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        聚酰亞胺柔性溫度傳感器的制作與性能測試*

        2018-12-03 08:24:48何柳豐竇文堃劉軍山
        機電工程技術(shù) 2018年11期
        關(guān)鍵詞:蛇形溫度傳感器基底

        何柳豐,竇文堃,劉軍山

        (大連理工大學(xué)遼寧省微納米技術(shù)及系統(tǒng)重點實驗室,遼寧大連 116024)

        0 引言

        溫度傳感器是應(yīng)用最廣泛的傳感器,以硅、玻璃等剛性材料為基底的溫度傳感器制作技術(shù)已經(jīng)非常成熟,但是隨著人們對智能皮膚[1-2]、可穿戴電子[3-4]等領(lǐng)域的關(guān)注,有關(guān)以柔性材料為基底的溫度傳感器的研究越來越多。聚酰亞胺(Polyimide,PI)具有良好的熱穩(wěn)定性、機械性能、化學(xué)性能、電性能和抗腐蝕性,并且在-240~260℃使用范圍內(nèi)具有良好的性能保持性,在柔性溫度傳感器中應(yīng)用廣泛[5]。2007年Xiao等[6]結(jié)合濺射、光刻和腐蝕的方法成功在液態(tài)固化后的PI薄膜上做出Pt薄膜溫度傳感器陣列;2016年Dankoco等[7]采用噴墨打印的方法直接在PI薄膜表面制作出Ag薄膜溫度傳感器。本文作者在75μm厚的PI薄膜上制作弓形與蛇形兩種結(jié)構(gòu)的溫度傳感器,每種結(jié)構(gòu)都分別采用厚度為100 nm的Cu薄膜與Pt薄膜作為熱敏電阻。采用紅外成像設(shè)備對PI基底的熱絕緣性進行測試,且對不同結(jié)構(gòu)、不同金屬材料的溫度傳感器的性能進行對比分析。

        1 實驗部分

        1.1 傳感器的結(jié)構(gòu)設(shè)計

        圖1 溫度傳感器結(jié)構(gòu)Fig.1 Temperature sensors structure.

        該實驗采用厚度為75μm的PI薄膜(Kapton HN,Du-Pont,美國)作為柔性基底。本文作者設(shè)計兩種結(jié)構(gòu),第一種結(jié)構(gòu)仿照Dankoco等[8]設(shè)計的弓形結(jié)構(gòu)(圖1(a)),線寬為600μm。第二種結(jié)構(gòu)仿照Choi等[9]設(shè)計的蛇形結(jié)構(gòu)(圖1(b)),線寬為300μm。

        1.2 柔性溫度傳感器的制作

        為方便制作,用Kapton膠帶將PI薄膜貼到硅片上,然后在PI薄膜表面制作溫度傳感器,最后將其從硅片上取下。

        圖2 腐蝕工藝流程圖Fig.2 Schematic diagram ofetching process.

        Cu薄膜溫度傳感器采用腐蝕工藝制作,如圖2所示,其工藝流程[10]如下:

        (1)利用薄膜沉積設(shè)備(LAB18,Kurt J.Lesker,美國),在PI薄膜上濺射一層100 nm厚的Cu薄膜,濺射功率為300 W,時間6 min。

        圖3 剝離工藝流程圖Fig.3 Schematic diagram oflift-offprocess.

        (2)在Cu薄膜表面旋涂正性光刻膠(BP212,北京化學(xué)試劑研究所,北京),轉(zhuǎn)速2 600 r/min,時間30 s;將樣片放在85℃的熱板上前烘30 min;然后通過掩膜版對樣片進行紫外曝光,光強為4.2 mJ/cm2,曝光時間30 s;接著用質(zhì)量分數(shù)為0.5%的NaOH溶液顯影,在85℃的熱板上后烘30 min。

        (3)用體積分數(shù)為5%的HNO3腐蝕溶液腐蝕Cu薄膜;腐蝕完后對其進行二次全曝光;再用質(zhì)量分數(shù)為0.5%的NaOH溶液去除殘余的光刻膠,并用去離子水沖洗干凈。

        Pt薄膜溫度傳感器采用剝離工藝制作,如圖3所示,其工藝流程[11]如下:

        (1)首先在PI薄膜表面旋涂一層正性光刻膠,前烘,并對其進行紫外曝光;然后用質(zhì)量分數(shù)為0.5%的NaOH溶液顯影得到想要的結(jié)構(gòu)圖形;最后對其進行全曝光。

        (2)在其表面濺射100 nm厚的Pt薄膜,濺射功率300 W,時間10 min 30 s。

        (3)濺射完后將PI薄膜放入丙酮溶液中浸泡約90 min,去除殘余的光刻膠,并用去離子水沖洗干凈。剝離過程中的具體工藝參數(shù)與腐蝕法的相同。

        制作完后將PI薄膜從硅片上取下,傳感器的整體形貌如圖4所示。圖4(a)與(b)分別為Cu薄膜溫度傳感器的平面圖與彎曲圖,圖4(c)與(d)分別為Pt薄膜溫度傳感器的平面圖與彎曲圖。從圖中可以看出制作的柔性溫度傳感器具有很好的可彎曲性,可用于非平面物體表面的溫度測量。

        圖4 聚酰亞胺柔性溫度傳感器Fig.4 PIflexible temperature sensors.

