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        基于40 nmCMOS工藝的高速SAR ADC的設計

        2018-09-26 03:10:44魏祎
        電子產(chǎn)品世界 2018年3期

        魏祎

        摘要:基于40 nm CMOS工藝,設計了一種高速逐次逼近型模數(shù)轉換器。本設計采用了非二進制冗余DAC技術來緩解ADC對建立時間和建立精度的要求,來提高ADC量化的準確性;采用帶有預放大級的高速比較器來提高比較器的精度,同時減小后級Latch的回踢噪聲,采用了兩級Latch來進一步提高比較器的速度;采用基于鎖存器的鎖存單元來提高SAR邏輯控制電路的速度,并且采用了異步時序控制,不需要外部時鐘,有利于提高SAR ADC的速度,并降低了設計的復雜度。設計的SAR ADC在160 MHz的采樣頻率下,在不同輸入信號頻率下均可以實現(xiàn)12 bit的量化精度,SFDR均在83 dB以上。

        關鍵詞:高速通信:模數(shù)轉換器:逐次逼近:非二進制

        0 引言

        隨著智能設備的普及和通信技術的不斷發(fā)展,消費者對智能互聯(lián)的需求變得越來越迫切。這就要求通信網(wǎng)絡要有更快的數(shù)據(jù)速率。而更高的數(shù)據(jù)傳輸速率就要求更大的帶寬。因此通訊接收機就需要更快的數(shù)據(jù)轉換器,將模擬的無線通信信號轉換為數(shù)字信號,供DSP芯片進行處理。模數(shù)轉換器(Analog-to-DigitalConverter,ADC)作為連接模擬系統(tǒng)和數(shù)字信號處理系統(tǒng)的橋梁起著關鍵的作用。

        在同樣精度與速度要求下,與快閃型、折疊內(nèi)插型、流水線型等ADC相比,SAR ADC結構簡單、功耗低、易于集成等特點,因此得到了廣泛的應用[1-2]。

        常見的SAR ADC主要由自舉采樣開關、DAC、比較器和SAR邏輯電路組成,其基本架構如圖1所示。其中DAC主要采用電容陣列構成的CDAC。一個N位的SAR ADC的工作原理是采用二進制搜索算法確定輸入信號所在的量化區(qū)間。首先,輸入信號通過采樣開關存儲在DAC中;然后通過比較器對輸入信號和DAC產(chǎn)生的參考電壓進行比較,將比較結果輸出到SAR邏輯電路,SAR邏輯控制電路根據(jù)比較結果去控制DAC中的開關切換,使DAC進一步產(chǎn)生逼近輸入信號的參考電壓:最后當每一位都比較完成后,DAC的輸出電壓將收斂到與輸入信號相差不超過1/2 LSB (1LSB=VFS/2N)的范圍,比較器的每一位輸出碼組成最終的N位輸出碼。

        本設計采用了非2進制冗余DAC技術、靜態(tài)鎖存比較器、基于鎖存器的SAR邏輯控制電路,在CMOS工藝下實現(xiàn)了12 bit的高速SAR ADC的設計。

        1 DAC的設計

        DAC為非二進制傳統(tǒng)電容陣列,陣列基底小于2。由于DAC陣列總電容很小,為抑制電荷注入,采用下極板采樣方式。為保證12 bit動態(tài)范圍,選取定基底radix=1.877,以13位電容陣列的方式來實現(xiàn)12 bit的SAR ADC。電路結構如圖2所示。

        非二進制冗余DAC技術緩解了ADC對建立時間和建立精度的要求[3]。在傳統(tǒng)的二進制電容陣列里,電容的值都是以2為基底,ADC的轉換編碼和輸入信號之間是線性映射的關系。如果將電容陣列的基底設置成小于2,則轉換編碼和輸入信號之間不再是線性映射,這種非線性映射恰恰為DAC的建立提供了冗余,可一定程度放寬DAC的建立精度,同時建立時間也大大縮短。一個N位的非二進制SAR ADC,假設以radix作為電容陣列的基底,由于radix<2,繼續(xù)使用N位電容進行量化將導致ADC不足以提供N位精度的動態(tài)范圍,假設使用k位電容進行量化,則需滿足

