孫占峰, 尹柏強(qiáng), 何怡剛, 羅旗舞, 宋 洋
(合肥工業(yè)大學(xué) 電氣與自動(dòng)化工程學(xué)院,安徽 合肥 230009)
在各無(wú)線監(jiān)測(cè)應(yīng)用領(lǐng)域中[1~4],結(jié)合射頻識(shí)別(radio frequency identification,RFID)和無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)(wireless sensor networks,WSNs)的光照強(qiáng)度在線監(jiān)測(cè)是最重要的應(yīng)用技術(shù)之一?,F(xiàn)階段主要使用微電子技術(shù)實(shí)現(xiàn)在線光強(qiáng)監(jiān)測(cè),并將其與RFID和WSNs技術(shù)相結(jié)合,使光強(qiáng)監(jiān)測(cè)具有很高的靈敏度和準(zhǔn)確性。盡管,部分研究采用無(wú)源標(biāo)簽[5]和聲表面波技術(shù)[4],在一定程度上降低了其元件成本和維護(hù)難度,但卻依然難以克服其大規(guī)模生產(chǎn)和使用中成本過(guò)高的問(wèn)題。為了有效解決這些問(wèn)題,無(wú)芯片RFID技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生[6]。
不同于傳統(tǒng)有芯片RFID技術(shù),無(wú)芯片RFID技術(shù)使用集成傳感器的諧振結(jié)構(gòu)進(jìn)行標(biāo)簽ID編碼和環(huán)境感知[7],極大地降低了標(biāo)簽生產(chǎn)和維護(hù)成本,且其采用的獨(dú)特詢問(wèn)技術(shù)還使其具備長(zhǎng)距離通信和簡(jiǎn)易收發(fā)的優(yōu)點(diǎn)[8]。
本文基于RFID技術(shù)設(shè)計(jì)了緊湊型無(wú)芯片光傳感標(biāo)簽,并結(jié)合傳感器技術(shù)實(shí)現(xiàn)標(biāo)簽的ID編碼能力和光強(qiáng)檢測(cè),并仿真測(cè)試了設(shè)計(jì)的標(biāo)簽性能。
加載在無(wú)芯片RFID標(biāo)簽天線上的射頻或微波電路能夠根據(jù)其不同的大小和結(jié)構(gòu)對(duì)天線接收的電磁波信號(hào)進(jìn)行調(diào)制,使該信號(hào)產(chǎn)生特定的諧振頻率和不同的諧振幅值,使得該天線具有在頻率上的電磁識(shí)別標(biāo)志(electromagnetic sign,EMS)。通過(guò)加載多個(gè)射頻和微波諧振電路,多個(gè)EMS不僅可以作為標(biāo)簽的身份ID,亦可在諧振電路中集成傳感材料進(jìn)行環(huán)境感知。環(huán)境參量的變化改變了傳感材料的阻抗或介電常數(shù),進(jìn)而改變了天線的反向散射信號(hào)。閱讀和訪問(wèn)設(shè)備通過(guò)接收天線的反向散射信號(hào),實(shí)現(xiàn)無(wú)芯片RFID系統(tǒng)對(duì)環(huán)境的感知[9,11]。本文具有傳感功能的無(wú)芯片RFID系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和工作原理如圖1所示。
圖1 無(wú)芯片RFID系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和工作原理
本文設(shè)計(jì)的無(wú)芯片RFID傳感標(biāo)簽包括3個(gè)部分:?jiǎn)螜C(jī)子收發(fā)天線、ID編碼單元和光強(qiáng)傳感單元,如圖2所示。
圖2 無(wú)芯片傳感標(biāo)簽結(jié)構(gòu)示意
標(biāo)簽利用開(kāi)路短截線諧振結(jié)構(gòu)的帶阻濾波原理實(shí)現(xiàn)對(duì)自身的ID編碼和光強(qiáng)的感知。在高頻條件下,諧振結(jié)構(gòu)可以等效為多個(gè)電感和電容串/并聯(lián)電路,其性能主要取決于2個(gè)參數(shù):諧振結(jié)構(gòu)的諧振中心頻率f和品質(zhì)因數(shù)Q
