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        TiO2-BiVO4復合材料的制備及其光催化降解印染廢水

        2019-03-10 01:31:22楊知勛
        印染助劑 2019年12期
        關(guān)鍵詞:復合材料

        楊知勛

        (河北環(huán)境工程學院,河北秦皇島 066102)

        近年來,我國的印染行業(yè)快速發(fā)展,為人們提供了豐富的印染制品,同時也產(chǎn)生了更多的印染廢水[1-2]。印染廢水成分復雜、毒性大,特別是各種新型助劑的應用,進一步增加了印染廢水的處理難度,未經(jīng)有效處理的廢水嚴重影響生態(tài)環(huán)境,危害人體健康[3-4]。傳統(tǒng)的印染廢水處理方式雖具有較好的處理效果,但仍存在能耗較高、降解不徹底、易造成二次污染等問題[5-6]。光催化降解技術(shù)能夠?qū)⒍喾N有機污染物完全分解為小分子物質(zhì),環(huán)境友好、成本低廉,將光催化降解技術(shù)引入印染廢水處理工藝具有廣闊的應用前景[7-8]。BiVO4是一種穩(wěn)定的半導體光催化劑,可吸收部分可見光,但BiVO4的光生電子-空穴復合速率較快,量子效率低,光催化活性較低[9]。TiO2性質(zhì)穩(wěn)定、無毒無害、價格低廉,是最常用的光催化劑,但是TiO2由于禁帶寬度較大,只能吸收太陽光中的紫外部分,對太陽光的利用率不高,光催化活性較低[10-11]。大量實驗證明,將 TiO2與 BiVO4復合得到的TiO2-BiVO4復合光催化劑具有更好的光催化性能[12]。本研究以鈦酸丁酯、五水硝酸鉍、偏釩酸銨為主要原料制備TiO2-BiVO4復合光催化劑,研究了復合光催化劑對模擬印染廢水羅丹明B溶液的降解效果。

        1 實驗

        1.1 試劑與儀器

        試劑:鈦酸丁酯,無水乙醇,五水硝酸鉍,偏釩酸銨,鹽酸,濃硝酸,30%雙氧水,實驗用水為實驗室自制去離子水。儀器:Bruker D8 Avance型X射線衍射儀,Thermo 250型X射線光電子能譜儀(XPS),JSM-7610F型掃描電鏡,UV-2600/2700型紫外-可見分光光度計,PMEye-3000光致發(fā)光熒光光譜儀。

        1.2 光催化劑的制備

        1.2.1 TiO2

        利用溶膠-凝膠法制備TiO2。將200 mL無水乙醇、10 mL鹽酸和10 mL去離子水混合攪拌10 min得到溶液A;將100 mL鈦酸丁酯和100 mL無水乙醇混合攪拌10 min得到溶液B。將溶液A在攪拌下逐滴加入到溶液B中得到溶膠,靜置,80℃干燥12 h,自然冷卻后研磨成粉末狀,400℃退火2 h,自然冷卻,再次研磨后得到TiO2粉末。

        1.2.2 BiVO4

        將10 mL濃硝酸稀釋到30 mL去離子水中,再加入5 g五水硝酸鉍,磁力攪拌10 min得到溶液C;將2 g偏釩酸銨加入30 mL 2 mol/L的氫氧化鈉溶液中,磁力攪拌10 min得到溶液D。將D溶液逐滴加入到溶液C中,并用氫氧化鈉溶液調(diào)節(jié)pH為7,磁力攪拌20 min,130℃反應12 h,自然冷卻,無水乙醇和去離子水清洗后,80℃干燥12 h,自然冷卻,400℃退火2 h,自然冷卻后研磨得到BiVO4。