        2 試驗測試與討論

        2.1 紅外成像測試

        溫度傳感器基底的熱絕緣能力是溫度傳感器的一個關(guān)鍵參數(shù),在很大程度上影響傳感器的測試性能。采用紅外成像設(shè)備測試溫度傳感器在通電狀態(tài)下的熱分布,用不同選定區(qū)域之間的溫差來表征柔性PI基底的熱絕緣性。

        在通電狀態(tài)下的柔性溫度傳感器的熱分布見圖5。測試過程中采用Pt薄膜溫度傳感器作為測試對象,室溫為25℃。在弓形結(jié)構(gòu)的傳感器上選擇4個區(qū)域,區(qū)域1和區(qū)域2在感應(yīng)區(qū),區(qū)域3和區(qū)域4在非感應(yīng)區(qū),如圖5(a)所示。在焊盤兩端施加0 V直流電壓,5 min后測得4個區(qū)域的溫度均為25℃;在焊盤兩端施加4 V直流電壓,5 min后測得區(qū)域1和區(qū)域2的溫度分別升高到50.1℃和50.3℃,而區(qū)域3和區(qū)域4的溫度則只有34.8℃和39.9℃,與區(qū)域1和2的溫差分別達到15.3℃和10.4℃(圖5(b))。同理,在蛇形結(jié)構(gòu)的傳感器上選擇3個區(qū)域測量溫度,區(qū)域1在感應(yīng)區(qū),區(qū)域2和區(qū)域3在非感應(yīng)區(qū),如圖5(c)所示。在焊盤兩端施加0 V直流電壓,5 min后測得3個區(qū)域的溫度均為25℃;在焊盤兩端施加10 V直流電壓,5 min后測得區(qū)域1的溫度升高到51.5℃,區(qū)域2和區(qū)域3的溫度為30.5℃和34.9℃,與區(qū)域1的溫度差分別為21℃和16.6℃(圖5(d))。由上述實驗可知,在通電狀態(tài)下傳感器的感應(yīng)區(qū)域和非感應(yīng)區(qū)域溫度差別較大,這表明PI基底具有良好的熱絕緣性,可以作為柔性溫度傳感器的基底。

        2.2 傳感器的電阻溫度系數(shù)

        柔性傳感器的電阻溫度系數(shù)(Temperature Coefficient of Resistance,TCR)可以通過下式計算[12]:

        其中:αT指電阻溫度系數(shù),Rt、Ri分別為溫度為t、i時的電阻,ΔT是溫度差。

        式(1)可以表達為:

        從式(3)中可知,溫度傳感器的電阻溫度系數(shù)可以通過測量其電阻阻值隨溫度變化的關(guān)系得出,因此將柔性溫度傳感器放入電熱鼓風干燥箱(101-0AB型,天津市泰斯特儀器有限公司,中國)中,用導(dǎo)線將其與外部的高精度數(shù)字萬用表(Agilent34401A,Keysight Technologies,美國)連接,測量輸出電阻。溫度測量范圍為25~90℃,每次溫度增加2.5℃,當溫度升高到人體溫度(35~42℃)時,溫度每次增加0.2℃。

        在25~90℃的溫度測量范圍內(nèi),弓形結(jié)構(gòu)的Cu薄膜溫度傳感器電阻隨溫度的變化曲線如圖6(a)所示,傳感器的電阻阻值由23.151Ω增大到27.207Ω,利用式(3)計算得出其TCR=0.002 70/℃,線性相關(guān)系數(shù)為0.977 28;蛇形結(jié)構(gòu)的Cu薄膜溫度傳感器電阻隨溫度變化的曲線如圖6(b)所示,其電阻明顯大于弓形結(jié)構(gòu),由最初的249.892Ω增大到了271.950Ω,相應(yīng)的TCR=0.001 36/℃,線性相關(guān)系數(shù)為0.987 08。由于Pt的電阻率大于Cu的電阻率,因此同結(jié)構(gòu)的Pt薄膜溫度傳感器的電阻大于Cu薄膜溫度傳感器的電阻。弓形結(jié)構(gòu)的Pt薄膜溫度傳感器電阻在25℃時為81.788Ω,當溫度升高到90℃時電阻增大到96.331Ω,相應(yīng)的TCR=0.002 73/℃,線性相關(guān)系數(shù)為0.998 35(圖6(c));蛇形結(jié)構(gòu)的Pt薄膜溫度傳感器的電阻阻值最大,在915.975~1 055.879Ω內(nèi)變化(圖6(d)),TCR=0.002 35/℃,線性相關(guān)系數(shù)為0.99933。本文作者研制的這4種柔性溫度傳感器的TCR值與之前報道的同類型溫度傳感器的TCR值[6,8]相當,表明都具有良好的靈敏度。同時,這4種柔性溫度傳感器也都具有較好的線性度,其中蛇形結(jié)構(gòu)的Pt薄膜溫度傳感器的線性度最好。

        圖5 通電狀態(tài)下傳感器的熱分布圖Fig.5 Thermaldistribution images ofsensors under directcurrents.

        圖6 溫度傳感器電阻隨溫度變化曲線Fig.6 Resistance versus temperature curves oftemperature sensors.

        3 結(jié)論

        本文作者基于MEMS技術(shù),在厚度為75μm的PI薄膜上制作出弓形和蛇形兩種不同結(jié)構(gòu)的銅薄膜和鉑薄膜柔性溫度傳感器。利用紅外成像設(shè)備測試,表明PI基底具有很好的熱絕緣性。對不同結(jié)構(gòu)和不同金屬材料的溫度傳感器的性能進行測試分析,表明設(shè)計制作的4種溫度傳感器均具有較好的靈敏度和線性度,其中蛇形結(jié)構(gòu)的鉑薄膜溫度傳感器的線性度最高,達到0.999 33。該類型傳感器具有良好的柔韌性,未來可以用于各種非平面物體表面的溫度測量。

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