(1)
式中L為諧振結(jié)構(gòu)的等效電感值,C為諧振結(jié)構(gòu)的等效電容值,R為諧振結(jié)構(gòu)的等效電抗,ω=2πf為諧振角頻率??芍煌腖和C可以使諧振結(jié)構(gòu)產(chǎn)生不同諧振中心頻率。本文通過(guò)改變開(kāi)路短截線諧振結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度使其具備不同的等效電感和電容值,在1.5~2.2 GHz的頻帶內(nèi)產(chǎn)生5 bit標(biāo)簽ID信息,并使開(kāi)路短截線諧振結(jié)構(gòu)末端的光敏元件在不同光照強(qiáng)度下?lián)碛胁煌牡刃ё杩怪怠?/p>
本文采用龍信達(dá)公司的LXD/GB3—A1DPBT光敏電阻器作為光強(qiáng)檢測(cè)傳感器。超高頻范圍使用時(shí),該光敏元件的阻抗值可等效為多個(gè)RC電路串/并聯(lián)后的阻抗值。使用安捷倫矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(vector network analyzer,VNA)E5061B對(duì)不同光照條件下4組該光敏元件阻抗值進(jìn)行測(cè)量,減小測(cè)量誤差,結(jié)果如表1所示。測(cè)量結(jié)果顯示,LXD/GB3—A1DPBT光敏電阻器在較小的頻率范圍內(nèi)阻抗值變化不明顯,但在不同光照條件下的阻抗值卻有很大變化。
表1 GB3—A1DPBT光敏元件阻抗測(cè)試結(jié)果
使用Ansoft HFSS軟件對(duì)標(biāo)簽ID編碼和傳感單元進(jìn)行仿真和測(cè)試。仿真過(guò)程中,使用等效模型模擬不同光照條件下的光敏元件,其在0,500,1 000 lux條件下的阻抗值采用表1中測(cè)試的4組對(duì)應(yīng)條件下阻抗值的平均值。圖2中諧振結(jié)構(gòu)具體的參數(shù)為:L1~L6分別為23,25,27.5,20,19,16 mm;W1,W2分別為3.73,0.7 mm;S為4 mm;R為15 mm。其仿真結(jié)果如圖3虛線所示。
圖3 諧振單元S21仿真和測(cè)試結(jié)果
利用蝕刻技術(shù)將ID編碼和傳感單元結(jié)構(gòu)蝕刻在厚度為2 mm的FR4基板上,并在長(zhǎng)度為L(zhǎng)6的開(kāi)路短截線末端焊接光敏電阻器,其微帶線兩端采用50 Ω SAM接口。諧振結(jié)構(gòu)的實(shí)物如圖4所示,其總面積約為10 cm2,單位面積的數(shù)據(jù)含量約為0.6 bit/cm2。
圖4 諧振單元結(jié)構(gòu)
使用安捷倫E5061B矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀分別測(cè)試其在光照強(qiáng)度為0,500,1 000 lux時(shí)的插入損耗S21。測(cè)試結(jié)果如圖3中實(shí)線所示。
采用同樣的蝕刻技術(shù)將設(shè)計(jì)的無(wú)芯片RFID光傳感器蝕刻于厚2 mm的FR4基板上,并將LXD/GB3—A1DPBT光敏電阻焊接于傳感單元末端,制作完成的無(wú)芯片RFID光傳感標(biāo)簽如圖5所示。設(shè)計(jì)標(biāo)簽的ID編碼為“00000”。
圖5 無(wú)芯片RFID光傳感標(biāo)簽
本文采用如圖6所示的原理框圖對(duì)無(wú)芯片RFID標(biāo)簽進(jìn)行性能測(cè)試。為了減小測(cè)試過(guò)程中信號(hào)間的相互干擾,采用交叉極化放置的兩個(gè)環(huán)形天線Rx和Tx作為測(cè)試信號(hào)的收發(fā)天線。測(cè)試平臺(tái)中矢量信號(hào)分析儀采用安捷倫E5061B,微波暗室采用Voyantic RFID測(cè)試箱。測(cè)試過(guò)程中,測(cè)試天線與標(biāo)簽天線間的距離為30 cm;測(cè)試的環(huán)境光強(qiáng)分別為0,200,400,600,800,1 000 lux。
圖6 無(wú)芯片RFID標(biāo)簽測(cè)試原理
