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        太陽電池EL漏電分析及可靠性評估

        2018-11-29 02:33:02
        太陽能 2018年11期

        0 引言

        目前規(guī)模生產(chǎn)的太陽電池的質(zhì)量主要是從外觀和電致發(fā)光(EL)兩方面做判定。EL不良率是影響生產(chǎn)線合格率的主要因素之一,其問題的解決一直是困擾生產(chǎn)線的難題,查找原因、改善和解決問題是生產(chǎn)線一直探究的方向。本文主要針對太陽電池測試中出現(xiàn)的雪花狀漏電問題展開分析,并對此類電池的可靠性進行了評估。

        1 漏電電池片分析

        對在太陽電池測試中出現(xiàn)雪花狀漏電的異常電池片進行酸拋處理,用H2O、HCl、HNO3、HF按1∶1∶1∶1的比例混合成酸液,將背電場、電極、減反膜、p-n結(jié)及絨面酸洗拋光后進行如下測試。

        1.1 光致發(fā)光(PL)測試

        將酸拋后的漏電電池硅片與正常硅片經(jīng)同一制絨槽制絨后進行PL測試,測試結(jié)果如圖1、圖2所示。

        對比圖1和圖2可知,酸拋后的漏電電池硅片并未出現(xiàn)發(fā)黑區(qū)域,也未見其他異常,因此可認(rèn)為酸拋后的漏電電池硅片PL測試合格。

        圖1 酸拋后的漏電電池硅片PL測試

        圖2 正常硅片PL測試

        1.2 酸拋后的漏電電池硅片參數(shù)測試

        漏電電池片酸拋后,對其進行少子壽命、電阻率及厚度測試,具體數(shù)據(jù)如表1所示。

        表1 酸拋后的漏電電池硅片性能參數(shù)

        少子壽命達到合格的標(biāo)準(zhǔn)是大于1.2 μs,但從表1測試數(shù)據(jù)來看,少子壽命存在不合格的情況,不良率為57.1%,不合格比例較高。

        1.3 硅片面少子壽命測試

        圖3 漏電電池片酸拋后的硅片面少子壽命

        圖4 正常硅片的面少子壽命

        圖3為漏電電池片經(jīng)酸拋后,測試其硅片的面少子壽命,均值為0.974 μs;圖4為正常硅片面少子壽命,均值為1.553 μs。由于漏電電池片所使用硅片的少子壽命低于1.2 μs,因此不滿足合格標(biāo)準(zhǔn)。

        1.4 硅片晶向、位錯測試

        1)晶向測試。晶向測試是利用X射線儀進行晶向測定。其原理為:當(dāng)一束平行的單色X射線射入晶體表面時,X射線照在相鄰平面之間的光程差為其波長的整數(shù)倍時就會產(chǎn)生衍射。利用計數(shù)器探測衍射線,根據(jù)其出現(xiàn)的位置確定單晶的晶向。

        2)位錯測試。位錯測試是利用化學(xué)擇優(yōu)腐蝕來顯示缺陷,試樣經(jīng)擇優(yōu)腐蝕液腐蝕后,在有缺陷的位置會被腐蝕成淺坑或丘,可采用目視法結(jié)合金相顯微鏡進行觀察。

        對3片漏電電池片酸拋后進行晶向、位錯測試,數(shù)據(jù)如表2所示。

        表2 晶向、位錯測試數(shù)據(jù)

        根據(jù)表2數(shù)據(jù)可知,晶向偏離度基本在1o以下,技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)對晶向偏離度的要求通常為距離〈100〉晶向±3o,測試結(jié)果滿足要求,且檢測未發(fā)現(xiàn)位錯。這說明漏電原因不是晶界問題引起的。

        1.5 酸拋返工

        將酸拋后的漏電電池片重新進行生產(chǎn)線工藝加工,制成電池片后對其進行EL測試。

        對比圖5、圖6可知,生產(chǎn)線返工再次做成電池片,測試其EL依然有漏電。但與第一次制成的電池片的EL測試結(jié)果對比后發(fā)現(xiàn),漏電點明顯減少,但漏電并未因改變制作流程而消失,只是有所減輕,說明問題主要存在于硅片表層。

