金寧昌
(廣州半導(dǎo)體材料研究所,廣東 廣州 510610)
目前,單晶爐生長(zhǎng)Nd:YAG晶體都是采用銥-銥銠熱電偶測(cè)溫[1],通過(guò)3504過(guò)程控制器自動(dòng)控制中頻電源的輸出功率,從而達(dá)到控制爐溫的目的。但是多年的生產(chǎn)實(shí)踐中發(fā)生了因熱偶故障而影響產(chǎn)品質(zhì)量甚至中途被迫停爐的情況。原因有如下幾方面:
(1)熱偶測(cè)溫端松動(dòng)。因?yàn)闊崤紲y(cè)溫端是固定在爐內(nèi)保溫材料上的,當(dāng)保溫材料發(fā)生變形、開(kāi)裂等情況時(shí),會(huì)導(dǎo)致熱偶測(cè)溫端的位移,從而產(chǎn)生虛假的溫度波動(dòng)傳輸?shù)竭^(guò)程控制器,過(guò)程控制器將立即控制中頻電源使電源功率產(chǎn)生較大的調(diào)整,晶體生長(zhǎng)因溫度波動(dòng)而受到嚴(yán)重的干擾。
(2)熱偶冷端因環(huán)境溫度偶爾的較大溫差干擾同樣會(huì)觸發(fā)過(guò)程控制器對(duì)中頻電源的意外控制,后果與上述相同。
(3)熱電偶斷裂。熱電偶測(cè)溫端焊接點(diǎn)由于多次使用后易脆,由于保溫材料的變形收縮等導(dǎo)致熱電偶自焊接處斷裂。熱偶斷開(kāi)后,失去測(cè)溫功能,只能手動(dòng)降溫停爐。
基于以上原因,本文開(kāi)展了晶體爐控溫方式的研究,取消了銥-銥銠熱電偶測(cè)溫裝置,采用電源功率模擬量控溫,消除了熱電偶測(cè)溫系統(tǒng)故障引起的干擾。
晶體生長(zhǎng)設(shè)備為DJL-800型全自動(dòng)單晶爐,中頻電源為AtceF系列感應(yīng)加熱電源,溫控器采用3500系列可編程回路調(diào)節(jié)器。
我們使用的是銥-銥銠絲焊接而成的熱偶,一端從單晶爐側(cè)面預(yù)留孔穿入爐內(nèi)作為測(cè)溫端,另一端通過(guò)屏蔽線(xiàn)與調(diào)節(jié)器相連,為了使冷端處于溫度相對(duì)穩(wěn)定的環(huán)境中,一般將冷端放入保溫瓶中,并在保溫瓶中注滿(mǎn)水。如圖1所示:
圖1 熱電偶裝置
熱偶冷端通過(guò)屏蔽線(xiàn)與調(diào)節(jié)器的輸入端連接,盡量減少各種不利因素對(duì)測(cè)溫信號(hào)的干擾。如圖2所示(49、50端子是從熱偶過(guò)來(lái)的溫度信號(hào)):
圖2 調(diào)節(jié)器輸入端(49,50)
當(dāng)爐內(nèi)溫度發(fā)生變化時(shí)(比如電網(wǎng)電壓波動(dòng)、循環(huán)冷卻水流量及水溫波動(dòng)等),熱偶測(cè)出的溫度信號(hào)進(jìn)入調(diào)節(jié)器的輸入端,這個(gè)變化值與調(diào)節(jié)器設(shè)定的電壓比較后輸出一個(gè)信號(hào)給中頻電源去控制電源的輸出功率,實(shí)現(xiàn)溫度自動(dòng)控制。
如上所述,在實(shí)際的晶體生長(zhǎng)過(guò)程中,由于熱電偶測(cè)溫端容易發(fā)生位移,不同的點(diǎn)對(duì)應(yīng)的溫度有較大的差別,經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)實(shí)際爐溫并沒(méi)有變化但測(cè)出的溫度會(huì)發(fā)生較大的變化,這樣會(huì)給調(diào)節(jié)器輸入一個(gè)假的溫度信號(hào),調(diào)節(jié)器將會(huì)自動(dòng)調(diào)整電源功率,使?fàn)t溫產(chǎn)生較大的波動(dòng),這樣會(huì)造成晶體缺陷甚至晶體開(kāi)裂的情況。只要外在的因素造成熱偶測(cè)溫產(chǎn)生偏差,都會(huì)造成爐溫的不正常波動(dòng)。如果熱電偶在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中斷裂,將失去測(cè)溫作用,只能停爐處理。
