廖天錄

甘肅工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院 甘肅 天水 741025

1.引言

食品在種植或飼養(yǎng)、生長(zhǎng)、收割或宰殺、加工、貯存、運(yùn)輸、銷售到食用前的各個(gè)環(huán)節(jié)中，由于環(huán)境或人為因素的作用，可能使食品受到有毒有害物質(zhì)的侵襲而造成污染，這個(gè)過程就是食品污染。大量的環(huán)境污染物質(zhì)可以通過食物鏈進(jìn)入人體，對(duì)機(jī)體遺傳物質(zhì)DNA造成損傷。脫氧核糖核酸(DNA)是生物體內(nèi)的重要組成物質(zhì),是遺傳信息的主要載體,與生物的生長(zhǎng)、發(fā)育、繁殖等正常生命活動(dòng)及突變、癌變等異常生命活動(dòng)有關(guān),因此, 維護(hù)DNA結(jié)構(gòu)的完整性對(duì)生命體十分重要。而外界環(huán)境和生物體內(nèi)部的各種因素經(jīng)常會(huì)引起DNA結(jié)構(gòu)的異常變化，造成DNA的損傷。如果DNA的損傷不能及時(shí)得到修復(fù)，其在復(fù)制過程中會(huì)出現(xiàn)基因突變，對(duì)體細(xì)胞來說可能會(huì)引起癌癥等疾病，對(duì)生殖細(xì)胞來說可能會(huì)引起染色體失常，造成后代畸形或某些遺傳性疾病[1]。

隨著先進(jìn)的化學(xué)合成方法和技術(shù)的發(fā)展，每年有數(shù)百萬種新的化學(xué)物質(zhì)可能被使用在藥物的、農(nóng)業(yè)的、身體的、飲食的各個(gè)方面，但到目前為止，很多化學(xué)品對(duì)人體健康的影響并不十分清楚。許多環(huán)境污染物或藥物分子在肝臟細(xì)胞色素P450酶作用下的代謝產(chǎn)物也會(huì)與DNA堿基形成加合物，引起DNA的損傷[2]。如果能夠開發(fā)出靈敏快速簡(jiǎn)便的分析方法來檢測(cè)DNA的損傷，就可以比較方便地篩選出對(duì)人體有毒有害的化學(xué)品，從而降低其危害人體健康的可能性。所以，發(fā)展靈敏、快速、簡(jiǎn)便的分析方法檢測(cè)DNA損傷，對(duì)疾病早期診斷、環(huán)境保護(hù)、藥物篩選,以及化合物毒性檢測(cè)等具有重要的意義。

層層膜自組裝法作為一種相對(duì)新的DNA膜形成方法，和其他成膜方法相比，有明顯的優(yōu)點(diǎn)，能根據(jù)預(yù)先設(shè)計(jì)的膜結(jié)構(gòu)可以精確控制膜的成分和厚度，并且制備簡(jiǎn)便和多功能[3]。制備的多層膜能夠保持生物大分子的二級(jí)結(jié)構(gòu)和生物活性。實(shí)驗(yàn)中利用阿霉素作為電活性指示劑與雙鏈DNA（dsDNA）的特殊相互作用（主要是嵌入作用和溝槽結(jié)合作用）來檢測(cè)環(huán)氧苯乙烯（SO）對(duì)天然DNA損傷的報(bào)道很有限。阿霉素, 通常以鹽酸鹽的形式存在，又名鹽酸阿霉素或鹽酸多柔米星，英文名：Adriamycin Hydrochloride（ADM）。其結(jié)構(gòu)式見圖1。結(jié)構(gòu)中既含有脂溶性的蒽環(huán)配基，又有水溶性的柔紅糖胺；并有酸性酚羥基和堿性氨基。阿霉素為橙紅色疏松塊狀物或粉末，易溶于水，是一類在臨床上廣泛使用的具有廣譜高效活性的蒽環(huán)類抗癌藥物。

圖1 阿霉素的結(jié)構(gòu)

實(shí)驗(yàn)中選擇環(huán)境污染物環(huán)氧苯乙烯被作為DNA的損傷劑。環(huán)氧苯乙烯（Styrene oxide, SO）作為一種可能人類致癌物質(zhì)，苯乙烯在細(xì)胞色素P450單加氧酶作用下的主要代謝物，長(zhǎng)期的暴露卻會(huì)造成染色體畸變、姊妹染色單體交換、微核生成等[4]。

