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        基于TM50模的高增益貼片天線

        2019-05-30 10:48:04張?jiān)脐?/span>曹文權(quán)錢祖平
        南京信息工程大學(xué)學(xué)報(bào) 2019年1期
        關(guān)鍵詞:高增益

        張?jiān)脐? 曹文權(quán) 錢祖平

        摘要 本文提出了一個(gè)基于TM50模的高增益方形貼片天線.在TM50諧振模式下,天線表面會有2段與輻射邊緣相反的電流,通過在天線表面開槽,可使貼片表面的2段反相電流各自形成回路,從而很好地去除TM50模的4個(gè)旁瓣.與此同時(shí),由于削弱了反相電流,開槽后的天線是由3段同相電流疊加而成,這就等同于3個(gè)工作于TM10模的天線單元共同作用的效果.通過調(diào)節(jié)槽型縫隙,天線單元最大增益可達(dá)到13.3 dB.

        關(guān)鍵詞TM50模;低旁瓣;高增益

        中圖分類號TN820

        文獻(xiàn)標(biāo)志碼A

        0?引言

        天線作為無線通信系統(tǒng)之間信息傳遞的重要組成部分,直接影響無線通信系統(tǒng)的整體性能.微帶天線因?yàn)槠淦拭娴?、加工制造簡單、易共形等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于軍事、民用等領(lǐng)域.但是,對于遠(yuǎn)程通信系統(tǒng),為了補(bǔ)償路徑損耗等問題,對天線的增益提出了很高的要求.為了獲取較高的增益,傳統(tǒng)方法是單元組陣技術(shù).然而,對于增益較小的天線單元,不但需要更多的單元來滿足高增益的要求,而且增加了制作復(fù)雜度和加工成本.

        針對天線單元增益較低的問題,目前已有一些方案進(jìn)行解決.例如文獻(xiàn)[1-3]采用反射面等結(jié)構(gòu)來提高天線增益,但是這無疑增大了天線的剖面;文獻(xiàn)[4-6]采用堆疊形式或采用高介電常數(shù)介質(zhì)基板,而這種方法只是基于天線整體面積和介質(zhì)層的影響,并不是直接提高輻射單元的增益.為了在不增加天線剖面高度及破壞天線原有物理參數(shù)的前提下有效提高天線單元增益,使用高次模作為天線輻射模式成為一種有效途徑.但是,由于高次模存在較大的旁瓣,這將對實(shí)際應(yīng)用產(chǎn)生較大的影響.

        為充分利用高次模的高增益特性,同時(shí)減小高次模旁瓣對天線性能的影響,本文以TM50模作為天線輻射模式.在分析天線表面的場分布后,通過對天線表面進(jìn)行開槽,很好地消除了TM50模的4個(gè)旁瓣,同時(shí)獲得了較高的增益.

        1?TM50模式場分析

        通過如圖1a所示的電流分布可以得到,在TM50諧振模式下,貼片表面形成5段電流,中間位置存在與2條輻射邊緣相反的電流區(qū)域.因?yàn)門M50模的輻射方向圖是由5段電流產(chǎn)生的場在遠(yuǎn)場疊加的結(jié)果,所以,如果能夠消除貼片表面的反向電流,就能很好地解決TM50模的旁瓣問題.

        如圖1b所示,通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),在貼片表面2段反相電流的位置開槽,可以使這2段電流分別形成回路,使其產(chǎn)生較小的輻射,從而使得TM50模的輻射方向圖是由3段同相電流疊加而成.所以,利用這樣的方法不但可以有效減小TM50模的旁瓣,而且還能獲得很高的增益.但是,從圖2a可以觀察到,由于中間槽使得H面電場分布變得不均勻,使得天線H面方向圖變寬,從而在一定程度上影響了天線增益的提高.為解決這一問題,如圖2b所示,通過在中間槽的兩側(cè)加入4條對稱邊緣槽,以此平衡被破壞的場分布,從而使得在消除TM50模旁瓣的同時(shí)又不會損失天線增益.

        2?天線單元

        天線結(jié)構(gòu)如圖3所示,基板選取介電常數(shù)為2.2的Rogers-5880,采用同軸饋電的方式對方形貼片進(jìn)行饋電.

        首先分析在貼片反向電流處開槽對TM50模旁瓣和天線增益的影響.圖4a、4b分別給出了不同長度的槽所對應(yīng)的E面、H面方向圖.從圖4a可以觀察到,在沒有開槽的情況下,天線具有2個(gè)與主瓣相同輻射強(qiáng)度的旁瓣和2個(gè)較低的旁瓣.隨著開槽長度的增加,方向電流的強(qiáng)度逐漸被削弱,從而使得旁瓣越來越低.但是,如圖4b所示,隨著開槽長度的增加,H面方向圖的寬度也隨之變寬,這將在一定程度上導(dǎo)致天線的增益下降.

        為改善因貼片中間開槽后所導(dǎo)致的天線增益下降問題,圖5a、5b分別展示了中間槽長度不變的前提下,在中間槽兩側(cè)開4條對稱槽對天線方向圖的影響.如圖5b所示,隨著4條邊緣槽長度的增加,H面的寬度逐漸變窄,這使得增益有所上升.而且,從圖5a所示的E面方向圖可以看到,邊緣槽幾乎沒有影響到旁瓣消除的效果.

        根據(jù)以上分析,可以對天線單元進(jìn)行優(yōu)化.通過調(diào)節(jié)中間槽以及邊緣槽的長度,得到低旁瓣、高增益的天線單元.天線最大增益為13.3 dB.與此同時(shí),通過調(diào)節(jié)饋電點(diǎn)的位置,獲得良好的匹配效果.天線尺寸參數(shù)如表1所示,天線方向圖如圖6a所示,S11曲線如圖6b所示.

        3?結(jié)束語

        本文針對貼片天線單元增益較小的問題,分析了高階模式對提高天線增益的可行性.利用TM50模作為輻射模式,在有效去除單元旁瓣、不影響天線實(shí)際應(yīng)用的前提下,在一定程度上提高了天線單元的增益,為后續(xù)高增益天線的研究提供了思路.

        參考文獻(xiàn)References

        [1]?Lau P Y,Yung K O,Chen Z N.A wideband high gain double EBG reflector antenna[C]∥Communications & Signal Processing.IEEE,2012

        [2]?Feresidis A P,Vardaxoglou J C.High gain planar antenna using optimised partially reflective surfaces[J].Microwaves Antennas & Propagation IEE Proceedings,2001,148(6):345-350

        [3]?Gardelli R,Donzelli G,Albani M,et al.Design of patch antennas and thinned array of patches in a Fabry-Perot cavity covered by a partially reflective surface[C]∥European Conference on Antennas & Propagation.IEEE,2006

        [4]?Xiang H,Jiang X.Design of a high gain microstrip antenna array at Ku-band[C]∥WRI International Conference on Communications & Mobile Computing.IEEE Computer Society,2009

        [5]?You C S,Hwang W.Gain enhancement method of microstrip antennas by dielectric cover,considering bandwidth[C]∥Antennas & Propagation Society International Symposium.IEEE,2005

        [6]?Gautam A K,Singh M.Design of gain enhanced stacked rectangular dielectric resonator antenna for C-band applications[C]∥International Conference on Computing for Sustainable Global Development.IEEE,2016

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