        根據(jù)式(1),如果利用13位電容來實現(xiàn)1 2位ADC,則基底至少為1.8772。冗余發(fā)生在量化編碼為0111…111和1000…000之間,只要輸入信號在此冗余范圍,不管高位量化值是0還是1,最終都能被準確地表示,換言之,只要DAC能夠建立到對應的冗余范圍內(nèi),最終就能正確完成量化[4]。

        2 SRA ADC的工作原理

        在采樣階段,采用下極板采樣的方式,DAC差分輸出端接共模電壓V_CM,所有電容下極板分別接輸入信號Vip和Vin,此時差分DAC輸出端的電荷:

        QXP=(VCM - Vip).Ctot.p

        (2)

        QXN=(VCM - Vin).Ctot,n,

        (3)

        為了減小采樣開關的非理想效應,先將VCM開關斷開,再將自舉采樣開關斷開,完成對輸入信號的采樣。采樣完成后即進行第一次量化。以差分DAC的P端為例,首先將上極板從共模電平VCM斷開,然后將除MSB電容外所有電容的下極板切換到Vrefb,MSB電容下極板切換到Vrefb,DAC建立完成即進行第一次比較,此時,上極板電荷:

        Q'xP=(VXP - Vretb)- (Ctot,p- ClZ,p)+ (VXP - Vreft)-C1Z,p

        (4)

        互補DAC的N端的切換方式和P端相反,其切換后上極板電荷:

        Q'XN=(VXN - Vreft).(ctot,n- clz,n)+(VXN - Vrefb).C12,n

        (5)

        根據(jù)上極板電荷守恒:

        QXP=Q'xP,QXN=Q'xN

        (6)

        可得第一次比較時:

        VXP=VCM - Vip+Vreft.w12,p,a+Vrefb.(1-w12,p,a)

        (7)

        VXN=VCM - Vin+Vreft-(1-w12,n.a)+Vrefb-W12,n,a

        (8)

        其中定義模擬權重:

        假設第一次比較結果D12=1,即VXP< VXN,則P端DAC的MSB電容下極板接Vref保持不變,將MSB-1電容從Vrefb切換到Vrefb,VXP= VCM- Vip+Vreft.(w 2,pa+w11,p,a)+Vrefb.(1-w12,pa-w11,p,a)?;パaDAC端MSB電容下極板接Vreft保持不變,并將MSB-1電容下極板從Vrefb切換到Vreft,VXN= VCM-Vcm+ Vrefb.(1-w12,n,a-wll,n,a)+ Vrefb.(w12,n,a+wll,n,a)。

        假設第一次比較結果D12=0,即VXP> VXN,則P端DAC的MSB電容下極板要從Vreft切到Vrefb,將MSB-1電容從Vrefb切換到Vreft,V'XP=VCM-Vip+Vreft.w11,p,a+Vrefb.(1 -wll,n,a);互補DAC端MSB電容下極板要切到Vreft,并將MSB-1電容下極板從Vreft切換到Vrefb,vXN= VCM-Vn+ Vreft'(1一∞11,n,a)+Vrefb。w11,n,a

        逐次逼近從高位到低位依次進行,對于P端的每一位電容Cip(i=12,11,…,O),首先將之切換到Vreft,根據(jù)比較結果D,決定是否需要切換回Vrefb,然后繼續(xù)進行下一位量化。如果D,=1,則Ci,p保持接Vreft不變,同時Ci,p的數(shù)字權重將累加到最終輸出編碼;如果D,=0,則Ci,p要從Vreft切換回Vrefb,并且Ci.p的數(shù)字權重不需要累加到最終輸出編碼。

        3 比較器的設計

        本設計中的比較器采用靜態(tài)鎖存比較器加一級動態(tài)鎖存器的結構,其結構如圖3所示。靜態(tài)鎖存比較器采用的再生單元是A類交叉耦合對[5],比較器的工作電流決定了其轉換速度。第一級為預放大級,對輸入信號進行放大,輸出電流通過鏡像注入再生單元,差分輸入對管的漏端與再生節(jié)點之間存在隔離,回踢噪聲較小。比較器采用異步時序控制,當比較器產(chǎn)生比較結果后對比較器進行復位操作。