2.實(shí)驗(yàn)部分

2.1 試劑

聚乙烯亞胺（PEI, MW～1800）購(gòu)于Alfa Aesar公司；小牛胸腺DNA（北京華美生物工程公司），DNA儲(chǔ)備液的制備：于實(shí)驗(yàn)前將1mg 的DNA溶于1mL pH 7.1的Tris-HCl中并置過夜24h后使用。用UV譜測(cè)定CT-DNA：A260/A280大于1.8，表明DNA中不存在干擾測(cè)定的蛋白質(zhì)。環(huán)氧苯乙烯（Styrene oxide, SO, 97﹪）購(gòu)于Alfa Aesar公司；阿霉素（Adriamycin Hydrochloride, ADM）購(gòu)于中國(guó)汕頭華明藥業(yè)公司；鐵氰化鉀（K3Fe(CN)6，北京化學(xué)試劑公司），亞鐵氰化鉀（K4Fe(CN)6，北京化學(xué)試劑公司），氯化鉀（KCl，天津市化學(xué)試劑一廠）；二次蒸餾水用于全部實(shí)驗(yàn)。試劑均為分析純，水為二次蒸餾水，儲(chǔ)存于4℃。每次試驗(yàn)前用高純氮?dú)獬?。除DNA損傷實(shí)驗(yàn)外所有實(shí)驗(yàn)均室溫(20±2℃)下進(jìn)行。實(shí)驗(yàn)是在0.1M磷酸鹽緩沖液（pH=7）進(jìn)行DPV測(cè)試。

2.2 儀器

電化學(xué)實(shí)驗(yàn)采用三電極體系，其三電極系統(tǒng)是用裸玻碳電極或修飾玻碳電極作為工作電極，鉑絲為對(duì)電極，Ag/AgCl（飽和KCl）為參比電極；循環(huán)伏安測(cè)定在CHI832電化學(xué)工作站(美國(guó))上進(jìn)行，交流阻抗測(cè)定在VMP2電化學(xué)工作站(美國(guó))，SECM實(shí)驗(yàn)在CHI900掃描電化學(xué)顯微鏡(美國(guó))上完成，Branson200超聲清洗儀(美國(guó))；pHS-3C型酸度計(jì)(上海)； 石英管加熱式自動(dòng)雙重純水蒸餾器(1810B，上海亞太技術(shù)玻璃公司)，玻碳電極的直徑是3.5mm。

2.3 實(shí)驗(yàn)方法

2.3.1 DNA自組裝多層膜修飾電極的制備

首先將玻碳電極分別用 0.1和0.05μm 的拋光粉拋光，然后放入超聲清洗器中分別用二次水和丙酮清洗5分鐘，用氮?dú)獯蹈?；該電極交替的浸入帶正電荷的聚乙烯亞胺溶液（3mg/L,包含0.5mol/LNaCl）和帶負(fù)電荷的dsDNA溶液（1mg/L,在20mmol/LpH=7.1的tris鹽酸緩沖液中包含0.5mol/LNaCl和1mmol/L的EDTA溶液）分別10分鐘，交替吸附到電極表面，中間用二次水沖洗,形成一層膜即{dsDNA/PEI}膜。根據(jù)預(yù)先設(shè)計(jì)的膜層數(shù)重復(fù)以上操作次數(shù)就可以獲得需要的多層膜{dsDNA/PEI}n，其中n代表膜層數(shù)。圖2是成膜過程的示意圖。每次在吸附了dsDNA的一步后就進(jìn)行交流阻抗測(cè)試。

圖2 自組裝dsDNA多層膜在玻碳電極表面的構(gòu)造示意圖

2.3.2 交流阻抗實(shí)驗(yàn)

交流阻抗實(shí)驗(yàn)中，以1mmol/L K3Fe(CN)6為氧化還原探針，0.1mol/LKCl為支持電解質(zhì)。測(cè)量Fe(CN)63-/4-在氧化還原電對(duì)的式電勢(shì)(＋0.225)下進(jìn)行，所施加的交流信號(hào)的振幅為5.0mV，頻率范圍為100KHz-0.1Hz。

2.3.3 差示脈沖實(shí)驗(yàn)