取消熱電偶測(cè)溫裝置,將會(huì)消除其自身帶來(lái)的一系列不利因素對(duì)晶體生長(zhǎng)過(guò)程的干擾,提高過(guò)程穩(wěn)定性。
功率模擬量自動(dòng)控溫的實(shí)現(xiàn),有賴(lài)于AtceF系列感應(yīng)加熱電源設(shè)備。
圖3 中頻電源用戶(hù)接口端子表
從圖3中頻電源用戶(hù)接口端子表中我們看到,AtceF系列感應(yīng)加熱電源自帶有兩路功率模擬量輸出端子[2],即XT.9,XT.10,只要將其中一路輸出接到溫控器的輸入端,就能將溫控器輸入端信號(hào)由測(cè)溫信號(hào)變?yōu)楣β市盘?hào),如圖4所示。
圖4 中頻電源功率模擬量出端(10,11)
因?yàn)槭枪β士刂疲蓄l電源的功率模擬信號(hào)輸出端(10,11)連接到溫控器輸入端后,須在溫控器輸入端并接一小電阻(因?yàn)闊犭娕紲y(cè)溫時(shí)對(duì)應(yīng)的輸入信號(hào)是mV,而功率模擬量輸出的是mA),如圖5所示。
取消熱電偶并接入電源模擬量輸出后,還需要對(duì)3504調(diào)節(jié)器進(jìn)行一些參數(shù)的修改,才能實(shí)現(xiàn)功率模擬量對(duì)爐溫的調(diào)節(jié)。
圖5 給溫控器輸入端并接電阻
溫控器參數(shù)[3]的修改主要有三個(gè)方面:輸入方式,輸入范圍以及PID。
(1)輸入方式修改。將PVInput目錄下的子菜單IO Type參數(shù)由40mV修改為mA.如圖6、圖7所示。
圖6 使用熱偶時(shí)IO Type參數(shù)設(shè)置
圖7 取消熱偶后的IO Type參數(shù)設(shè)置
(2)輸入范圍修改。將PVInput目錄下的Range Hi由12.6修改為20,Range Lo由0修改為4,如圖8、圖9所示
圖8 使用熱偶時(shí)Range參數(shù)修設(shè)置
圖9 取消熱偶后Range參數(shù)設(shè)置
(3)PID參數(shù)修改。將Lp1目錄下的PID參數(shù)中的PB由1200修改為9800,Ti由360修改為10,Td由80修改為1,如圖10、圖11所示。
圖10 使用熱偶時(shí)PID參數(shù)設(shè)置
對(duì)于過(guò)程顯示值,可根據(jù)每臺(tái)爐實(shí)際功率的大小,修改PVInput目錄下的Disp值。
圖11 取消熱偶后PID參數(shù)設(shè)置
至此,完成了自動(dòng)控徑單晶爐控溫方式的改造,取消了熱電偶測(cè)溫裝置,溫度調(diào)節(jié)器輸入端輸入信號(hào)由熱電偶測(cè)溫信號(hào)改為中頻電源功率模擬量信號(hào),過(guò)程變得簡(jiǎn)單有效。溫度調(diào)節(jié)器將根據(jù)重量傳感器檢測(cè)到的晶體重量的變化進(jìn)行加熱功率的調(diào)節(jié),排除了熱偶測(cè)溫過(guò)程中可能存在的各種不利因素的干擾。
經(jīng)過(guò)半年多的生產(chǎn)實(shí)踐,改進(jìn)后的控溫方式能夠?qū)崿F(xiàn)程序自動(dòng)升溫,控溫及時(shí)準(zhǔn)確,晶體生長(zhǎng)過(guò)程溫場(chǎng)穩(wěn)定,故障率低,提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量,同時(shí),由于取消了貴金屬銥-銥銠熱偶,降低了生產(chǎn)成本,取得了較好的效果。