余永濤，陳毓彬，水春生，王小強(qiáng)，馮發(fā)明，費(fèi)武雄

（1. 工業(yè)和信息化部電子第五研究所，廣州 510610；2. 華南理工大學(xué) 電子與信息學(xué)院，廣州 510641）

0 引言

空間輻射環(huán)境中的高能帶電粒子入射到航天器電子系統(tǒng)中，會(huì)引發(fā)集成電路器件的單粒子效應(yīng)（SEE），包括單粒子翻轉(zhuǎn)（SEU）、單粒子鎖定（SEL）、單粒子瞬態(tài)（SET）等，嚴(yán)重影響航天器的在軌安全和可靠運(yùn)行。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）是航天器電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵存儲(chǔ)載體，廣泛用于微處理器和SoC芯片的高速緩存。隨著半導(dǎo)體工藝器件特征尺寸的縮小，宇航用SRAM的容量越來(lái)越大，空間輻射環(huán)境中的重離子誘發(fā)單粒子效應(yīng)愈加嚴(yán)重[1-3]，必須對(duì)SRAM進(jìn)行抗輻射加固并通過(guò)地面模擬試驗(yàn)驗(yàn)證其抗單粒子效應(yīng)性能。因此，開(kāi)展大容量SRAM的單粒子效應(yīng)研究對(duì)于保證其在空間環(huán)境的可靠性具有重要意義。

目前抗輻射加固SRAM產(chǎn)品主要有基于Bulk（體硅）CMOS工藝和基于SOI（絕緣體上硅）CMOS工藝這2種器件。本工作分別針對(duì)基于這2種工藝的抗輻射加固SRAM器件，利用重離子加速器開(kāi)展單粒子效應(yīng)模擬試驗(yàn)對(duì)比研究，基于試驗(yàn)獲得的SRAM器件單粒子效應(yīng)特性進(jìn)行SEU在軌翻轉(zhuǎn)率預(yù)估，并對(duì)試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行討論和分析，以期為宇航用大容量SRAM器件的SEE試驗(yàn)，以及選用、評(píng)估提供參考。

1 試驗(yàn)方案

1.1 SRAM單粒子效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

SRAM器件單粒子效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)由測(cè)試電路板、測(cè)試主板、控制計(jì)算機(jī)和遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)組成（見(jiàn)圖1）。被測(cè)器件（DUT）放置于測(cè)試電路板上送入重離子加速器裝置中進(jìn)行輻照試驗(yàn)。測(cè)試系統(tǒng)的關(guān)鍵部分是測(cè)試主板，由電源模塊、接口模塊、主控模塊、緩存模塊、電流監(jiān)控模塊等組成（見(jiàn)圖2）。電源模塊為測(cè)試系統(tǒng)提供電源；USB接口模塊實(shí)現(xiàn)主板與控制計(jì)算機(jī)間的通信，并為接受測(cè)試的SRAM器件提供工作電源；主控模塊接收USB接口的命令信號(hào)并產(chǎn)生控制信號(hào)進(jìn)而通過(guò)接口模塊控制SRAM器件的數(shù)據(jù)讀??；緩存模塊存儲(chǔ)SRAM測(cè)試圖形數(shù)據(jù)和輻照試驗(yàn)中從SRAM讀出的數(shù)據(jù)；電流監(jiān)控模塊實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)SRAM的電流大小，并將電流數(shù)值進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換后傳入主控模塊——若器件電流過(guò)大，電流監(jiān)控模塊中的繼電器斷電，從而實(shí)現(xiàn)SEL的檢測(cè)和被測(cè)器件的保護(hù)。

圖1 SRAM器件單粒子效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)Fig. 1 Schematic diagram of SEE test system for SRAM

圖2 SRAM器件單粒子效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)主板結(jié)構(gòu)Fig. 2 The mainboard of SEE test system for SRAM

1.2 SRAM單粒子效應(yīng)測(cè)試方法

SRAM器件的單粒子效應(yīng)主要是SEL和SEU。SEL測(cè)試時(shí)，為了模擬器件最?lèi)毫拥钠脳l件，器件工作電壓為電源電壓容限的上限。當(dāng)電源電流突然增大超過(guò)設(shè)定閾值，且只能通過(guò)斷電重新配置才能恢復(fù)正常（不能直接復(fù)位），則判斷為發(fā)生SEL。此時(shí)計(jì)算機(jī)自動(dòng)記錄1次SEL，并對(duì)被測(cè)器件實(shí)施斷電、復(fù)位和配置，確保器件恢復(fù)到正常工作狀態(tài)。SEU測(cè)試時(shí)，器件工作電壓為電源電壓容限的下限，器件存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為0x55、0xAA交替寫(xiě)入。在進(jìn)行輻照試驗(yàn)時(shí)，測(cè)試系統(tǒng)檢測(cè)器件全地址的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并與原數(shù)據(jù)對(duì)比，若不一致則認(rèn)為發(fā)生SEU。隨后測(cè)試系統(tǒng)記錄錯(cuò)誤地址和錯(cuò)誤值并通過(guò)串口發(fā)回上位機(jī)，并將錯(cuò)誤數(shù)據(jù)改寫(xiě)為正確數(shù)據(jù)。

