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        單相智能電能表外置繼電器電路的設(shè)計與應(yīng)用

        2018-08-27 10:24:06牟向陽
        機電信息 2018年24期
        關(guān)鍵詞:上拉可控硅外置

        于 泳 牟向陽

        (中電裝備山東電子有限公司,山東濟(jì)南250109)

        0 引言

        國家電網(wǎng)單相智能電能表對小于60 A的用戶進(jìn)行遠(yuǎn)程拉合閘操作是依靠智能電能表內(nèi)置的負(fù)荷開關(guān),如果負(fù)荷電流大于60 A,為了進(jìn)行遠(yuǎn)程控制,需要智能電能表外置負(fù)荷開關(guān)。為簡化電路,降低成本,滿足使用要求,通過應(yīng)用光耦可控硅對外置負(fù)荷開關(guān)進(jìn)行控制。

        1 設(shè)計方案

        根據(jù)國家電網(wǎng)計量中心全性能試驗檢測公告4號補疑:按照智能電能表遠(yuǎn)程費控執(zhí)行流程,結(jié)合現(xiàn)場使用情況,提出基于220 V AC電壓的手動合閘和自動合閘的控制和反饋方案。對于繼電器外置單相電能表,電能表硬件調(diào)整如圖1所示,外置負(fù)荷開關(guān)輸出控制信號C接輔助端子5,跳合閘輸入反饋信號R接輔助端子6,這兩個信號端子均以供電線路的零線(N)作為信號參考點。為防止人體觸電,要求采用220 V AC串聯(lián)100 kΩ的方式進(jìn)行控制和反饋。

        圖1 輔助端子接線圖

        2 工作原理

        該電路主要由三極管控制光耦可控硅的通斷。以輸入的控制信號R_OFF來實現(xiàn)光耦可控硅的通、斷,控制信號高電平4.6~4.8 V,低電平0~0.5 V。當(dāng)輸入信號R_OFF=0時,Q5無驅(qū)動信號而截止,VCC提供給光耦可控硅需要的驅(qū)動電流使其導(dǎo)通;當(dāng)輸入信號R_OFF=1時,Q5獲得驅(qū)動信號導(dǎo)通,光耦可控硅兩端電壓被拉低,光耦可控硅處于斷開狀態(tài)。電路如圖2所示。

        圖2 光耦可控硅控制電路

        3 主要元器件選型及參數(shù)計算

        由于各個電力公司要求電能表上電時,應(yīng)在500 ms(重慶要求20 ms)內(nèi)輸出允許跳閘信號,確保外置負(fù)荷開關(guān)不動作,當(dāng)電能表滿足控制條件時,需輸出跳閘信號驅(qū)動外置負(fù)荷開關(guān)動作。從圖3中可以看出當(dāng)電壓升到5 V時,光耦可控硅動作,上電延遲時間為12.6 ms(無法判斷上電時間點),如果上電點是正弦波的下降沿,最多會增加5 ms的上升時間,上電最長延遲時間為17.6 ms,壓降為1.8 V,能滿足要求。

        圖3 電能表上電延時波形

        光耦可控硅驅(qū)動電流為5 mA,正向壓降受溫度影響極限值為1.5 V,典型值是1.2 V,可控硅后端的漏電流最大為1 000 nA(在高溫情況下),考慮上拉電阻1%精度、100ppm溫度系數(shù)的影響,則最大上拉電阻為:

        由于光耦可控硅能承受的最大驅(qū)動電流為20 mA,則最小上拉電阻為:

        考慮到光耦可控硅10年衰減率為10%,則此時的最大上拉電阻為:

        在這里則最小上拉電阻為:

        由于10年衰減率才達(dá)到10%,年衰減率非常小,綜合整機功耗等多方面,選擇680 Ω,功耗為:

        功耗在我們可接受的范圍內(nèi),我們選擇1/10 W的0603封裝,1%精度貼片電阻。680 Ω的貼片電阻受溫度和精度影響,變化范圍為668.8~691.3 Ω。可算出:

        控制信號R_OFF的電壓為4.7 V,由圖4可以算出三極管最小放大倍數(shù):

        限流電阻最大值為:

        綜合考慮各項因素選擇常用的20 kΩ,功耗為:

        圖4 三極管放大倍數(shù)曲線圖

        考慮到輸出端極端條件的兩種狀態(tài)是接到380 V電壓上和短路,從光耦可控硅技術(shù)手冊上得知輸出端在關(guān)閉狀態(tài)下能承受的最大電壓為600 V(峰峰值),有效值為424.3 V,輸出端在導(dǎo)通狀態(tài)下的壓降是1.8~3 V。當(dāng)光耦可控硅在關(guān)閉的情況下,這兩種狀態(tài)光耦可控硅不受損壞。當(dāng)光耦可控硅在導(dǎo)通的情況下,當(dāng)接到380 V電壓上,光耦可控硅兩端是等電勢;當(dāng)短路時,光耦可控硅兩端的最大壓差是380 V,由于后端是由3個1206-33 kΩ/0.25 W±5%±100ppm貼片電阻串聯(lián),貼片電阻超負(fù)荷工作電壓1206封裝為400 V,最大長時間工作電壓為200 V,根據(jù)電能表的可靠性要求,1206封裝的電阻分壓為100 V(按降額50%),能滿足設(shè)計要求。

        4 結(jié)語

        外置繼電器設(shè)計是智能電能表遠(yuǎn)程費控能夠正確執(zhí)行的根本保證,直接影響智能電能表的可靠性和穩(wěn)定性。本文針對國網(wǎng)計量中心的要求,對外置繼電器的原理進(jìn)行分析與設(shè)計,提供了一種簡單有效的解決方案。經(jīng)批量運行驗證,能夠?qū)崿F(xiàn)220 V AC電壓的手動合閘和自動合閘的控制和反饋,安全可靠。

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