        本設計中SAR ADC的輸入信號為800 mVpp,一個LSB為195 μV??紤]到LatcH的比較速度與輸入信號的關系,預放大級的增益設計為20 dB。在實際工作時,比較器的工作速度很快,因此預放大級需要有足夠的帶寬。本設計中預放大級的-3 dB帶寬為1.8 GHz。

        4 SAR邏輯控制電路的設計

        采用同步結構的SAR邏輯需要額外的控制時鐘。對于一個N位同步SAR ADC而言,量化過程需要N個時鐘周期,采樣過程需要一個到多個時鐘周期,假設為一個時鐘周期,則ADC的采樣率為外部時鐘頻率的1/(N+1),由于采樣時鐘必須要保證精度且由外部時鐘分頻得到[6-7],因此在同步設計里首先要保證(N+1)信于采樣率的外部時鐘的精度,不但相當困難,而且十分不經(jīng)濟。

        因此本設計采用異步時序控制的SAR邏輯。SAR邏輯控制電路由13個鎖存單元及對應的DAC開關控制信號產(chǎn)生電路組成,如圖4所示,本設計共有13個鎖存單元。

        VIN和VIP接收比較器的輸出,ENS接收來自前一級的使能信號,CLK為鎖存單元的控制時鐘,控制內(nèi)部的鎖存器,RST為復位信號,鎖存單元對比較器的結果進行鎖存后,經(jīng)過邏輯電路產(chǎn)生VOUTP和VOUTN作為DAC開關的控制信號,來控制電容下極板的切換。其工作流程為,當比較器產(chǎn)生比較結果后,將比較結果輸出到SAR單元,同時將比較結果通過與非門來產(chǎn)生鎖存單元的控制時鐘,控制鎖存單元對比較器的輸出結果進行鎖存,鎖存完成后隨即產(chǎn)生一個使能信號,開啟下一級鎖存單元,等待下一次比較器的結果。當最后一級鎖存單元鎖存比較器結果后,產(chǎn)生的READY信號作為最終量化數(shù)據(jù)并行輸出的控制信號,并用于產(chǎn)生SAR邏輯控制電路的復位信號,同時將DAC的電容上極板接到VCM,等待下一個采樣周期的到來。

        5 SAR ADC仿真結果

        在采樣頻率Fs=160 MHz時,在不同輸入信號頻率下對SAR ADC進行仿真。輸入信號為差分的正弦波,差分擺幅為800 mVpp,參考電壓Vreft=800 mV,Vrefb=400 mV。通過Matlab對ADC的輸出數(shù)據(jù)進行FFT處理后,得到SAR ADC在不同輸入信號頻率下的動態(tài)性能如表1所示。

        SAR ADC在不同輸入信號頻率時的性能仿真結果統(tǒng)計如表1所示。

        由仿真結果可以看出,本ADC的設計實現(xiàn)在160MHz的采樣頻率下能夠完成13次量化,并保證了12位的量化精度。

        6 結論

        本設計采用了非二進制冗余DAC技術來緩解ADC對建立時間和精度的要求;采用帶有預放大級的高速比較器來提高比較器的精度,并減小后級LatcH的回踢噪聲:SAR邏輯控制電路采用基于鎖存器的鎖存單元來提高SAR的速度,并且采用了異步時序控制,不需要外部時鐘,有利于提高SAR ADC的速度,并降低了設計的復雜度。

        經(jīng)過仿真驗證,本文設計的SAR ADC在160 MHz的采樣頻率下,在不同輸入信號頻率下均可以實現(xiàn)12 bit白勺量化精度,SFDR均在83 dB以上。

        參考文獻:

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        [3]杜翎基于非二進制量化算法的逐次逼近模數(shù)轉換器的設計[D]電子科技大學,2016

        [4]王偉分辨率可配置型高速SARADC的研究與設計[D]電子科技大學,2016

        [5]c. C. Liu, C. H Kuo,Y ZLin. A 10 bit 320MS/s low-cost SAR ADC for IEEE 802.llacapplications in 20 nm CMOS[Jl. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2015, 50(11): 2645-2654

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        [7]Y. Zhu,C H Chan,S W. Sin, et al.. A 34 f J lOb 500 MS/s partiaHnterleaving pipelined SARADC[C]. Symposium on VLSI Circuits, Honolulu, 2012, 90-91

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