1.3 被測(cè)器件和輻照源

輻照試驗(yàn)的被測(cè)器件為大容量Bulk CMOS工藝SRAM和SOI CMOS工藝SRAM，存儲(chǔ)容量分別為 32 Mbit（1 M×32 bit）和 16 Mbit（512 k×32 bit），2款器件的特性參數(shù)相近，如表1所示。測(cè)試時(shí)，每種器件選取3只受試，以3只器件測(cè)試數(shù)據(jù)的均值作為單粒子效應(yīng)特性數(shù)值。

表1 被測(cè)器件特性Table 1 Descriptions of the DUTs

重離子輻照源分別采用中國(guó)原子能科學(xué)研究院的HI-13串列靜電加速器和中國(guó)科學(xué)院蘭州近代物理研究所的HIRFL回旋加速器。根據(jù)國(guó)內(nèi)現(xiàn)有的輻照重離子條件，選取不少于5個(gè)不同LET值的重離子進(jìn)行試驗(yàn)。重離子的LET值從低到高，如表2所示。

表2 SEE試驗(yàn)用重離子特性Table 2 Ion species, energy, LET and range in silicon for SRAM’s SEE test

2 試驗(yàn)結(jié)果及分析討論

對(duì)被測(cè)器件進(jìn)行重離子輻照，根據(jù)重離子注量和相應(yīng)的器件存儲(chǔ)數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)位數(shù)，按照單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)截面的計(jì)算公式

計(jì)算得到不同LET值條件下的SEU截面。式中：Nupset為發(fā)生翻轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)位數(shù)；F為離子注量；N為器件容量（當(dāng)計(jì)算整個(gè)器件的翻轉(zhuǎn)截面時(shí)，N=1）；θ為離子入射傾角。

2.1 Bulk SRAM單粒子效應(yīng)試驗(yàn)結(jié)果

如圖3所示，32 M Bulk SRAM的SEU截面隨入射離子LET值的增大而增大，3只器件的試驗(yàn)數(shù)據(jù)基本一致，當(dāng)入射離子LET值為9.0 MeV·cm2/mg時(shí)，沒(méi)有產(chǎn)生翻轉(zhuǎn)；LET值達(dá)到50 MeV·cm2/mg時(shí)，SEU截面逐漸飽和。利用Weibull函數(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)擬合得到：32 M Bulk SRAM的SEU飽和截面σsat為7.32×10-4cm2，換算到單個(gè)存儲(chǔ)位為2.18×10-11cm2/bit；SEU閾值LETth為1.2 MeV·cm2/mg。但根據(jù)輻照試驗(yàn)結(jié)果，LETth應(yīng)該在 9.0～13.1 MeV·cm2/mg之間。

圖3 Bulk SRAM的SEU截面曲線Fig. 3 SEU cross section of the Bulk SRAM vs ion LET

在單粒子鎖定試驗(yàn)過(guò)程中，32 M Bulk SRAM器件的2路供電電流沒(méi)有顯著增大，表明器件的SEL閾值大于99.8 MeV·cm2/mg。

2.2 SOI SRAM單粒子效應(yīng)試驗(yàn)結(jié)果

如圖4所示，16 M SOI SRAM的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)截面隨入射離子LET值增大而增大，3只器件的試驗(yàn)數(shù)據(jù)偏差不大，LET值達(dá)到50 MeV·cm2/mg時(shí)，SEU截面逐漸飽和。利用Weibull函數(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)擬合得到：SEU 飽和截面σsat為 2.9×10-4cm2，換算到單個(gè)存儲(chǔ)位為1.73×10-11cm2/bit；SEU的閾值LETth為 8.4 MeV·cm2/mg。

圖4 SOI SRAM的SEU截面曲線Fig. 4 SEU cross section of the SOI SRAM vs ion LET

在SOI SRAM的單粒子翻轉(zhuǎn)試驗(yàn)中，SEU分為2種，即1翻0（1→0）和0翻1（0→1）。如圖5所示，隨著入射離子LET值的增大，不同SEU類(lèi)型的翻轉(zhuǎn)截面表現(xiàn)出明顯的差異，0翻1的截面顯著大于1翻0的截面，前者是后者的4～12倍。