無(wú)芯片RFID光強(qiáng)傳感標(biāo)簽的S21參數(shù),響應(yīng)頻率和諧振幅值的測(cè)試結(jié)果如表2。圖7展示了光照強(qiáng)度為0 lux和1 000 lux的完整S21頻譜測(cè)試結(jié)果。
表2 不同光照條件下無(wú)芯片RFID標(biāo)簽S21測(cè)試結(jié)果
從以上測(cè)試結(jié)果可以看出,本文所設(shè)計(jì)的無(wú)芯片RFID傳感標(biāo)簽在不同的光照強(qiáng)度條件下將會(huì)產(chǎn)生不同的響應(yīng)頻率和諧振幅值。其不同響應(yīng)頻率間帶寬間隔的平均值為50 MHz,不同諧振幅值間的平均差值為1.8 dB。表明該無(wú)芯片RFID傳感標(biāo)簽不僅能夠檢測(cè)出不同的光照強(qiáng)度,其較寬的頻帶間隔和加大的幅值差可以有效減小不同光照強(qiáng)度測(cè)量時(shí)信號(hào)特征的重疊干擾。
為了更準(zhǔn)確地說(shuō)明本文設(shè)計(jì)的無(wú)芯片RFID傳感標(biāo)簽的性能,比較了響應(yīng)頻率和諧振幅值在光傳感中的靈敏度和線性度。其中,傳感器的靈敏度為
(2)
式中X1 000 lux為光照強(qiáng)度為1 000 lux時(shí)的響應(yīng)頻率或諧振幅值,X0 lux為光照強(qiáng)度為0 lux時(shí)的響應(yīng)頻率或諧振幅值。由Sx計(jì)算得到利用響應(yīng)頻率進(jìn)行光傳感時(shí)靈敏度Sf=0.26MHz/lux,利用諧振幅值進(jìn)行光傳感時(shí)靈敏度Sa=0.008 7 dB/lux。通過(guò)比較Sf和Sa的值可知,利用響應(yīng)頻率變化檢測(cè)單位光強(qiáng)變化更易實(shí)現(xiàn)和操作。
通過(guò)對(duì)比2個(gè)參數(shù)與其各自擬合直線的最大偏差百分比,來(lái)比較兩種測(cè)量結(jié)果的線性度優(yōu)劣。定義線性度為
(3)
式中 ΔYmax為傳感器測(cè)量曲線與擬合直線間的最大偏差,Y為傳感器測(cè)量范圍。使用MATLAB分別對(duì)2種結(jié)果參數(shù)進(jìn)行線性擬合,分別得到響應(yīng)頻率f與光照強(qiáng)度Lx的線以及諧振幅值A(chǔ)與光照強(qiáng)度Lx的線性擬合方程為
Lx=-0.000 27f+2.71,Lx=0.008 5A-23.976 2
(4)
圖8為實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果的折線圖和擬合后的擬合直線。經(jīng)過(guò)計(jì)算,以響應(yīng)頻率f為變量時(shí)其線性度δ1=0.001 4 %;以諧振幅值A(chǔ)為變量時(shí)其線性度δ2=0.032 %。δ1<δ2,以響應(yīng)頻率f為變量的光照強(qiáng)度測(cè)試結(jié)果具有更好的線性度。
圖8 無(wú)芯片RFID標(biāo)簽測(cè)試結(jié)果的線性性能
由此可知,對(duì)于本文設(shè)計(jì)的無(wú)芯片RFID傳感標(biāo)簽在以響應(yīng)頻率為變量,測(cè)試結(jié)果有更好的靈敏度和線性度。但在應(yīng)用時(shí),可能需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景選擇使用不同的特性,或者需要同時(shí)使用兩種特性來(lái)提高光傳感的精確性。
本文提出了一種無(wú)源、低廉無(wú)芯片RFID光傳感標(biāo)簽。標(biāo)簽集成現(xiàn)有光敏元件并采用無(wú)芯片RFID通信技術(shù),使其具有RFID通信和光傳感能力。標(biāo)簽采用緊湊型設(shè)計(jì),在較小的面積上包含了6 bit數(shù)據(jù)。由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易生產(chǎn)、無(wú)需維護(hù)、可重復(fù)利用等特點(diǎn),該標(biāo)簽有著廣闊的實(shí)際應(yīng)用前景。