晶澳太陽(yáng)能有限公司 ■ 劉苗 嚴(yán)金梅 趙江雷 張朔龍 張豪偉
隨著社會(huì)的進(jìn)步,各種用電設(shè)施層出不窮;電力的消耗不斷上升。傳統(tǒng)的火力發(fā)電仍是目前主流的發(fā)電方式,但其對(duì)于化石能源的消耗量大且能源利用率低、環(huán)境污染嚴(yán)重;而風(fēng)力發(fā)電雖然無(wú)污染,但是噪音大且對(duì)安裝位置及周邊環(huán)境要求高;于是在這種情況下,作為新能源的光伏發(fā)電受到了人們的廣泛關(guān)注。
根據(jù)材質(zhì)的不同,太陽(yáng)電池可分為晶體硅太陽(yáng)電池和非晶體硅太陽(yáng)電池。根據(jù)工藝的不同,晶體硅太陽(yáng)電池可分為單晶硅太陽(yáng)電池與多晶硅太陽(yáng)電池[1];按照摻雜類型的不同,晶體硅太陽(yáng)電池還可分為p型和n型晶體硅太陽(yáng)電池。目前,p型單晶硅太陽(yáng)電池產(chǎn)業(yè)化推廣最多。
近年來(lái),隨著太陽(yáng)電池技術(shù)不斷更新,普通p型單晶硅太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率已達(dá)到20%以上,新開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的鈍化發(fā)射極和局部背接觸(PERC)太陽(yáng)電池的平均轉(zhuǎn)換效率更是接近22%。選擇性發(fā)射極(SE)技術(shù)的研發(fā)及量產(chǎn)使PERC電池正面的轉(zhuǎn)換效率進(jìn)一步得到了大幅提升?!癝E+PERC”技術(shù)已經(jīng)以絕對(duì)的效率及功率優(yōu)勢(shì)全面替代傳統(tǒng)的單晶硅太陽(yáng)電池工藝。
雖然“SE+PERC”技術(shù)的量產(chǎn)使PERC單晶硅太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率大幅提升,但激光的引進(jìn)加劇了采用該技術(shù)的光伏組件機(jī)械荷載失效的風(fēng)險(xiǎn)。為了解決光伏組件機(jī)械荷載失效問(wèn)題,部分廠家開(kāi)始采用半片電池技術(shù)或?qū)M件添加橫梁支撐等方式,但采用這些方式會(huì)進(jìn)一步增加PERC光伏組件的成本。
本文在不增加組件成本的前提下,通過(guò)優(yōu)化電池設(shè)計(jì)來(lái)解決PERC光伏組件機(jī)械荷載失效的問(wèn)題。
采用自制的單片電池彎曲應(yīng)力測(cè)試儀對(duì)電池進(jìn)行彎曲應(yīng)力測(cè)試;采用中建材自動(dòng)機(jī)械荷載試驗(yàn)設(shè)備對(duì)組件進(jìn)行機(jī)械荷載測(cè)試;采用Pasan高精度I-V測(cè)量系統(tǒng)測(cè)量實(shí)驗(yàn)前后組件的功率情況。
實(shí)驗(yàn)選取7片硅片,所用硅片為松宮電子材料有限公司生產(chǎn)的單晶硅8寸硅片(同一根硅棒切割而成),電阻率范圍為1~3 Ω·cm,硅片厚度為 180 μm。
采用圖1所示的PERC太陽(yáng)電池工藝流程,將7片單晶硅硅片制成PERC單晶硅太陽(yáng)電池,但在進(jìn)行了正面鍍膜處理后,根據(jù)不同的工藝,設(shè)計(jì)成7個(gè)不同的樣品。
圖1 PERC太陽(yáng)電池工藝流程
樣品1~樣品7均為成品PERC單晶硅太陽(yáng)電池,各自在制作中的不同點(diǎn)體現(xiàn)在:樣品1為3根主柵,樣品2為4根主柵,樣品3為5根主柵,樣品4在激光開(kāi)槽時(shí)背面電極的激光線采用連續(xù)貫穿設(shè)計(jì),樣品5在激光開(kāi)槽時(shí)背面電極的激光線采用段式斷開(kāi)設(shè)計(jì),樣品6的背面電極與背電場(chǎng)連接處的兩端采用搭接設(shè)計(jì),樣品7的背面電極與背場(chǎng)連接處的兩端采用斷開(kāi)設(shè)計(jì);除以上不同工序外,其他工序不變。
通過(guò)四點(diǎn)彎曲法測(cè)試主柵數(shù)量分別為3根、4根、5根的樣品1、樣品2及樣品3的彎曲力學(xué)性能。3個(gè)樣品的抗彎強(qiáng)度如圖2所示。
圖2 不同主柵數(shù)量的樣品的抗彎強(qiáng)度情況
由圖2可知,主柵數(shù)量不同的3個(gè)樣品之間的抗彎強(qiáng)度差異很小;樣品2的受力位置剛好在電極區(qū)域,造成其抗彎強(qiáng)度與樣品1和樣品3相比偏低[2];但總體而言,三者的抗彎強(qiáng)度都較差。
