唐中華

（南京三樂集團(tuán)有限公司，南京 210000）

0 引言

反應(yīng)等離子體在材料制備工藝尤其在刻蝕和沉積方面[1-4]得到廣泛應(yīng)用。電子密度是等離子體信息的基礎(chǔ)元素，原子的激發(fā)、等離子體中物質(zhì)種類的產(chǎn)生速率都與電子密度有關(guān)，同時(shí)刻蝕速率、沉積速率也都與電子密度緊密聯(lián)系，對(duì)電子密度的診斷是了解和控制反應(yīng)等離子體的一個(gè)重要問題。三氟化氮（NF3）作為一種新型的刻蝕氣體[5]，具有很高的刻蝕速率[6]，有望成為一種干氣體刻蝕劑的特殊氣體，但是NF3可利用的數(shù)據(jù)[7-8]和處理方面的經(jīng)驗(yàn)比較少，對(duì)NF3等離子體電子密度的研究也成為不可或缺的方面。

目前，對(duì)電子密度測量有許多診斷方法，如朗繆爾探針[9]、微波干涉法[10-11]、等離子吸收探針[12-14]、微波共振探針[15-17]。目前，運(yùn)用最為廣泛的是朗繆爾靜電探針，但是傳統(tǒng)的探針普遍用于電正性等離子體電子密度的測量，在電負(fù)性等離子體以及沉積、刻蝕等離子體工藝應(yīng)用中，探針的電阻特性會(huì)受到嚴(yán)重干擾，以至于增加了I-V特性曲線的分析難度，難以得到準(zhǔn)確的電子密度測量，因而難以反應(yīng)等離子體內(nèi)部的真實(shí)特性。為了能準(zhǔn)確測量電負(fù)性等離子體中的電子密度，研究者開發(fā)了基于網(wǎng)絡(luò)分析儀的微波共振探針技術(shù)。微波共振探針在測量等離子體電子密度過程中，所得數(shù)據(jù)的變化主要依賴于等離子體內(nèi)部參數(shù)的改變導(dǎo)致探針之間介質(zhì)介電常數(shù)的變化，其他因素幾乎不影響微波探針的診斷，因此微波共振探針的診斷方法在電負(fù)性等離子體的測量中能夠有效利用?？紤]到NF3等離子體的電負(fù)性，決定采用微波共振探針對(duì)NF3等離子體中電子密度進(jìn)行測量，研究容性耦合放電中上下電極功率變化對(duì)其電子密度的影響。

微波共振探針經(jīng)歷了從有到無、簡單到成熟的過程。1976年，Stenzel[15]首次提出微波共振探針，并以此測量低氣壓下等離子體電子密度，這實(shí)質(zhì)上是1根一端開口另一端相連、1/4波長的傳導(dǎo)線，其共振頻率與周圍介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)有關(guān)；Piejak等[16-17]在Stenzel的基礎(chǔ)上改善了探針結(jié)構(gòu)，提高了信噪比，同時(shí)使用流體模型首次提出對(duì)探針進(jìn)行鞘層修正，次年又運(yùn)用發(fā)夾探針對(duì)射頻等離子體進(jìn)行測量；Haas等[18]也對(duì)發(fā)夾探針的電子和離子鞘層影響進(jìn)行了研究；Karkari等[19]使用懸浮發(fā)夾共振探針直接測量雙頻容性等離子體的空間電子密度；鄒帥等[20]和唐中華等[21]使用懸浮微波共振探針與雙探針測量相比較，證實(shí)了微波共振探針在電負(fù)性氣體中測量低電子密度的準(zhǔn)確性和可實(shí)施性；Sands等[22]所在的研究小組分別對(duì)高氣壓等離子體密度的診斷做理論與實(shí)驗(yàn)的系統(tǒng)研究[23-24]；Liang等[25]使用螺旋型微波共振探針解決了傳統(tǒng)探針無法測量高頻等離子體密度的問題。