圖5 SOI SRAM不同SEU類(lèi)型的翻轉(zhuǎn)截面曲線Fig. 5 SEU cross section of SOI SRAM for different upsetpattern

在單粒子鎖定試驗(yàn)過(guò)程中，16 M SOI SRAM器件的2路供電電流沒(méi)有顯著增大，表明器件的SEL閾值大于99.8 MeV·cm2/mg。

2.3 分析與討論

2.3.1 對(duì)重離子射程的要求

在重離子試驗(yàn)條件中，除了重離子LET值外，重離子的射程也是單粒子效應(yīng)試驗(yàn)的關(guān)鍵影響因素。目前國(guó)內(nèi)外相關(guān)的試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)均規(guī)定“選擇的離子在Si中要有足夠的射程，一般大于30 μm”[4-5]。本工作在進(jìn)行16 M SOI SRAM器件重離子輻照試驗(yàn)時(shí)，由于離子能量所限，I離子的射程為25.4 μm。根據(jù)SOI工藝結(jié)構(gòu)，在頂層硅和背襯底之間加入一層SiO2絕緣氧化層（BOX層），然后在BOX層的硅膜上制作器件和電路。如圖6所示，由單粒子效應(yīng)電荷收集機(jī)理，SOI器件的SEU靈敏層很薄，同時(shí)絕緣層SiO2隔離了入射重離子“漏斗效應(yīng)”在襯底上產(chǎn)生的電子–空穴擴(kuò)散和漂移電荷，使得SOI器件的單粒子效應(yīng)電荷收集距離遠(yuǎn)小于Bulk器件的[6]。

圖6 重離子在Bulk和SOI工藝器件結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生單粒子翻轉(zhuǎn)的電荷收集示意Fig. 6 Ion-induced single event charge collection in bulk MOS device and SOI MOS device

采用SOI工藝的器件硅膜厚度與Bulk工藝的器件相比非常薄，16 M SOI SRAM器件的頂層SEU靈敏層厚度TSV為0.3 μm；同時(shí)器件采用4層金屬1層多晶的工藝結(jié)構(gòu)，器件表面的鈍化層厚度TOL為6.3 μm。在單粒子效應(yīng)試驗(yàn)中，重離子射程RT的要求為

I離子的射程為25.4 μm，遠(yuǎn)大于所要求的重離子射程（6.6 μm），可以穿透器件表面鈍化層和SEU靈敏層。根據(jù)不同LET值和射程離子的輻照試驗(yàn)結(jié)果，I離子的SEU截面比Ge離子以及Ti離子的大，也可以說(shuō)明射程為25.4 μm的I離子能有效誘發(fā)SEU。

本工作中32 M Bulk SRAM器件的表面鈍化層厚度達(dá)到10 μm以上，SEU靈敏層厚度為1.5 μm，重離子射程要求接近SOI SRAM的2倍。目前0.5～0.13 μm SOI SRAM器件表面的金屬層、鈍化層等厚度一般不足8 μm，小于Bulk工藝器件的。同時(shí)SOI SRAM的SEU靈敏層厚度一般為0.2～0.4 μm，先進(jìn)SOI工藝器件的SEU靈敏層厚度甚至達(dá)到10 nm以下，遠(yuǎn)小于Bulk工藝器件的[6]。另外，由于Bulk工藝SRAM器件的SEU靈敏層厚度較大，為了保證重離子在穿透靈敏層過(guò)程中LET值不發(fā)生顯著變化，也要求更長(zhǎng)的重離子射程；而SOI SRAM的SEU靈敏層厚度非常小，重離子在穿透SEU靈敏層過(guò)程中的LET值變化可以忽略。因此，SOI SRAM器件單粒子效應(yīng)試驗(yàn)的重離子射程不需很長(zhǎng)，在實(shí)際開(kāi)展重離子模擬單粒子效應(yīng)試驗(yàn)時(shí)，可根據(jù)單粒子效應(yīng)類(lèi)型和器件工藝結(jié)構(gòu)，計(jì)算評(píng)估重離子的射程要求。

