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        基于高密度電阻率探測(cè)技術(shù)的地質(zhì)災(zāi)害塌陷區(qū)域調(diào)查研究

        2019-02-25 07:34:12韋明汛
        世界有色金屬 2019年24期
        關(guān)鍵詞:阻層斷面圖電法

        韋明汛

        (廣西壯族自治區(qū)地質(zhì)調(diào)查院,廣西 南寧 530023)

        1 區(qū)域地質(zhì)特征

        工作區(qū)位于廣西壯族自治區(qū)中北部,柳州東部,位于桂中凹陷來賓斷褶帶及宜山弧形斷褶帶構(gòu)造單元內(nèi),為華力西~印支旋回大型沉積拗陷區(qū)。出露的前第四紀(jì)地質(zhì)層從新到老依次有:石炭系、泥盆系。其中以石炭系分布最廣,泥盆系小面積分散出露于圖幅北西角、北東角和南東側(cè)等區(qū)域[1]。前第四紀(jì)地質(zhì)層分為碎屑巖礦及碳酸鹽巖礦兩大類。

        區(qū)域地下水主要為巖礦溶水和基巖礦裂隙水為主,松散巖礦類孔隙水分布面積小,供水意義不大。地質(zhì)水文的富水性在柳江盆地大部分地區(qū)屬含水豐富級(jí),只有在白云巖礦區(qū)及中部和東部碳酸鹽巖礦與碎屑巖礦呈間夾層出現(xiàn)時(shí),富水性為中等或貧乏[2]。根據(jù)含水介質(zhì)特征及地下水賦存條件,地下水類型可分為松散巖層類孔隙水、碎屑巖層類基巖裂隙水、碳酸鹽巖類巖溶水三大類。

        2 工作方法技術(shù)及質(zhì)量評(píng)述

        2.1 工作布置

        根據(jù)任務(wù)和設(shè)計(jì)的要求以及工作區(qū)的地質(zhì)條件、物性條件及擬解決的地質(zhì)問題,本次物探工作采用的主要地球物理探測(cè)方法為高密度電阻率法。查明覆蓋地質(zhì)層厚度、隱伏的地質(zhì)發(fā)育帶的分布等,同時(shí)為確定水文地質(zhì)、工程地質(zhì)勘探孔位提供地球物理依據(jù)。測(cè)線基本垂直于地下水流向或者構(gòu)造走向布設(shè),并盡可能避免或減少地形影響和其它人文干擾因素的影響。

        2.2 高密度電阻率法

        (1)方法原理。高密度電法屬直流電阻率法,測(cè)量結(jié)果為二維視電阻率斷面。高密度電法具有點(diǎn)距小、數(shù)據(jù)密度大、工作效率高的特點(diǎn),能較直觀、準(zhǔn)確地反映地下電性異常體的形態(tài)。高密度電法野外數(shù)據(jù)采集是確定采集參數(shù)后,通過主機(jī)控制多路電極轉(zhuǎn)換器經(jīng)由電極系形成供電、測(cè)量的數(shù)據(jù)自動(dòng)采集系統(tǒng)。數(shù)據(jù)采集完成后,通過通訊程序?qū)⒃紨?shù)據(jù)傳入計(jì)算機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、地形校正、二維反演后輸出二維地電斷面圖即完成整個(gè)采集與處理全過程。

        (2)數(shù)據(jù)處理。①由于高密度電法中對(duì)視電阻率的計(jì)算全部由儀器自動(dòng)計(jì)算,故視電阻率的計(jì)算不會(huì)出現(xiàn)計(jì)算錯(cuò)誤。②高密度原始資料在當(dāng)天野外工作結(jié)束后及時(shí)錄入電腦并備份保存,保存文件格式為*.txt文本格式。③后期對(duì)稱四極裝置數(shù)據(jù)處理采用2DRES反演軟件進(jìn)行處理,經(jīng)過多次疊代反演和正演,輸出二維反演結(jié)果和正演數(shù)據(jù),如果反演結(jié)果符合已知地質(zhì)特征和其正演數(shù)據(jù)斷面圖與原始數(shù)據(jù)斷面圖基本吻合,正反演計(jì)算終止,輸出對(duì)稱四極測(cè)深反演地電模型。最后根據(jù)圖件并結(jié)合水文地質(zhì)資料進(jìn)行推斷解釋工作。④最后在電腦平臺(tái)上用MAPGIS地理信息系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)字化各種圖件,形成最終成果圖。