差示脈沖實(shí)驗(yàn)在5mL電解池中進(jìn)行。工作電極為裸玻碳電極、{dsDNA/PEI}2膜修飾電極。鉑電極為對(duì)電極, Ag/AgCl (飽和 KCl)為參比電極。測(cè)試前需向電解質(zhì)溶液中通氮?dú)?0min以上，除去溶液中的溶解氧。

2.3.4 實(shí)驗(yàn)規(guī)程

差示脈沖實(shí)驗(yàn)用于實(shí)驗(yàn)條件的優(yōu)化和檢測(cè)DNA的損傷；阿霉素吸入{dsDNA/PEI}2膜是通過浸泡{dsDNA/PEI}2膜電極在20μmolL-1阿霉素緩沖溶液（pH= 7.0, 含 0.1 M NaCl）攪拌至少2小時(shí)直到吸入平衡或穩(wěn)定態(tài)。吸入阿霉素最多狀態(tài)的膜就指定為{dsDNA/PEI}2-ADM膜，將{dsDNA/PEI}2-ADM膜用磷酸緩沖溶液清洗并用氮?dú)獯蹈珊?，放入磷酸緩沖溶液進(jìn)行DPV掃描。{dsDNA/PEI}2-ADM膜在這一階段的狀態(tài)就定義為狀態(tài)I，在狀態(tài)I的DPV峰電流就指定為Ip,I。然后把狀態(tài)I的{dsDNA/PEI}2-ADM膜浸入磷酸緩沖溶液一整夜，使盡可能多的ADM從膜里釋放出，在這一狀態(tài)的{dsDNA/PEI}2-ADM膜就定義為狀態(tài)II，同樣將狀態(tài)II的{dsDNA/PEI}2-ADM膜放入磷酸緩沖溶液進(jìn)行DPV掃描。

對(duì)于DNA損傷實(shí)驗(yàn)，狀態(tài)II的{dsDNA/PEI}2-ADM膜放入9.76mL醋酸鹽緩沖溶液（pH 5.5）包含240μL環(huán)氧苯乙烯，在37℃下攪拌一定的時(shí)間后，取出用水洗，損傷的膜又浸入20μmol·L-1 ADM溶液至少2小時(shí)為了再吸入ADM進(jìn)入膜達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。損傷{dsDNA/PEI}2-ADM膜在這一狀態(tài)就定義為狀態(tài)III，將狀態(tài)III的{dsDNA/PEI}2-ADM膜放入磷酸緩沖溶液進(jìn)行DPV掃描，在狀態(tài)III的DPV峰電流就指定為Ip,III。每一個(gè)修飾電極只能做一次檢測(cè)，每次檢測(cè)至少重復(fù)三次。圖3是阿霉素“吸入/釋放/再吸入”DNA層層膜的程序示意說明和對(duì)應(yīng)的DPV檢測(cè)圖（注意：環(huán)氧苯乙烯是一種可疑致癌物質(zhì)并且容易揮發(fā)。所有的反應(yīng)都在密閉的裝置進(jìn)行）

圖3.阿霉素“吸入/釋放/再吸入”DNA層層膜的程序示意說明和對(duì)應(yīng)的DPV檢測(cè)圖:

3.結(jié)果和討論

3.1 交流阻抗表征{dsDNA/PEI}n層層膜

圖4所示為以Fe(CN)63-/4-為探針，裸玻碳和{dsDNA/PEI}n修飾電極（n=1, 2, 3, 4）的交流阻抗圖（Nyquist）。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在裸玻碳電極上，探針分子Fe(CN)63-/4-的阻抗圖譜在所有頻率范圍內(nèi)基本是一條直線，說明了Fe(CN)63-/4-容易到達(dá)電極表面發(fā)生反應(yīng)，電極上不存在阻擋電子傳遞的物質(zhì)，F(xiàn)e(CN)63-/4-（4-a）。圖4-b, c, d, e各曲線依次代表{dsDNA/PEI}n/GCE （n = 1, 2, 3, 4層）時(shí)的阻抗行為。從圖可看出,隨著組裝層數(shù)的增多,在高頻部分半圓的直徑逐漸增大,這表明膜層對(duì)電子的阻礙作用增強(qiáng),探針分子Fe(CN)63-/4-難以通過膜層孔隙到達(dá)電極表面。而在低頻部分,Warburg 阻抗逐漸減小,從而表明整個(gè)過程隨層數(shù)增加逐漸為動(dòng)力學(xué)所控制。在本實(shí)驗(yàn)體系中,因?yàn)殡姌O表面修飾一層DNA/PEI膜后，F(xiàn)e(CN)63-/4-的電荷傳遞電阻Rct顯著增大。這個(gè)現(xiàn)象充分說明DNA已被靜電吸附在固定了PEI的玻碳電極表面，電極表面大量帶負(fù)電荷的DNA 阻礙了探針分子的電子傳輸，從而引起了Rct的增大。