        圖5 第一次制成的電池片的EL測試結(jié)果

        圖6 返工后的電池片EL測試結(jié)果

        2 工藝排查分析

        2.1 電性能參數(shù)對比

        將漏電電池片與正常電池片在同一測試條件下對比測試。表3為正常電池片與漏電電池片(未返工)的性能參數(shù)對比。

        表3 正常電池片與漏電電池片性能參數(shù)對比

        由表3可知,漏電電池片的并聯(lián)電阻較小、漏電電流基本都大于2 A,說明此類電池片不合格。

        2.2 生產(chǎn)工藝過程分析排查

        電池生產(chǎn)中產(chǎn)生漏電的因素主要包括:燒結(jié)溫度過高、硅片本身制絨過深、燒結(jié)時造成燒穿、擴散很薄或無擴散,從而導(dǎo)致正電極和背電場導(dǎo)通[1]。因此,可從制絨、擴散和燒結(jié)工序做排查分析。

        2.2.1 制絨工藝

        在顯微鏡下觀察漏電電池片與正常電池片的絨面,圖7為正常電池片的絨面,圖8為漏電電池片的絨面。顯微鏡測試得到正常和異常片的金字塔大小皆處于1.769~2.491 μm之間,因此符合標(biāo)準(zhǔn)要求(標(biāo)準(zhǔn)為1.5~3.0 μm)。絨面整體未表現(xiàn)出明顯異常,排除是制絨工藝造成的可能性。

        圖7 正常電池片的絨面

        圖8 漏電電池片的絨面

        2.2.2 擴散工序

        1)測試酸拋前的漏電電池片和正常電池片的方阻差異,測試時探針壓在非柵線區(qū)。表4為電池片方阻測試數(shù)據(jù)。由表4可知,正常片和異常片的方阻值均分布在1.6~7.2 Ω/□,生產(chǎn)線方阻測試的值通常在2.0~9.0 Ω/□,對比后無明顯差異,可認(rèn)為漏電電池片的方阻正常。

        表4 電池片方阻測試數(shù)據(jù)

        2)查取生產(chǎn)監(jiān)控數(shù)據(jù)后發(fā)現(xiàn),生產(chǎn)線正常生產(chǎn)抽檢測試的擴散方阻無異常。因此,針對擴散均勻性較差的爐口進行測試驗證。取制絨后待擴散的硅片放于擴散爐爐口位置,測試其擴散后的方阻,并測試成品電池的電性能、EL反向漏電情況。

        表5為擴散后的方阻測試數(shù)據(jù)。由表5可知,硅片擴散后測得的方阻介于91~103 Ω/□之間。

        表5 爐口位置硅片擴散后的方阻測試數(shù)據(jù)

        將爐口處的硅片制成電池后,測試電池的電性能,如表6所示。由表6可知,未出現(xiàn)漏電流Irev1、Irev2大于0.5 A、并聯(lián)電阻偏小的情況。所以不是擴散爐口位置出現(xiàn)的異常。

        表6 電池片的電性能測試數(shù)據(jù)

        對電池片進行EL反向測試,表7 為電池片的反向漏電測試數(shù)據(jù),該數(shù)據(jù)皆小于0.5 A。擴散均勻度最差的爐口位置的硅片制成的電池片未出現(xiàn)雪花狀漏電現(xiàn)象,排除是擴散工藝造成的可能性。

        2.2.3 燒結(jié)工藝

        用同一片電池片驗證生產(chǎn)線燒結(jié)爐工藝,取生產(chǎn)線編號為L2-1的電池片,測試其EL,分別在生產(chǎn)線L2-2、L1-1和L1-2進行重復(fù)燒結(jié),EL反向漏電[2]如圖9所示。

        表7 電池片反向漏電測試數(shù)據(jù)對比

        圖9 不同燒結(jié)情況下的EL反向漏電圖

        從圖9可以看出,燒結(jié)對電池片造成的影響與生產(chǎn)線發(fā)現(xiàn)的異常漏電電池片的特征不同,由此可以排除燒是結(jié)工藝造成的可能性。