        3 異常解釋推斷

        文章以地質(zhì)塌陷典型區(qū)為例,對(duì)高密度電阻率探測(cè)在地質(zhì)塌陷區(qū)域調(diào)查中的應(yīng)用進(jìn)行了分析。

        地質(zhì)塌陷典型區(qū)調(diào)查區(qū)布置有7條高密度電阻率剖面,點(diǎn)距5m,每條測(cè)線都控制了1-2個(gè)地質(zhì)塌陷點(diǎn),目的是查明典型區(qū)第四系覆蓋層厚度、隱伏地質(zhì)發(fā)育、裂隙構(gòu)造發(fā)育特征及地質(zhì)塌陷特征,其中9-10號(hào)高密度剖面近南北向布設(shè),方位角170°,長約分別為1500m和1050m;11-14號(hào)高密度剖面近東西向布設(shè),方位角約80°,長約分別為1050m、600m、600m、900m;15號(hào)高密度剖面沿北西向布設(shè),長約300m方位角120°。

        由高密度電阻率擬斷面圖件(圖3-1)可知:電阻率大致均勻分布,電性分層清晰,主要為低阻層→高阻層兩層類型,異常位置低阻特征明顯,值變化范圍較大,能夠反映剖面地質(zhì)發(fā)育情況。

        3.1 電性分層地質(zhì)解釋

        上部低阻層解釋:主要分布于地表以下0m~20m深度以內(nèi),電阻率在10Ω·m~100Ω·m,低阻層呈較平緩層狀分布。調(diào)查區(qū)在0m~20m深度段對(duì)應(yīng)地質(zhì)層巖性為第四系粘土層及下伏石炭系大塘組(C1d)淺灰色中厚層至塊狀灰?guī)r和石炭系大浦組(C2d)淺灰色厚層、塊狀白云巖礦頂部。

        下部高阻層解釋:主要分布于地質(zhì)層20m深度以下,電阻率在100Ω·m~10000Ω·m,阻值隨深度增加遞增,整體相對(duì)上層呈高阻特征,呈層狀分布略有起伏,局部存在低阻異常。綜合高阻特征、地質(zhì)層巖性特征及巖性物性特征,推測(cè)區(qū)內(nèi)下高阻層為完整基巖引起,局部低阻異常反映了地質(zhì)裂隙發(fā)育情況。

        圖1 15線高密度電阻率擬斷面圖

        3.2 局部異常地質(zhì)解釋

        高密度電阻率異常:地質(zhì)塌陷調(diào)查區(qū)共圈出了21處(D1、D2、……D21)局部視電阻率低阻異常,9線7處(D1-D7),10線 4處 (D8-D11),11線 4處 (D12-D15),12線2處(D16-D17),13線2處(D18-D19),14線1處(D20), 15線1處(D21)。推斷裂隙構(gòu)造6處,其中F1-F4為北東向發(fā)育,F(xiàn)5和F6為北西向發(fā)育。

        3.3 物探綜述

        調(diào)查區(qū)內(nèi)電性分層清晰,電阻率在縱向、橫向上變化有一定規(guī)律,能較真實(shí)地反映區(qū)內(nèi)地值層巖性分布特征及覆蓋層內(nèi)隱伏地質(zhì)發(fā)育分布情況。地質(zhì)雷達(dá)數(shù)據(jù)因地表溝坎影響,數(shù)據(jù)不穩(wěn)定,質(zhì)量一般,但也能反映出部分土洞發(fā)育情況。

        通過高密度電法測(cè)量可推測(cè)區(qū)內(nèi)第四系覆蓋層厚度在1m~3m之間,下基巖上部在覆蓋層下20m以淺深度段地質(zhì)發(fā)育強(qiáng)烈,低阻異常特征明顯,電阻率在0Ω·m~150Ω·m,局部存在較深溶洞破碎帶,深度在20m~40m左右。本調(diào)查區(qū)整個(gè)谷地的地質(zhì)發(fā)育深度整體上不超過40m,地質(zhì)層深部基巖完整,基巖頂界面呈波浪形起伏。

        4 結(jié)語

        高密度電阻率法可以探測(cè)和推斷低阻異常體的埋深和規(guī)模大小,難以分辨出異常含水量大??;建議在水文地質(zhì)調(diào)查區(qū)增加充電法等物探工作,可區(qū)分高密度電阻率異常性質(zhì),從而能間接推測(cè)異常的含水性。

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