另外，隨膜層數(shù)增加, 電荷傳遞電阻（Rct）與膜層數(shù)之間顯示出很好的線性規(guī)律。證明該多層膜隨層數(shù)增加具有均勻增長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)致密等特性。

圖4 交流阻抗Nyquist圖: a，裸玻碳電極; b, c, d, e各曲線依次代表{dsDNA/PEI}n /GCE ( n = 1, 2, 3, 4 層)時(shí)的阻抗行為。

3.2 最適宜膜層的選擇

圖5不同層數(shù)的膜充分吸入阿霉素分別形成{dsDNA/PEI}n-MB膜（n= 1, 2, 3, 4層）在磷酸緩沖溶液DPV掃描的峰電流比較。理論上，隨著層數(shù)n的增加，{dsDNA/PEI}n膜將會(huì)有更多活性中心和大量的表面積。但是，圖5表明1至4層膜修飾電極中實(shí)驗(yàn)結(jié)果2層膜修飾電極最大的DPV響應(yīng)。原因是隨膜層數(shù)增加電荷傳遞電阻Rct顯著增大（圖4），阻礙了物質(zhì)的擴(kuò)散，影響探針分子的電子傳輸。因此，在實(shí)驗(yàn)中選擇兩層膜作為最適宜的膜。

圖5 不同層數(shù)的膜充分吸入阿霉素分別形成{dsDNA/PEI}n-ADM膜（n= 1, 2, 3, 4層）在磷酸緩沖溶液DPV掃描的峰電流比較。每一個(gè)修飾電極只能做一次檢測(cè)。

3.3 阿霉素在{dsDNA/PEI}2膜中的吸入與釋放

通過靜電吸引{dsDNA/PEI}2膜組裝在玻碳電極表面，首先對(duì)阿霉素吸入{dsDNA/PEI}2膜與阿霉素吸附在裸玻碳電極上的DPV行為進(jìn)行研究。具有芳香雜環(huán)和帶正電荷的阿霉素分子通過靜電的、疏水的相互作用被吸附在玻碳電極表面，當(dāng)裸玻碳電極浸在阿霉素溶液中2小時(shí)，達(dá)到吸附平衡。形成MB-吸附- GCE，指定為MB-GCE。然后把MB-GCE放入磷酸緩沖溶液進(jìn)行DPV掃描，在-230mV阿霉素有一個(gè)電流峰出現(xiàn)（圖6a）。這證實(shí)阿霉素強(qiáng)烈地吸附在玻碳電極的表面。對(duì){dsDNA/PEI}2-ADM膜，在-230mV有一個(gè)更高的電流峰（圖6b）,認(rèn)為阿霉素吸入膜的內(nèi)部。DPV的峰電流在{dsDNA/PEI}2浸入阿霉素溶液達(dá)到吸附平衡、穩(wěn)定態(tài)2小時(shí)之前是非線性增加。阿霉素與DNA之間強(qiáng)烈的作用，特別是阿霉素嵌入雙鏈DNA的堿基對(duì)之間，阿霉素吸入{dsDNA/PEI}2膜中dsDNA起了關(guān)鍵作用。

當(dāng)充分吸入阿霉素的{dsDNA/PEI}2-ADM膜放入磷酸緩沖液（pH 7.0）中，隨著浸泡時(shí)間的增加DPV響應(yīng)減?。▓D7），表明吸入膜中的一些阿霉素逐漸從膜釋放出進(jìn)入緩沖液，與開始的DPV峰電流相比，浸泡40分鐘以后保持在膜中的阿霉素剩大約50﹪。即使浸泡10小時(shí)以后，還保持開始的DPV峰電流高的24﹪。然后隨著浸泡時(shí)間的增加DPV峰電流的減小就變得很慢。

