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        不同保溫時(shí)間對SiC復(fù)合陶瓷結(jié)構(gòu)與形貌的影響

        2018-09-10 03:26:45鹿桂花周恒為李志鵬朱強(qiáng)
        現(xiàn)代鹽化工 2018年4期

        鹿桂花 周恒為 李志鵬 朱強(qiáng)

        摘 要:本文采用無壓液相燒結(jié)工藝,以Al2O3-MgO-Y2O3體系為燒結(jié)助劑,燒結(jié)溫度為1900℃,保溫時(shí)間分別為1h,1.5 h和2h,制備SiC復(fù)合陶瓷,利用XRD和SEM方法研究了SiC陶瓷的物相組成和顯微組織形貌。結(jié)果表明:保溫2h時(shí),SiC陶瓷主晶相為6H-SiC,且是單相SiC;陶瓷體表面光滑,致密性良好,密度為2.959 g/cm3,所以2h為最佳保溫時(shí)間。

        關(guān)鍵詞:碳化硅陶瓷;保溫時(shí)間;無壓液相燒結(jié);物相組成;顯微組織形貌

        碳化硅因具有高硬度、耐磨損、高強(qiáng)度等力學(xué)性質(zhì)、耐高溫、低熱膨脹系數(shù)、高熱導(dǎo)率及抗熱震性等熱學(xué)性質(zhì)以及化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等優(yōu)良性質(zhì)[1-2],在國防、機(jī)械、化工、電子、冶金等方面有著非常廣泛的應(yīng)用。但是,由于SiC是強(qiáng)共價(jià)鍵化合物,其共價(jià)鍵成分高達(dá)88%,自擴(kuò)散系數(shù)非常小,即使采用很高溫度和較高壓力都不能使其致密化[3-4]。

        早期的添加少量硼和碳燒結(jié)助劑屬于固相燒結(jié)的范疇,燒結(jié)溫度高,基本在2000℃以上,引入氧化物等燒結(jié)助劑后,在陶瓷材料的燒結(jié)過程中產(chǎn)生多元低共熔物,從而可以在較低的溫度下采用無壓燒結(jié)方式實(shí)現(xiàn)液相燒結(jié),完成陶瓷的致密化,還可以使陶瓷材料的抗彎強(qiáng)度、斷裂韌性等力學(xué)性能明顯提高,同時(shí)降低了制備成本。近年來,國內(nèi)外研究者在碳化硅陶瓷的液相燒結(jié)工藝上取得較大進(jìn)展[4-15]。

        趙珍[16]在制備碳化硅陶瓷的研究中提出在溫度和壓力一定的條件下,隨著保溫時(shí)間的延長,碳化硅的密度、硬度、斷裂韌度和彎曲強(qiáng)度逐漸提高.劉銀波[17]在碳化硅陶瓷的固相燒結(jié)與研磨介質(zhì)球的制備中提出,適當(dāng)延長保溫時(shí)間能確保顆粒間的擴(kuò)散傳質(zhì)順利完成,因而能有效地提高陶瓷材料的致密度。本實(shí)驗(yàn)研究不同保溫時(shí)間對SiC復(fù)合陶瓷材料結(jié)構(gòu)與形貌的影響,以期為碳化硅陶瓷燒結(jié)工藝的進(jìn)一步優(yōu)化提供有益參考。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1樣品制備[18]

        將經(jīng)過熱處理后的碳化硅粉體(質(zhì)量分?jǐn)?shù)≥99.9%)與燒結(jié)助劑按質(zhì)量比9:l配置;燒結(jié)助劑A12O3(質(zhì)量分?jǐn)?shù)≥99.9%),Mg0(質(zhì)量分?jǐn)?shù)≥99.9%)和Y2O3(質(zhì)量分?jǐn)?shù)≥99.9%)按質(zhì)量比2:4:4稱料,以無水乙醇作為研磨介質(zhì),球料質(zhì)量比為1:l,在南京大學(xué)儀器廠生產(chǎn)的QM-3SP2-CL型行星式球磨機(jī)上球磨24 h;濕混后的漿料靜置1 d使其充分混合;將漿料置于重慶市永生實(shí)驗(yàn)儀器廠生產(chǎn)的CS101型電熱鼓風(fēng)干燥箱中于80℃,烘干400 min,加入黏結(jié)劑經(jīng)過200目篩處理后得到黏結(jié)性、可塑性良好的粉體;采用湘潭市中山儀器廠生產(chǎn)的SBY-10型手動(dòng)壓片機(jī)在20 MPa下等壓30 min,將原料壓制成φ=13 mmX (1-2) mm的生坯圓片,置于氧化鋁坩堝中,在箱式電阻爐中,由室溫加熱至120℃,恒溫1h,繼續(xù)加溫至500℃,恒溫8h,對生坯進(jìn)行排塑處理;將生坯置于石墨坩堝中后放入天舟海泰科技有限公司生產(chǎn)的TECHTAL-CQ24-80型真空碳管燒結(jié)爐中,于流動(dòng)的氬氣氣氛下進(jìn)行無壓燒結(jié),按10℃/min的速率升溫至l400℃,再以5℃/min升溫至1450℃,恒溫30 min后以5℃/min的速率升溫至1900℃,分別恒溫1h、1.5 h、2h后隨爐自然降溫至室溫。