        1.2.3 TiO2-BiVO4復合材料

        參考1.2.2制備溶液C、D,將溶液D逐滴加入到溶液C中,持續(xù)攪拌,利用氫氧化鈉溶液調(diào)節(jié)pH為7,將1 g 1.2.1制備的TiO2加入其中,磁力攪拌20 min,按照1.2.2的制備方法反應、干燥并退火,得到TiO2-BiVO4復合材料。

        1.3 光催化降解實驗

        光源為300 W氙燈,模擬印染廢水為10 mg/L羅丹明B溶液,光源垂直照射液面,反應器壁設計為雙層結(jié)構(gòu),內(nèi)部充滿循環(huán)冷卻水,以保持溶液恒溫。將200 mg光催化劑加入到400 mL羅丹明B溶液中,在避光條件下攪拌30 min,達到吸附-脫附平衡,開啟光源,每隔10 min取出10 mL溶液,離心過濾去除光催化劑,用紫外-可見分光光度計測試553 nm處的吸光度,計算降解率=(1-ρt/ρ0)×100%,其中,ρ0為羅丹明B溶液的初始質(zhì)量濃度,ρt為光催化反應后羅丹明B溶液的質(zhì)量濃度。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 表征

        2.1.1 XRD

        由圖1可知,TiO2在2θ=25.3°、37.8°、48.1°、53.9°、55.2°和62.7°處出現(xiàn)衍射峰,分別對應TiO2銳鈦礦結(jié)構(gòu)的(101)、(004)、(200)、(105)、(211)和(204)晶面;由衍射峰的形狀可知,TiO2具有較高的晶化度。BiVO4在2θ=18.9°、28.7°、30.5°、34.5°、39.8°、46.6°、47.3°、53.2°和55.9°處出現(xiàn)衍射峰,表明BiVO4為單純的單斜相結(jié)構(gòu)。TiO2-BiVO4的XRD圖譜除存在銳鈦礦TiO2的特征峰以外,還存在BiVO4單斜相結(jié)構(gòu)的特征峰,表明TiO2-BiVO4為二元復合結(jié)構(gòu)。

        圖1 TiO2(a)、BiVO4(b)和TiO2-BiVO4(c)的XRD圖譜

        2.1.2 SEM

        由圖2a可知,BiVO4呈長條狀,直徑約500 nm,長度為2~3 μm。由圖2b可知,TiO2呈球狀負載在BiVO4表面,兩者結(jié)合緊密,這種結(jié)合能夠形成異質(zhì)結(jié),有利于光生電子-空穴的分離,提高光催化效率。

        圖2 BiVO4(a)和TiO2-BiVO4(b)的SEM圖

        2.1.3 UV-Vis

        由圖3A可知,TiO2的吸收邊界在390 nm處,表明TiO2只能吸收太陽光中的紫外部分;BiVO4的吸收邊界約為520 nm,表明BiVO4不僅可以吸收太陽光中的紫外部分,還能吸收部分可見光,對太陽光的利用率更高;相比BiVO4,BiVO4與TiO2結(jié)合后光吸收邊界出現(xiàn)了紅移。禁帶寬度是光催化劑的重要特征之一,對于半導體材料,可以利用方程αhυ=A(hυ-Eg)1/2(其中α表示光吸收系數(shù),hυ表示光子能量,Eg表示半導體的禁帶寬度,A為常數(shù))計算禁帶寬度。如圖3B所示,TiO2、BiVO4和 TiO2-BiVO4的禁帶寬度分別約為 3.22、2.46 和 2.41 eV,TiO2-BiVO4的禁帶寬度小于 BiVO4、TiO2,表明TiO2-BiVO4可以吸收更多的可見光,增加太陽光的利用率。