圖6 電極在磷酸緩沖液（pH 7.0）中的DPV響應(yīng)：

圖7 {dsDNA / PEI}2-ADM膜在磷酸緩沖液（pH 7.0）中的浸泡時(shí)間對(duì)DPV峰電流(Ip)的影響

阿霉素在{dsDNA/PEI}2膜中的吸入與釋放時(shí)可逆的。阿霉素吸入{dsDNA/PEI}2膜到達(dá)穩(wěn)定態(tài)之后，{dsDNA/PEI}2-MB膜電極立即浸入磷酸緩沖液（pH 7.0）進(jìn)行DPV測(cè)試（圖8a,狀態(tài)I），然后該膜放入磷酸緩沖液里過夜使盡可能多的阿霉素從膜里釋放出來，在這一狀態(tài)對(duì){dsDNA/PEI}2-MB膜進(jìn)行DPV測(cè)試（圖8b,狀態(tài)II），峰電流有很大的減小。隨后，阿霉素吸入{dsDNA/PEI}2膜是通過{dsDNA/PEI}2膜電極再浸泡在20μM阿霉素緩沖溶液（pH=7.0）2小時(shí)直到再吸入阿霉素達(dá)到穩(wěn)定態(tài)。這時(shí)的DPV響應(yīng)(Fig.8c)與狀態(tài)I的DPV響應(yīng)（圖8a）相比峰位置和峰高幾乎是相同的，表明阿霉素吸入與釋放從{dsDNA/PEI}2膜中是十分可逆的，這種良好的可逆性證明{dsDNA/PEI}2在玻碳電極表面不但是穩(wěn)定的而且保持他們最初的結(jié)構(gòu)和結(jié)合能力。

圖8 {dsDNA / PEI}2-ADM膜在磷酸緩沖液（pH 7.0）中的DPV響應(yīng)

3.4 檢測(cè)環(huán)氧苯乙烯（SO）對(duì)天然DNA損傷

利用阿霉素作為電活性指示劑并且吸入dsDNA多層膜來檢測(cè)環(huán)氧苯乙烯（SO）對(duì)天然DNA的損傷。把狀態(tài)II 的{dsDNA/PEI}2-ADM膜在環(huán)氧苯乙烯（SO）溶液中37℃下溫浴并攪拌一定時(shí)間。然后取出用水洗，再浸入阿霉素溶液重新吸入阿霉素直到穩(wěn)定狀態(tài)。這個(gè)重新吸入阿霉素的膜電極立即放入磷酸緩沖液（pH 7.0）進(jìn)行DPV測(cè)試（狀態(tài)III）。圖9是處于狀態(tài)III的{dsDNA/PEI}2-ADM膜在環(huán)氧苯乙烯（SO）溶液中溫浴不同時(shí)間的差示脈沖圖。從圖中可以看出，隨著溫浴時(shí)間的增加峰電流減小。

說明損傷的dsDNA多層膜再吸入阿霉素不能達(dá)到未損傷的dsDNA多層膜吸入阿霉素同樣的水平。阿霉素這種獨(dú)特的可逆吸入能最大限度地消除阿霉素從膜中的漏泄，通過差示脈沖能靈敏的檢測(cè)DNA在{dsDNA/PEI}2中的損傷。例如，在環(huán)氧苯乙烯（SO）溶液中溫浴5分鐘的條件下，將會(huì)導(dǎo)致處于狀態(tài)III的{dsDNA/PEI}2-ADM膜的峰電流明顯減小（圖9）。

圖9 處于狀態(tài)III的{dsDNA/PEI}2-ADM膜在環(huán)氧苯乙烯（SO）溶液中溫浴不同時(shí)間的差示脈沖圖。

通過峰電流的比率（Ip,I/Ip,III）與膜在環(huán)氧苯乙烯（SO）溶液中溫浴時(shí)間的斜率可以測(cè)定DNA在{dsDNA/PEI}2膜中的損傷率（圖10），其中，Ip,I和Ip,III分別是{dsDNA/PEI}2-ADM膜在狀態(tài)I和狀態(tài)III的DPV峰電流。在這一實(shí)驗(yàn)中，每個(gè)膜電極從狀態(tài)I到狀態(tài)III只能循環(huán)使用一次。為了保證膜電極變化的真實(shí)性，必須使用新制成的膜電極重復(fù)實(shí)驗(yàn)。用相對(duì)峰電流的比率（Ip,I/Ip,III）代替絕對(duì)峰電流是為了有效的測(cè)定DNA的損傷。相對(duì)峰電流的比率（Ip,I/Ip,III）隨著在環(huán)氧苯乙烯（SO）溶液中溫浴時(shí)間5-30分鐘線性增加，損傷率為0.024 min-1，相關(guān)系數(shù)為0.9972, 證明了我們建立在以阿霉素作為電活性指示劑與DNA層層膜相結(jié)合的基因毒性傳感器可以有效地檢測(cè)DNA損傷。