三氟化氮（NF3）作為一種新型的刻蝕氣體[5]，具有很高的刻蝕速率，在刻蝕過程中電負(fù)性等離子體的電子密度、活性基團(tuán)的比例、離子轟擊能量是多晶硅表面干法制絨的重要因素。等離子體中的電子輸運(yùn)到鞘層邊界，在射頻場中獲取能量并反彈進(jìn)入等離子體后，與背景氣體分子發(fā)生振動(dòng)與轉(zhuǎn)動(dòng)激發(fā)、電離以及吸附分解等一系列碰撞反應(yīng)，這些化學(xué)反應(yīng)機(jī)制深刻的影響著等離子體中的電子密度，因此電子密度的測量有助于理解等離子體中電負(fù)性氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。基于網(wǎng)絡(luò)分析儀采用懸浮微波共振探針，測量40.68 MHz激發(fā)的容性耦合NF3等離子體的電子密度，并考慮鞘層進(jìn)行修正，詳細(xì)測量了上下電極輸入功率的參數(shù)變化對(duì)等離子體電子密度的影響。

1 微波發(fā)夾探針測量原理

圖1為傳統(tǒng)發(fā)夾探針的簡易圖，（a）為發(fā)夾探針；（b）為探針側(cè)面圖，傳統(tǒng)微波共振探針是1根一端開路，一端短路的1/4波長的傳導(dǎo)線（l為探針長度），微波從z=-l處入射，在z=0處發(fā)射，電子密度ne可以通過fr和f0簡單的表示[7]：

式中：ne為電子密度的，1010cm-3；fr、f0分別為探針在等離子體與真空中的振動(dòng)頻率，GHz。

在低電子密度情況下（如電子密度ne=109cm-3，電子溫度Te=2 eV），鞘層厚度達(dá)到毫米量級(jí)，此時(shí)鞘層在探針之間的介質(zhì)中占有重要作用，嚴(yán)重影響了介電常數(shù)的數(shù)值大小，因此在這種情況下，就有必要考慮到鞘層影響的存在。懸浮探針的設(shè)計(jì)使得探針處于懸浮狀態(tài)，其電勢也將隨等離子體變化，通過鞘層的射頻電勢也可以忽略不計(jì)，因此可以使用一般的鞘層修正就可以得到更準(zhǔn)確的等離子體密度?？紤]到鞘層存在的影響，等離子體密度可以修正為：

圖1 傳統(tǒng)發(fā)夾探針的簡易圖Fig.1 Traditional hairpin probe simple drawing

2 實(shí)驗(yàn)裝置

2.1 容性耦合等離子體反應(yīng)裝置及光譜儀

實(shí)驗(yàn)中使用的容性耦合等離子體反應(yīng)裝置如圖2所示。反應(yīng)腔器的內(nèi)徑為350 mm，內(nèi)部裝有兩個(gè)平行板電極，上電極直徑為220 mm，下電極直徑為200 mm，上、下電極板通有水冷循環(huán)。施加的射頻電源由1個(gè)信號(hào)源和1個(gè)功率放大器組成，通過1個(gè)阻抗匹配器連接到上、下電極，信號(hào)源可輸出2～40.68 MHz的射頻信號(hào)。匹配網(wǎng)絡(luò)呈‘L’型，包括兩個(gè)可調(diào)電容和1個(gè)固定電感。所有的射頻傳輸線都采用鍍銀的同軸電纜并盡可能短，這樣可以減少射頻功率在傳輸過程中的損耗。

實(shí)驗(yàn)中兩電極板之間的距離固定為30 cm，上極板輸入主電源頻率為40.68 MHz的射頻功率，下電極通常接2/13.56 MHz的射頻電源作為次電源或者接地（未特別說明時(shí)通常與實(shí)驗(yàn)室地線相連），使用氣體為純NF3，通過流量計(jì)輸入到真空室中。腔室的抽氣系統(tǒng)由分子泵和機(jī)械泵聯(lián)合組成，本底真空為5×10-3Pa。

圖2 容性耦合等離子體（CCP）反應(yīng)裝置示意圖Fig.2 Schematic diagram of capacitively coupled plasma equipment

