刻蝕設(shè)備市場空間巨大。據(jù)Factor Equilibrium數(shù)據(jù)，2016年全球刻蝕設(shè)備市場為78億美元；2017年～2025年市場銷售額復(fù)合增長率為6.8%。受益建廠潮，國內(nèi)產(chǎn)線建設(shè)拉動20億美元刻蝕設(shè)備需求。國產(chǎn)刻蝕設(shè)備占有率不到20%，國產(chǎn)化率極低。制程不斷推進(jìn)及設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜是推動刻蝕設(shè)備市場的核心邏輯。新的制造工藝，如多重圖形、基于金屬硬掩模的雙大馬士革工藝、淺溝道刻蝕、高深寬比和高選擇比刻蝕等技術(shù)不斷對刻蝕設(shè)備提出挑戰(zhàn)。結(jié)構(gòu)上，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器和Logic/Foundry小型化、3D NAND堆疊層數(shù)不斷增多、鰭式場效應(yīng)晶體管成為主流等結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，使得刻蝕難度和刻蝕步驟不斷增加，拉動刻蝕設(shè)備需求和發(fā)展。

干法刻蝕是市場主流，硅刻蝕難度最大，反應(yīng)離子刻蝕是目前業(yè)界重點(diǎn)發(fā)展方向，原子層刻蝕是未來之星。硅刻蝕作為晶體管層刻蝕，刻蝕選擇比達(dá)到150：1，14納米下深寬比達(dá)到約30：1，難度最大。

海外公司稱霸市場，“內(nèi)部研發(fā)+外延并購”打造具有技術(shù)優(yōu)勢的平臺型企業(yè)，解決方案逐步升級。泛林和應(yīng)用材料在全球刻蝕領(lǐng)域市場份額位列第一名和第三名。國內(nèi)刻蝕公司服務(wù)優(yōu)勢明顯，技術(shù)緊跟步伐，有望實(shí)現(xiàn)彎道超車。國內(nèi)公司具有地理優(yōu)勢，服務(wù)響應(yīng)快速。北方華創(chuàng)主攻硅刻蝕和金屬刻蝕，14納米制程已進(jìn)入驗(yàn)證階段；8英寸高密度等離子硅刻蝕機(jī)已進(jìn)入中芯國際產(chǎn)線；深硅刻蝕機(jī)成功挺進(jìn)東南亞市場。中微半導(dǎo)體深耕介質(zhì)刻蝕設(shè)備，7納米制程已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并成功進(jìn)入臺積電產(chǎn)線；5納米制程正在研發(fā)；電容型介質(zhì)刻蝕設(shè)備已進(jìn)入全球前三；硅通孔刻蝕設(shè)備方面，8英寸和12英寸設(shè)備國內(nèi)市占率超過50%。

（國泰君安）