通過以上的方法檢測(cè)DNA的損傷可能是由于環(huán)氧苯乙烯（SO）與DNA形成共價(jià)加合物[9]，這些加合物是SON7-鳥嘌呤和 SO-N3-腺嘌呤[5,6]。SO-N7-鳥嘌呤和 SO-N3-腺嘌呤幾乎不影響DNA的構(gòu)造[7,8]。因而，損傷的{dsDNA/PEI}2-ADM膜在狀態(tài)III DPV峰電流減小，這種現(xiàn)象最可能歸因于在損傷的DNA中形成SO-N7-鳥嘌呤和SO-N3-腺嘌呤加合物，這些加合物嵌入DNA鄰近的堿基或通過溝槽作用結(jié)合在DNA小溝區(qū)產(chǎn)生空間阻礙，阻止阿霉素與DNA的結(jié)合。隨著在環(huán)氧苯乙烯（SO）溶液中溫浴時(shí)間達(dá)到30分鐘，大量的SO-加合物形成。將導(dǎo)致狀態(tài)III的膜的DPV峰電流減小，峰電流的比率（Ip,I/Ip,III）增加，在溫浴時(shí)間超過40分鐘后，N7-鳥嘌呤和 SO-N3-腺嘌呤加合物易于脫腺嘌呤化產(chǎn)生脫腺嘌呤位點(diǎn)[6]，結(jié)果峰電流的比率變化很小。

圖10.峰電流的比率（Ip, I / Ip, III）與{dsDNA/PEI}2-ADM膜在環(huán)氧苯乙烯（SO）溶液中溫浴時(shí)間的斜率圖。其中，Ip,I 和 Ip,III分別是{dsDNA/PEI}2-ADM膜在狀態(tài)I和狀態(tài)III的DPV峰電流。

4.結(jié)論

本研究主要利用帶負(fù)電荷的DNA為聚陰離子與聚乙烯亞胺（PEI）陽(yáng)離子通過連續(xù)的靜電吸附組裝成DNA多層膜在玻碳電極表面。并利用電化學(xué)交流阻抗技術(shù)對(duì)這種新型電極表面修飾的DNA自組裝多層膜進(jìn)行表征,證明該多層膜隨層數(shù)增加具有均勻增長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)致密等特性。通過差示脈沖（DPV）檢測(cè)兩層膜在實(shí)驗(yàn)中是信號(hào)最強(qiáng)的，作為最優(yōu)膜使用。以阿霉素作為電活性指示劑吸入{dsDNA/PEI}2膜來檢測(cè)環(huán)氧苯乙烯（SO）對(duì)天然DNA的損傷。以阿霉素在DNA多層膜可逆吸入為基礎(chǔ)，這種獨(dú)特的可逆吸入模式，能顯著區(qū)分阿霉素在損失和未損失DNA多層膜中的吸入量，并且將阿霉素從膜中的漏泄減小到最小。當(dāng)阿霉素嵌入雙鏈DNA時(shí)，阿霉素主要經(jīng)過嵌入作用和溝槽作用與DNA結(jié)合。環(huán)氧苯乙烯（SO）對(duì)DNA的損傷可能是由于與DNA形成共價(jià)加合物，這些加合物幾乎不影響DNA的構(gòu)造因而，損失的{dsDNA/PEI}2-MB膜在狀態(tài)III DPV峰電流減小，這種現(xiàn)象最可能歸因于在損傷的DNA中形成SON7-鳥嘌呤和 SO-N3-腺嘌呤加合物，這些加合物嵌入DNA鄰近的堿基或通過溝槽作用結(jié)合在DNA小溝區(qū)產(chǎn)生空間阻礙，阻止阿霉素與DNA的結(jié)合。為DNA的化學(xué)損傷提供一個(gè)普遍的、靈敏的檢測(cè)方法，對(duì)于評(píng)估食品污染物質(zhì)的行為具有重要的意義。