2.3.2 不同SEU類(lèi)型的翻轉(zhuǎn)截面差異

在16 M SOI SRAM的單粒子翻轉(zhuǎn)試驗(yàn)中，發(fā)現(xiàn)不同SEU類(lèi)型的翻轉(zhuǎn)截面相差4～12倍，相對(duì)于1翻0，0翻1的敏感性更強(qiáng)。如圖7所示，該SOI SRAM的存儲(chǔ)陣列單元采用了基于ADE（active delay element）電路級(jí)加固的單元結(jié)構(gòu)，即在傳統(tǒng)的6管SRAM單元電路的反饋回路上增加了1個(gè)NMOS管（N5）。根據(jù)單粒子翻轉(zhuǎn)的動(dòng)態(tài)過(guò)程，翻轉(zhuǎn)是否發(fā)生依賴(lài)于恢復(fù)過(guò)程和反饋過(guò)程的競(jìng)爭(zhēng)。當(dāng)ADE處于高阻狀態(tài)時(shí)，RC延遲增加了單粒子翻轉(zhuǎn)所需要的反饋時(shí)間，從而提高了器件抗單粒子翻轉(zhuǎn)的能力。但該SRAM存儲(chǔ)單元2條反饋回路的結(jié)構(gòu)不對(duì)稱(chēng)，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)Q到P1、N1柵極的反饋回路上有ADE，而節(jié)點(diǎn)到P2、N2柵極的反饋回路上沒(méi)有ADE，這使得單粒子翻轉(zhuǎn)過(guò)程中1翻0反饋回路的反饋時(shí)間更長(zhǎng)，發(fā)生翻轉(zhuǎn)的難度更大。對(duì)于常規(guī)的6 T存儲(chǔ)單元SRAM，由于具有完全對(duì)稱(chēng)的單元電路結(jié)構(gòu)，1翻0和0翻1的敏感性沒(méi)有差異。但對(duì)于抗輻射加固SRAM，常見(jiàn)的加固方法包括工藝加固、電路加固、系統(tǒng)加固等，由于單元結(jié)構(gòu)和翻轉(zhuǎn)動(dòng)態(tài)過(guò)程可能存在的不對(duì)稱(chēng)性，會(huì)產(chǎn)生1翻0和0翻1的翻轉(zhuǎn)敏感性差異，這對(duì)SEU測(cè)試提出了新的要求[7-8]。目前的單粒子輻照試驗(yàn)中，測(cè)試數(shù)據(jù)通常為FFH、00H或55H、AAH等單一類(lèi)型。為了在地面模擬試驗(yàn)最?lèi)毫訔l件下抗輻射加固SRAM器件的SEU特性，應(yīng)針對(duì)多種不同測(cè)試圖形開(kāi)展SEU測(cè)試，從而獲得最敏感的SEU特性指標(biāo)。

圖7 SOI SRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)Fig. 7 Structure of the SOI SRAM memory cell

3 在軌翻轉(zhuǎn)率預(yù)估及討論

根據(jù)Weibull擬合得到的SEU飽和截面σsat、SEU閾值LETth、形狀參數(shù)S、尺度參數(shù)W等，選取GEO典型空間軌道環(huán)境（35 876 km，0°），重離子輻射環(huán)境模型為CRèME 96，粒子全方向入射，3 mm等效Al屏蔽，利用OMERE 4.0軟件對(duì)器件在軌翻轉(zhuǎn)率進(jìn)行預(yù)估[9]，結(jié)果為：16 M SOI SRAM器件的在軌翻轉(zhuǎn)率為5.78×10-15bit-1·d-1， 而 32 M Bulk SRAM 器件的在軌翻轉(zhuǎn)率為 1.36×10-10bit-1·d-1。根據(jù)SEU輻照試驗(yàn)結(jié)果，Bulk SRAM和SOI SRAM的翻轉(zhuǎn)截面相近，分別為2.18×10-11cm2/bit和1.73×10-11cm2/bit，但Bulk SRAM的在軌翻轉(zhuǎn)率預(yù)估值卻高了4個(gè)數(shù)量級(jí)以上。這是因?yàn)閱瘟Ｗ有?yīng)在軌預(yù)估采用的計(jì)算模型為IRPP模型，利用試驗(yàn)獲得的σ–LET數(shù)據(jù)點(diǎn)進(jìn)行Weibull擬合得到整個(gè)LET譜范圍內(nèi)的σ–LET函數(shù)關(guān)系曲線（如圖8所示），然后與空間輻射環(huán)境的重離子等效微分能譜進(jìn)行乘積并積分，從而得到在軌翻轉(zhuǎn)率預(yù)估值。其中，翻轉(zhuǎn)的臨界電荷QC由Weibull擬合得到的LETth計(jì)算得到，

圖8 RPP模型與IRPP模型采用的σ–LET曲線Fig. 8 σ–LET adopted in the RPP and IRPP model,respectively