        1.2性能測試

        碳灰硅復(fù)合陶瓷樣品性能內(nèi)容測試如表1所示。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 SiC復(fù)合陶瓷樣品的XRD分析

        圖l為所制備系列SiC+ (Al2O3-MgO-Y2O3)夏合陶瓷的XRD圖譜。從下至上分別為純SiC和保溫時(shí)間分別為1h、1.5 h、2h的陶瓷樣品,其主晶相均為6H-SiC,各衍射峰清晰明銳,結(jié)晶度較高;通過檢索分析,在2θ角大約為45.026°處,3個(gè)樣品均出現(xiàn)SiO2衍射峰,其中,保溫時(shí)間為1.5 h陶瓷樣品的SiO2衍射峰較明顯;3個(gè)樣品在2θ角大約為33.360°處均出現(xiàn)Y3Al5O12衍射峰,這說明在燒結(jié)過程中Y2O3與Al2O3發(fā)生反應(yīng)生成了Y3Al5O12;保溫時(shí)間為1h,1.5 h的樣品分別在2θ角大約為26.690°,28.795°處出現(xiàn)SiO2衍射峰。

        2.2 SiC復(fù)合陶瓷樣品的致密性

        將不同燒結(jié)方法燒成的SiC+ (Al2O3-MgO-Y2O3)復(fù)合陶瓷樣品通過阿基米德排水法獲得體密度和顯氣孔率,結(jié)果表明,保溫時(shí)間1h、1.5 h和2h碳化硅復(fù)合陶瓷樣品的體密度分別為2.48 g/cm3,2.59 g/cm3和2.32 g/cm3,氣孔率分別為27.67%、20.92%和34.62%。體密度隨著保溫時(shí)間的延長先增加后減小,顯氣孔率則呈相反趨勢。

        為了降低樣品的燒失率,均采用粉體埋燒處理。通過對系列樣品燒結(jié)前后的質(zhì)量與密度比較,發(fā)現(xiàn)在燒結(jié)過程中均存在著一定的質(zhì)量流失。保溫時(shí)間1h、1.5 h和2h碳化硅復(fù)合陶瓷樣品的質(zhì)量損失分別為0.162 6g、0.150 9g和0.132 4g。隨著保溫時(shí)間的增加,質(zhì)量損失不斷降低,密度則呈先減小后增大的趨勢。質(zhì)量損失產(chǎn)生的原因可能是由于燒結(jié)溫度過高,燒結(jié)助劑在燒結(jié)過程中揮發(fā)。

        2.3 SiC復(fù)合陶瓷樣品的微觀形貌分析

        圖2為燒結(jié)溫度為l900℃,保溫時(shí)間從1h增加到2h,燒結(jié)成的碳化硅陶瓷樣品在3000倍時(shí)的SEM掃描圖片,其中a,b,c分別代表1h、1.5 h、2h。保溫時(shí)間為1h時(shí),晶粒尺寸大小不一,且分布不均勻,存在著孔洞。保溫時(shí)間為1.5 h時(shí),材料的晶粒表面較光滑無棱角,孔洞較多,致密性較差。保溫時(shí)間為2h時(shí),材料的晶粒為長條狀,棱角分明,晶粒尺寸明顯增大,孔隙較少,致密性良好。

        2.4 SiC復(fù)合陶瓷樣品的熱膨脹系數(shù)的檢測與分析

        保溫時(shí)間1h,1.5 h和2 h碳化硅復(fù)合陶瓷樣品在-100~150℃溫度范圍內(nèi)的平均熱膨脹系數(shù)分別為3.65 X 10-6 K-l,2.48 X10-6 Kl和2.89X10-6 Kl,隨保溫的增加并未呈現(xiàn)線性減小的趨勢。

        3 結(jié)語

        本實(shí)驗(yàn)以Al2O3-MgO-Y2O3為燒結(jié)助劑,采用無壓液相燒結(jié)工藝,在氬氣保護(hù)下,分別在不同保溫時(shí)間制備了SiC復(fù)合陶瓷。結(jié)果表明:保溫2h時(shí),SiC陶瓷主晶相為6H-SiC,且是單相SiC;它的表面光滑,致密性良好,密度較大,所以比較3種保溫時(shí)間,保溫2h為較佳保溫時(shí)間。

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