電池片電極區(qū)域的抗彎強(qiáng)度差主要是因?yàn)樵赑ERC單晶硅太陽(yáng)電池的制作過(guò)程中,背面鍍膜(Al2O3薄膜+Si3N4薄膜)之后,由于Si3N4薄膜本身不導(dǎo)電,需引進(jìn)激光開(kāi)槽工藝將高能量的激光束聚焦于硅片表面,從而將硅片表面已經(jīng)鍍好的背面鈍化膜開(kāi)槽,在印刷過(guò)程中漿料才會(huì)通過(guò)激光開(kāi)槽線與硅片形成歐姆接觸;但是激光開(kāi)槽過(guò)程中難免會(huì)對(duì)硅片表面造成損傷[3],尤其是在電極位置。
以四點(diǎn)彎曲法測(cè)試樣品4和樣品5的抗彎強(qiáng)度,測(cè)試結(jié)果如圖3所示。
圖3 不同激光線開(kāi)槽方式的樣品的抗彎強(qiáng)度
由圖3可知,背面電極的激光線采用段式斷開(kāi)設(shè)計(jì)的樣品5的抗彎強(qiáng)度有明顯提升。這是因?yàn)殡姵卦谟∷Y(jié)過(guò)程及組件焊接過(guò)程中,電極位置由于材料的熱膨脹系數(shù)不同導(dǎo)致殘余熱應(yīng)力加劇裂紋成核[4-5],電池從而產(chǎn)生裂紋甚至碎片,而激光開(kāi)槽過(guò)程中在背面電極位置的損傷會(huì)進(jìn)一步加速裂紋成核。但背面電極的激光線采用段式斷開(kāi)設(shè)計(jì)可以避免這一問(wèn)題的產(chǎn)生。因此,以樣品5的工藝方式作為組件機(jī)械荷載測(cè)試的備選方案之一。
以四點(diǎn)彎曲法測(cè)試了樣品6和樣品7的抗彎強(qiáng)度,測(cè)試結(jié)果如圖4所示。
圖4 背面電極與背電場(chǎng)連接處采用不同連接方式的樣品的抗彎強(qiáng)度
由圖4可知,背面電極與背電場(chǎng)連接處的兩端采用斷開(kāi)設(shè)計(jì)的樣品7具有更好的抗彎強(qiáng)度。這是因?yàn)楸趁骐姌O四周和背電場(chǎng)有部分重疊,為了保證電池內(nèi)部的電子能夠充分的傳導(dǎo)至背面電極上,重疊區(qū)域與背面電極會(huì)存在一定的高度差;而電池在串焊成組件之后,在機(jī)械荷載測(cè)試過(guò)程中,組件受到壓力而局部變形,變形過(guò)程中焊帶在重疊區(qū)域由于高度差的影響導(dǎo)致受力不均勻,從而會(huì)加劇電池裂紋的產(chǎn)生,但背面電極與背電場(chǎng)連接處的兩端采用斷開(kāi)設(shè)計(jì)可以解決這一問(wèn)題。因此,以樣品7的工藝方案作為組件機(jī)械荷載測(cè)試備選方案之一。
由于電池的抗彎強(qiáng)度與組件的機(jī)械荷載測(cè)試結(jié)果并非一一對(duì)應(yīng)關(guān)系,最終的解決方案還是要以組件的機(jī)械荷載結(jié)果來(lái)評(píng)判。因此,將樣品5與樣品7的電池工藝相結(jié)合制作成組件(改良型組件),并與常規(guī)的PERC單晶硅太陽(yáng)電池制成的組件進(jìn)行機(jī)械荷載測(cè)試,測(cè)試結(jié)果如表1所示。
表1 2種組件類型的機(jī)械荷載測(cè)試結(jié)果
由表1可知,改良型組件的功率衰減遠(yuǎn)小于常規(guī)PERC單晶硅光伏組件的功率衰減;并且根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),光伏組件機(jī)械荷載試驗(yàn)在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下的最大輸出功率衰減不得超過(guò)試驗(yàn)前的4%,而改良型組件的功率衰減僅0.32%左右。由此可知,將樣品5與樣品7的電池工藝相結(jié)合制作成改良型組件后,該類組件的抗機(jī)械荷載能力強(qiáng)。
本文針對(duì)PERC單晶硅光伏組件機(jī)械荷載失效的問(wèn)題,將電池的工藝流程進(jìn)行了優(yōu)化,測(cè)試后得到以下結(jié)論:
1)背面電極激光線采用段式斷開(kāi)設(shè)計(jì)的方式,可有效避免激光線在背面電極位置造成損傷而加劇裂紋成核,以及由此導(dǎo)致的電池在機(jī)械荷載測(cè)試中碎裂的情況。
2)背面電極與背電場(chǎng)連接處的兩端采用斷開(kāi)設(shè)計(jì),可避免焊帶在焊接過(guò)程中由于高度差導(dǎo)致受力不均勻,以及由此導(dǎo)致的組件機(jī)械荷載失效問(wèn)題的產(chǎn)生。
3)背面電極激光線采用段式斷開(kāi)設(shè)計(jì)及背面電極與背電場(chǎng)連接處的兩端采用斷開(kāi)設(shè)計(jì)相結(jié)合的電池生產(chǎn)工藝為最優(yōu)方案。