        圖3 TiO2(a)、BiVO4(b)和 TiO2-BiVO4(c)的UV-Vis吸收光譜A及禁帶寬度擬合曲線B

        2.1.4 PL譜

        光生電子-空穴的復合概率是影響半導體光催化劑活性的重要因素之一,復合概率越高,表明參與到光催化反應的電子和空穴越少,光催化活性越低。PL譜可以反映光生電子-空穴的復合概率,PL譜強度越低,光生電子-空穴的復合概率越低,光催化活性越高[14]。由圖4可知,TiO2-BiVO4復合材料的PL譜強度最低,表明TiO2-BiVO4的光生電子-空穴復合概率最低,更多的光生電子-空穴可以參與到光催化反應中,有利于提高光催化活性。

        圖4 TiO2(a)、BiVO4(b)和TiO2-BiVO4(c)的PL譜

        2.1.5 XPS

        由圖5a可知,全譜圖包括了TiO2-BiVO4復合材料典型元素的Ti 2p、Bi 4f、O 1s和V 2p峰。由圖5b~5e可以看出,Ti 2p在464.5、458.8 eV處的兩個峰分別對應 Ti4+的 Ti 2p1/2、Ti 2p3/2軌道特征峰;Bi 4f在 164.3、159.1 eV處的兩個峰分別對應BiVO4中Bi3+的Bi 4f5/2、Bi 4f7/2軌道特征峰;O 1s在529.9、531.4 eV處擬合的兩個峰分別對應TiO2和BiVO4各自表面的晶格氧;V 2p在516.5、523.9 eV處的兩個峰分別對應BiVO4中V5+的V 2p3/2、V 2p1/2軌道特征峰。所有峰的位置表明,TiO2-BiVO4的界面結(jié)合良好,形成了異質(zhì)結(jié)構(gòu)[13]。

        圖5 TiO2-BiVO4的 XPS全譜圖(a)和 Ti 2p(b)、Bi 4f(c)、O 1s(d)和 V 2p峰(e)

        2.2 光催化降解羅丹明B研究

        由圖6可以看出,當沒有加入光催化劑時,羅丹明B的質(zhì)量濃度幾乎沒有變化,說明羅丹明B沒有被降解。加入光催化劑后,羅丹明B溶液的質(zhì)量濃度降低,這主要是由于部分羅丹明B吸附在催化劑表面,導致溶液中羅丹明B質(zhì)量濃度降低。在光照條件下,加入催化劑的羅丹明B溶液被不同程度的降解,其中BiVO4光催化劑的降解率最低,光照60 min后的降解率僅為48.3%,TiO2-BiVO4復合材料的降解率最高,60 min后的降解率達87.3%。60 min后,羅丹明B溶液的質(zhì)量濃度均不再出現(xiàn)明顯變化,表明光催化降解反應達到平衡。TiO2-BiVO4復合材料的光催化活性增加,一方面是由于光吸收的增加提高了對光的利用效率;另一方面是由于在TiO2和BiVO4之間形成了異質(zhì)結(jié),有利于光生電子-空穴的分離,增加了光生電子-空穴的利用效率。

        圖6 TiO2、BiVO4和TiO2-BiVO4復合材料對羅丹明B的降解率

        2.3 光催化穩(wěn)定性研究

        由圖7可以看出,經(jīng)過5次光催化降解實驗后,TiO2-BiVO4復合材料仍然具有良好的光催化活性,光照60 min后對羅丹明B溶液的降解率達到81.7%,表明TiO2-BiVO4復合材料具有良好的穩(wěn)定性。

        圖7 TiO2-BiVO4復合材料重復使用的降解率

        3 結(jié)論

        (1)以鈦酸丁酯、五水硝酸鉍、偏釩酸銨為主要原料制備了TiO2-BiVO4復合光催化劑。

        (2)相比TiO2和BiVO4,TiO2-BiVO4復合光催化劑能夠吸收更多的光,光生電子-空穴復合概率更低。

        (3)TiO2-BiVO4復合光催化劑具有良好的光催化活性,60 min后對羅丹明B溶液的降解率達87.3%;光催化穩(wěn)定性較好,5次光催化降解實驗后,對羅丹明B溶液的降解率為81.7%。

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