實(shí)驗(yàn)采用安捷倫公司生產(chǎn)的N5230A型矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，掃描頻率范圍為300 kHz～20 GHz。

2.2 懸浮微波共振探針

圖3為采用的懸浮微波共振探針的幾何結(jié)構(gòu)示意圖。工作原理是：微波信號(hào)源驅(qū)動(dòng)小幅度的交流電，從U型探針底部處附近的小直徑的激發(fā)小環(huán)處流過，相關(guān)的交變磁場耦合能進(jìn)入發(fā)夾探針中；在發(fā)夾開口處共振時(shí)，探針的電磁場就大幅度增加，發(fā)夾探針上會(huì)有駐波產(chǎn)生，此時(shí)在開口處的電壓、電流達(dá)到最大值（最小值），而探針底部短路處的電壓、電流達(dá)到最小值（最大值），在這樣的共振環(huán)境下，發(fā)夾向周圍環(huán)境微弱地傳播能量；沒有共振時(shí)，幾乎從源頭入射的所有能量都被反射回去；通過觀測發(fā)夾探針的共振頻率的偏移即可計(jì)算出等離子體中大致的電子密度。主傳輸線采用的是阻抗值為50 Ω的RG223型同軸電纜線，直徑為1 mm傳輸芯線彎曲成兩匝中心半徑為1.75 mm的感應(yīng)線圈。U型發(fā)夾探針采用直徑為0.15 mm的鍍銀鎢絲制作而成，間距為5 mm，長度為33 mm左右，通過AB環(huán)氧樹脂膠密封在同軸電纜線的聚四氟乙烯絕緣層末端，U型探針平面離開感應(yīng)線圈一端平面約1 mm左右，以保證合適的感應(yīng)電位，從而在測量S11參量信號(hào)時(shí)能得到較高的信噪比。

圖3 微波共振探針幾何結(jié)構(gòu)示意圖Fig.3 Schematic diagram of the microwave resonator probe

3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及討論

3.1 Ar等離子體中微波共振探針與雙探針的測量結(jié)果對(duì)比驗(yàn)證

微波共振探針在測量等離子體電子密度過程中，所得數(shù)據(jù)的變化主要依賴于等離子體內(nèi)部參數(shù)的改變導(dǎo)致探針之間介質(zhì)介電常數(shù)的變化，其他因素幾乎不影響微波探針的診斷，為了驗(yàn)證在等離子體電子密度測量中微波共振探針測量結(jié)果的準(zhǔn)確性，在Ar等離子體的同一放電環(huán)境下分別使用微波共振探針和朗繆爾雙探針進(jìn)行電子密度的測量，并將兩者的測量結(jié)果進(jìn)行比較。

實(shí)驗(yàn)中容性耦合Ar等離子體使用40.68 MHz射頻源激發(fā)，射頻輸入功率為100 W，固定氣壓2.0 Pa，結(jié)果如圖4所示，（a）兩個(gè)峰分別為微波共振探針（HP）在真空和Ar等離子體中的共振吸收信號(hào)；（b）為微波共振探針（HP）和雙探針（DP）測得的電子密度對(duì)比圖。

圖4 Ar等離子體中微波共振探針與雙探針的測量結(jié)果對(duì)比驗(yàn)證圖Fig.4 The measurement results of microwave resonance probe and double probe inAr plasma are compared

從圖4（a）中可以看出相對(duì)于真空中的共振峰，等離子體中的共振峰有一定的偏移，根據(jù)共振峰的偏移通過公式可以粗略計(jì)算出等離子體電子密度，考慮到等離子體中共振探針表面鞘層的存在，需要等離子體密度的計(jì)算結(jié)果進(jìn)行修正，使用式（2）進(jìn)行修正后可得到較為精確的電子密度。圖4（b）可以看出等離子體電子密度較低時(shí)，微波共振探針和雙探針兩者的測量結(jié)果基本一致，電子密度比較高時(shí)顯示出略有差異（兩者最大差距也僅僅21%）。因此認(rèn)為電子密度較低時(shí)，微波共振探針技術(shù)可以是一種可靠的等離子體電子密度測量手段。