式中：ρ為Si的密度；d為單粒子效應(yīng)靈敏體積厚度；Eion為重離子電離產(chǎn)生1個(gè)電子–空穴對(duì)需要的能量。LETth直接決定了翻轉(zhuǎn)的臨界電荷QC，是影響在軌單粒子翻轉(zhuǎn)率計(jì)算最重要的參數(shù)[10]。在32 M Bulk SRAM的在軌翻轉(zhuǎn)率計(jì)算中，采用了Weibull擬合得到的LETth=1.2 MeV·cm2/mg，但根據(jù)輻照試驗(yàn)結(jié)果Bulk SRAM的SEU閾值LETth實(shí)際為9.0～13.1 MeV·cm2/mg，導(dǎo)致嚴(yán)重高估了Bulk SRAM的在軌翻轉(zhuǎn)率。

在單粒子效應(yīng)在軌預(yù)估中，除了IRPP模型外，常用的計(jì)算模型還有RPP模型。該模型采用σsat和LETth這2個(gè)參數(shù)構(gòu)成的階躍函數(shù)表示σ–LET關(guān)系（如圖8所示），其計(jì)算結(jié)果要比IRPP模型的更保守或惡劣[11]。因此，對(duì)于32 M Bulk SRAM器件，Weibull擬合得到的LETth與試驗(yàn)結(jié)果相差較大，可以利用RPP模型計(jì)算在軌翻轉(zhuǎn)率。以輻照試驗(yàn)獲得的 9.0 MeV·cm2/mg作為 LETth，以 2.18×10-11cm2作為飽和截面σsat，在軌翻轉(zhuǎn)率計(jì)算結(jié)果為 2.76×10-14bit-1·d-1，比利用 Weibull擬合參數(shù)計(jì)算的結(jié)果低3個(gè)數(shù)量級(jí)以上，與SOI SRAM的在軌翻轉(zhuǎn)率較為一致。由于單粒子效應(yīng)輻照試驗(yàn)結(jié)果自身存在離散性，同時(shí)輻照能夠獲得的試驗(yàn)數(shù)據(jù)點(diǎn)非常有限，一般不超過(guò)5個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，擬合得到的SEU特性參數(shù)可能存在較大偏差，其中對(duì)單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)在軌翻轉(zhuǎn)率預(yù)估起決定性影響的參數(shù)是LETth。因此，為避免輻照試驗(yàn)及數(shù)據(jù)擬合造成LETth和在軌翻轉(zhuǎn)率等指標(biāo)的嚴(yán)重偏差，可盡量通過(guò)輻照試驗(yàn)獲得更為準(zhǔn)確的LETth范圍，并以試驗(yàn)結(jié)果對(duì)在軌翻轉(zhuǎn)率進(jìn)行預(yù)估。

4 結(jié)論及建議

本工作通過(guò)重離子輻照模擬試驗(yàn)獲得了大容量抗輻射加固32 M Bulk CMOS工藝SRAM和16 M SOI CMOS工藝SRAM的單粒子效應(yīng)特性，這2種器件的 SEL閾值 LETth均大于 99.8 MeV·cm2/mg，典型 GEO 在軌翻轉(zhuǎn)率均小于 1×10-10bit-1·d-1，2 款SRAM的性能參數(shù)相近，經(jīng)過(guò)抗輻射加固優(yōu)化設(shè)計(jì)，都達(dá)到了較高的抗單粒子效應(yīng)性能指標(biāo)。SOI SRAM器件的表面鈍化層厚度和SEU靈敏層厚度均小于Bulk SRAM的，誘發(fā)SEU的重離子射程要求相對(duì)較低。16 M SOI SRAM的SEU試驗(yàn)中，由于存儲(chǔ)單元電路結(jié)構(gòu)的非對(duì)稱(chēng)性，1翻0和0翻1的敏感性存在顯著差異。為了更加準(zhǔn)確地測(cè)試最?lèi)毫訔l件下抗輻射加固SRAM器件的SEU特性，應(yīng)針對(duì)多種不同測(cè)試圖形開(kāi)展SEU測(cè)試，從而獲得最敏感的SEU特性指標(biāo)。另外，為避免輻照試驗(yàn)及數(shù)據(jù)擬合造成LETth和在軌翻轉(zhuǎn)率等指標(biāo)的嚴(yán)重偏差，可通過(guò)單粒子效應(yīng)輻照試驗(yàn)獲得更為準(zhǔn)確的LETth，并以試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行在軌翻轉(zhuǎn)率預(yù)估。