復(fù)合率,對樣品進(jìn)行了熒光光譜分析。圖9為DL-Ti3C2和不同溫度氧化制備的TiO2/DL-Ti3C2的熒光光譜。從圖中可以看出,TiO2/DL-Ti3C2的發(fā)射峰位置幾乎沒有改變,但隨著氧化溫度的升高,發(fā)射峰強(qiáng)度逐漸增加。表明TiO2/DL-Ti3C2的電子-空穴對復(fù)合率隨著氧化溫度的升高逐漸增加。這是因?yàn)楦邔?dǎo)電性的DL-Ti3C2材料能夠促進(jìn)TiO2光生電子空穴的分離,但隨著氧化溫度的升高,TiO2/DL-Ti3C2復(fù)合材料中TiO2的相對含量增加而DL-Ti3C2的相對含量逐漸降低,會使得材料的導(dǎo)電率下降,光生電子和空穴的復(fù)合率升高。

        圖9 DL-Ti3C2和TiO2/DL-Ti3C2-T的熒光光譜Fig.9 PL spectra of DL-Ti3C2 and TiO2/DL-Ti3C2-T

        2.7 光催化結(jié)果分析

        圖 10 為 DL-Ti3C2、TiO2/DL-Ti3C2-T、P25 以及不加催化劑時對羅丹明B溶液的脫除率曲線。由圖可知,在不加催化劑時,光照下羅丹明B溶液基本沒有降解。DL-Ti3C2在低溫下經(jīng)過溶劑熱氧化處理之后,光催化性能得到了明顯提高。隨著氧化溫度的升高,TiO2/DL-Ti3C2的光催化性能增強(qiáng),當(dāng)氧化溫度為160℃時,光催化活性達(dá)到最高,對羅丹明B溶液的降解率達(dá)到了93.1%。TiO2/DL-Ti3C2-160降解羅丹明B溶液的UV-Vis光譜如圖11所示,隨著光照時間的延長,羅丹明B溶液的吸收光譜強(qiáng)度逐漸下降,表明羅丹明B在可見光下發(fā)生了降解反應(yīng),其濃度逐漸降低。并且羅丹明B在降解過程中的最大吸收峰波長并未發(fā)生改變,始終在554 nm左右,表明羅丹明B在降解過程中完全礦化,沒有生成中間產(chǎn)物。且圖10表明,TiO2/DL-Ti3C2-160的光催化性能明顯優(yōu)于P25。這是因?yàn)殡S著氧化溫度的升高,形成的TiO2量增加,光照下產(chǎn)生的電子-空穴對數(shù)量增加;而DLTi3C2具有優(yōu)良的電子導(dǎo)電性和較大的比表面積,使得光生電子更容易被轉(zhuǎn)移,抑制了光生電子與空穴的復(fù)合,從而提高了復(fù)合材料的光催化性能。

        圖 10 DL-Ti3C2、TiO2/DL-Ti3C2-T、P25 和不加催化劑時對羅丹明B溶液的脫除率曲線Fig.10 Photodegradation rate for rhodamine B on DL-Ti3C2,TiO2/DL-Ti3C2-T,P25 and no catalyst

        圖11 TiO2/DL-Ti3C2-160降解羅丹明B溶液的UV-Vis光譜Fig.11 UV-Vis spectra of rhodamine B solution degraded by TiO2/DL-Ti3C2-160

        圖12 TiO2/DL-Ti3C2復(fù)合材料光催化降解羅丹明B溶液機(jī)理示意圖Fig.12 Mechanism diagram of photocatalytic degradation for rhodamine Bsolution by TiO2/DL-Ti3C2 composite

        TiO2/DL-Ti3C2復(fù)合材料光催化降解羅丹明B溶液的機(jī)理示意圖如圖12所示。TiO2/DL-Ti3C2在光照后,TiO2的價(jià)帶電子受激發(fā)躍遷到導(dǎo)帶,產(chǎn)生光生電子-空穴對,而DL-Ti3C2的高導(dǎo)電性使得TiO2導(dǎo)帶上的光生電子快速傳輸至DL-Ti3C2的表面,促進(jìn)了光生電子和空穴的分離。之后,光生電子與催化劑表面吸附的氧作用形成超氧負(fù)離子(·O2-),空穴與催化劑表面的羥基和水分子作用形成羥基自由基(·OH),·O2-和·OH因其強(qiáng)氧化性能夠有效降解羅丹明B分子。但是隨著溫度進(jìn)一步升高,TiO2/DL-Ti3C2復(fù)合材料的光催化性能開始下降。這是因?yàn)楦邷叵律蒚iO2含量的增加雖然有利于光生電子和空穴的生成,但是DL-Ti3C2的氧化程度過深使其電子電導(dǎo)性降低,光生電子與空穴的復(fù)合率升高,導(dǎo)致TiO2/DLTi3C2復(fù)合材料光催化性能反而降低。所以,DL-Ti3C2和TiO2的協(xié)同作用對于提高光催化活性至關(guān)重要。因此,提高TiO2/DL-Ti3C2復(fù)合材料光催化性能的關(guān)鍵是通過控制氧化溫度來調(diào)節(jié)TiO2/DL-Ti3C2復(fù)合材料中DL-Ti3C2和TiO2的相對含量。

        3 結(jié) 論

        采用溶劑熱法控制氧化DL-Ti3C2制備了TiO2/DL-Ti3C2復(fù)合光催化劑,并以羅丹明B溶液為目標(biāo)污染物,在可見光條件下測試TiO2/DL-Ti3C2復(fù)合材料的光催化活性。結(jié)果表明,在溶劑熱反應(yīng)過程中,DL-Ti3C2逐漸氧化形成TiO2納米顆粒。隨著溶劑熱反應(yīng)溫度的升高,生成的TiO2納米顆粒增加。TiO2/DL-Ti3C2復(fù)合光催化劑對可見光響應(yīng)且光催化性能明顯優(yōu)于DL-Ti3C2,當(dāng)氧化溫度為160℃時,TiO2/DL-Ti3C2-160對于羅丹明B溶液的光催化解率達(dá)到最高,約為93.1%。這主要是因?yàn)?,在TiO2/DL-Ti3C2復(fù)合材料中,作為光催化劑主體的TiO2在光照下產(chǎn)生光生電子和空穴,而DL-Ti3C2由于其良好的導(dǎo)電性、高的比表面積和豐富的表面含氧基團(tuán),促進(jìn)了污染物在復(fù)合材料表面的吸附,加速了TiO2導(dǎo)帶所生成的光生電子的轉(zhuǎn)移,提高了光生電子-空穴的分離效率。此外,DL-Ti3C2原位氧化生成TiO2的同時,形成C-O-Ti鍵,使TiO2的帶隙變窄,有利于提高TiO2對可見光的吸收和利用。因此,可以通過控制氧化溫度來調(diào)節(jié)Ti3C2/DL-TiO2復(fù)合材料中DL-Ti3C2和TiO2的相對含量,使二者協(xié)同作用以提高TiO2/DLTi3C2復(fù)合光催化劑的性能。

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