肖玲 舒露鋒

摘要：本文對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域的二點(diǎn)組H01L29/68的IPC分類及CPC 分類進(jìn)行了對(duì)比和分析，并通過(guò)實(shí)際案例的檢索，對(duì)比IPC與CPC分類號(hào)的檢索效率與準(zhǔn)確性，發(fā)現(xiàn)利用CPC分類號(hào)進(jìn)行檢索可提高檢索效率與準(zhǔn)確性。

關(guān)鍵詞：H01L29/68；IPC；CPC；檢索

引言

近年來(lái)，隨著發(fā)明專利申請(qǐng)量的逐年增加，審查員在進(jìn)行實(shí)質(zhì)審查時(shí)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的檢索難度越來(lái)越大，使用常規(guī)的關(guān)鍵詞結(jié)合分類號(hào)檢索已難以滿足精確檢索的需要，往往造成較高的漏檢率，而原有的專利分類系統(tǒng)中，國(guó)際專利分類體系IPC被廣泛使用。IPC更新速度慢，單一分類號(hào)下文獻(xiàn)量巨大。在2010年10月，聯(lián)合專利分類CPC在急需“全球性”的專利分類體系的呼聲中應(yīng)運(yùn)而生。

一、H01L29/68領(lǐng)域CPC分類體系的特點(diǎn)

CPC分類體系包括分類表和分類定義兩部分。H01L29/68定義為只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的半導(dǎo)體器件，在IPC分類號(hào)中的小組主要為H01L29/70（雙極器件）和H01L21/76（單極器件），有更細(xì)分的下位組。

由于IPC分類對(duì)此技術(shù)領(lǐng)域沒(méi)有進(jìn)一步細(xì)分，每條分類號(hào)下專利文獻(xiàn)數(shù)量巨大。截至2017年10月，只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的的半導(dǎo)體器件這一分類號(hào)在DWPI數(shù)據(jù)庫(kù)中的文獻(xiàn)量高達(dá)195434篇，而且隨著時(shí)間的累積，該數(shù)據(jù)也會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)。在利用IPC進(jìn)行檢索時(shí)，必須結(jié)合關(guān)鍵詞做進(jìn)一步限定。然而在半導(dǎo)體領(lǐng)域，其在限定過(guò)程中也是采用較為模糊的技術(shù)特征進(jìn)行限定，例如“摻雜區(qū)”“絕緣層”等關(guān)鍵詞，對(duì)檢索造成了較大的障礙，當(dāng)檢索所固有的用詞不準(zhǔn)確、擴(kuò)展不全面以及技術(shù)細(xì)節(jié)難以表達(dá)時(shí)都將給檢索帶來(lái)噪音，極容易漏檢，導(dǎo)致檢索結(jié)果不準(zhǔn)確。因此，IPC分類號(hào)過(guò)于籠統(tǒng)的缺陷極大地影響了審查員在該領(lǐng)域的檢索效率，因而采用CPC分類號(hào)可以大大提高半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)彶閱T的檢索效率。CPC對(duì)單極器件同樣進(jìn)行了細(xì)分， H01L29/76（單極器件，例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管）下按照器件的類型分類得到的四點(diǎn)組的情況，其下位五點(diǎn)組H01L29/78（具有由絕緣柵產(chǎn)生場(chǎng)效應(yīng)的）細(xì)分比較多。由于絕緣柵產(chǎn)生場(chǎng)效應(yīng)晶體管是目前主要的功率半導(dǎo)體器件，是發(fā)明人重點(diǎn)研究的領(lǐng)域，其技術(shù)發(fā)展較快，因此，五點(diǎn)組H01L29/78（具有由絕緣柵產(chǎn)生場(chǎng)效應(yīng)）的細(xì)分比較多。

二、H01L29/68分領(lǐng)域下CPC案例實(shí)戰(zhàn)

在本部分中，將采用實(shí)際案例分別展示使用CPC分類體系對(duì)專利申請(qǐng)進(jìn)行分類和檢索的過(guò)程，從中體會(huì)CPC分類體系在分類和檢索中的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。

【案例】

權(quán)利要求1.一種形成有溝道應(yīng)力層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底；形成在所述襯底之上的柵介質(zhì)層，形成在所述柵介質(zhì)層之上的柵極，以及形成在所述襯底之中且位于所述柵極兩側(cè)的源極和漏極；形成在所述柵介質(zhì)層和所述柵極兩側(cè)的一個(gè)或多個(gè)側(cè)墻；和形成在所述柵極之下，且位于所述襯底之中的嵌入應(yīng)力層。

（1）理解技術(shù)方案，把握發(fā)明構(gòu)思，確定技術(shù)主題。根據(jù)申請(qǐng)文件的技術(shù)方案，本申請(qǐng)相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的貢獻(xiàn)在于提高溝道載流子遷移率的方法，其利用的是形成在所述柵極之下，且位于所述襯底之中的嵌入應(yīng)力層，提高溝道載流子遷移率。

（2）針對(duì)發(fā)明信息和附加信息的技術(shù)主題進(jìn)行分類。本申請(qǐng)確定主題為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)控制的器件結(jié)構(gòu)，其分類號(hào)為H01L29/78，針對(duì)技術(shù)方案中提高溝道載流子遷移率，其可以分到H01L 29/7842，針對(duì)其實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段，可以分到H01L 29/7849。而針對(duì)附加信息，是一種偽柵工藝，因此其附加信息可以分入H01L29/66545。

（3）與IPC分類進(jìn)行對(duì)比。本案的IPC分類號(hào)為： H01L29/78和H01L21/336即為制造帶有絕緣柵的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法以及場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，且IPC中對(duì)H01L29/78只進(jìn)行了一步細(xì)分，且該下位組并沒(méi)有相關(guān)的分類號(hào)，因此只能用關(guān)鍵詞“載流子”、“應(yīng)力”進(jìn)一步限定。

（4）采用IPC進(jìn)行檢索：

1 DWPI 133524 H01L29/78/low/ic

2 DWPI 18604 carrier？ and （stress？？ or strain）

3 DWPI 812 1 and 2

4 DWPI 13346 channel and （stress？ or strain）

5 DWPI 2086 1 and 4

6 DWPI 143 under s gate s （stress？ or strain）

7 DWPI 74 1 and 6

文獻(xiàn)量比較大，不利于瀏覽，或者關(guān)鍵詞限定的比較小，導(dǎo)致漏檢。采用CPC分類號(hào)下位組進(jìn)行檢索：

1 SIPOABS 922 H01L29/7849/cpc

2 SIPOABS 12507 H01L29/66545/cpc

3 SIPOABS 100 1 and 2

利用CPC細(xì)分號(hào)進(jìn)行檢索，噪聲較小，且相關(guān)度比較高，其中對(duì)比文件（CN101924107 A）公開了發(fā)明點(diǎn)，可以評(píng)述權(quán)利要求1的創(chuàng)造性。

三、結(jié) 語(yǔ)

本文著重分析了半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域CPC分類體系的情況，及其在檢索中的應(yīng)用。相對(duì)于IPC分類體系，CPC包括大量的細(xì)分的分類號(hào)，各分類號(hào)對(duì)于技術(shù)特征的描述更加具體和詳細(xì)，更細(xì)化地展示了目前技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)，利用CPC分類號(hào)，一方面可以提高檢索效率，另一方面，可以減少漏檢的可能性。在實(shí)際檢索中，更加容易找到能夠準(zhǔn)確表達(dá)技術(shù)特征的CPC 分類號(hào)，可以起到事半功倍的效果，能夠大大地提高檢索的效率、準(zhǔn)確性和全面性。