        2.3 量子效應(yīng)測試

        圖10為漏電電池與正常電池的外量子效率對比圖。由圖10可知,在整個波段,漏電電池片的外量子效率都比較低,單從數(shù)據(jù)無法判斷出是哪個工序出現(xiàn)了異常。

        圖10 漏電電池與正常電池的外量子效率對比圖

        3 成份分析

        利用ICP-MS(電感耦合等離子體質(zhì)譜儀)分別測試酸拋后的正常電池片和3類雪花狀漏電電池片的硅基體成份含量,具體數(shù)據(jù)如表8所示。

        表8 成份測試數(shù)據(jù)

        從表8來看,漏電電池3的金屬雜質(zhì)含量偏高,主要是由于Ca、Cu、Mg、Ti和Zn的存在;漏電電池2主要是Cu的含量偏高;漏電電池1是經(jīng)過深拋的硅片,未發(fā)現(xiàn)明顯雜質(zhì)含量,因此可以認(rèn)為此雜質(zhì)主要集中在硅片表面。硅片都是采用金剛線切割,金剛線母線的主要成分是Cu元素,硅片生產(chǎn)過程中無其他含銅物質(zhì),所以Cu2+是硅片切割線引入的,而切割只會磨損表面,測試到的雜質(zhì)正是處于表層,因此可以判斷,產(chǎn)生雪花狀漏電的原因是由硅片切割引起的,而非硅棒自身的問題。

        4 漏電電池可靠性分析

        4.1 光衰實驗

        選取正常電池片及漏電電流為0.5~1.5 A范圍內(nèi)的電池片進行光衰實驗[3],表9為光衰測試數(shù)據(jù)。

        表9 光衰測試數(shù)據(jù)

        表10 組件中不同區(qū)域電池片溫度測試數(shù)據(jù)

        由表9可知,漏電電流在0.5~1.5A之間的漏電電池片的衰減率比正常電池片高0.28%;漏電電池的衰減率標(biāo)準(zhǔn)為小于3%,因此漏電電池片的衰減不合格率為25%。

        4.2 組件溫度測試

        將漏電流在0.5~1.5 A之間的4片電池片與同效率的正常電池片共同組成組件,通電后測試不同區(qū)域電池片的溫度,如表10所示。

        組件通入工作電流后,記錄其4天內(nèi)的溫度情況發(fā)現(xiàn):組件中漏電電流為0.5~1.5 A的電池片所在區(qū)域比正常電池片(一般漏電電流在0.2~0.5A)所在區(qū)域的工作溫度高0.3 ℃。

        含有漏電電池片的組件與正常組件通電后,對比二者工作情況下的溫度差異,具體如表11所示。

        由表11可知,漏電后漏電電池片所在組件的溫度比正常組件的溫度高約2.6 ℃。

        表11 不同組件溫度測試對比

        5 結(jié)論

        1)本批次漏電電池片主要是硅片質(zhì)量的問題,硅片少子壽命、電阻率均出現(xiàn)了不合格,少子壽命不合格比例較高。

        2)用重現(xiàn)性的方法排查硅片制絨、燒結(jié)和擴散工序,皆未出現(xiàn)雪花狀漏電現(xiàn)象,由此可判斷漏電異常并非因這些工序?qū)е隆?/p>

        3)從電池片成分分析數(shù)據(jù)來看,漏電電池片的金屬雜質(zhì)種類多且含量明顯偏高。

        4)從一次制程和酸拋后二次制程的結(jié)果來看,電池片漏電問題并未因改變制程而消失,但漏電點明顯減少。從漏電原理來看,本次雪花狀漏電異片主要是由于硅片在生產(chǎn)過程中引入了金屬雜質(zhì)所致。

        5)從電池和組件的可靠性分析,漏電電流偏高的電池片在衰減率和工作溫度方面均高于正常電池片,衰減不合格比例為25%,組件溫度高0.3 ℃。

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