3.2 改變下電極功率

實(shí)驗(yàn)中向真空腔室通入純NF3氣體，通過質(zhì)量流量計(jì)固定NF3氣體流量60 mL/min，通過調(diào)節(jié)圖2中抽氣泵閥門使放電氣壓分別為1 Pa和5 Pa，上電極連接40.68 MHz的射頻電源、保持上電極功率150 W不變，下電極連接2 MHz或者13.56 MHz的低頻射頻源，調(diào)節(jié)下電極功率使之逐步提高，利用懸浮微波共振探針測得不同下電極功率時(shí)的電子密度。

考慮到鞘層對(duì)電子密度的影響，對(duì)共振探針直接測得的電子密度進(jìn)行修正。純NF3氣體放電時(shí)，在電子碰撞作用下NF3能分解成NFx形勢的子產(chǎn)物，并且這些子產(chǎn)物會(huì)發(fā)生重組反應(yīng)[6]：

式（3）、式（4）這些反應(yīng)直接導(dǎo)致N2的大量生成。因此可以認(rèn)為，在純NF3放電形成的等離子體中主要的陽離子是由此認(rèn)為進(jìn)入到鞘層中的平均離子質(zhì)量通過分別對(duì)下電極2 MHz和13.56 MHz時(shí)利用微波共振探針測得的電子密度進(jìn)行修正，修正后的電子密度大約為修正前的2.5倍，修正后結(jié)果如圖5所示?？梢钥闯?，下電極連接2 MHz或者13.56 MHz的低頻射頻源，當(dāng)下電極功率增加時(shí)，電子密度都雖略有升高，但是變化幅度都很微??；相比于兩個(gè)不同氣壓，相同條件時(shí)高氣壓的電子密度小于低氣壓的電子密度。

根據(jù)圖5的數(shù)據(jù)計(jì)算出，下電極連接2 MHz射頻源時(shí)電子密度變化率分別為681.6 m-3·W-1（1 Pa）、428.4 m-3·W-1（5 Pa），下電極連接13.56 MHz射頻源時(shí)電子密度變化率分別為 90.6 m-3·W-1（1 Pa）、321.3 m-3·W-1（5 Pa），電子密度的變化率更直觀地表明，NF3容性耦合等離子體電子密度受到下電極低頻射頻源功率的影響微小。認(rèn)為這是由于增加下電極的功率，提高了等離子體中離子轟擊極板的通量和能量，使得生成的二次電子增多，而一部分二次電子又參與了源氣體的分解和激發(fā)，因此電子密度的增加很微小，下電極功率的增加對(duì)電子密度的貢獻(xiàn)很小。同時(shí)在圖5（a）、（b）對(duì)比也可以看出，下電極輸入相同功率時(shí)，下電極連接2 MHz與13.56 MHz射頻源所對(duì)應(yīng)的電子密度是相近的，這說明下電極低頻射頻源的頻率對(duì)電子密度沒有實(shí)質(zhì)性影響。

圖5 在上電極40.68 MHz功率源驅(qū)動(dòng)的下電極不同放電功率時(shí)NF3等離子體的電子密度曲線Fig.5 The electron density of NF3plasma at different discharge power at the bottom electrode driven by 40.68 MHz power source

從總體而言，當(dāng)下電極連接低頻射頻源時(shí)，下電極輸入功率的變化或者下電極低頻射頻源的頻率變化對(duì)NF3容性耦合等離子體密度影響不大。

3.3 改變上電極功率

向真空腔室中通入純的NF3氣體，上電極連接40.68 MHz的高頻射頻源，射頻源驅(qū)動(dòng)功率為50～210 W逐漸改變，下電極接地。利用微波共振探針測出1 Pa和5 Pa時(shí)不同驅(qū)動(dòng)功率下等離子體的電子密度，并使用式（2）修正方法對(duì)電子密度進(jìn)行鞘層修正，修正后的結(jié)果大約為修正前的5倍，修正后的結(jié)果如圖6所示?？梢钥闯?，隨著上電極驅(qū)動(dòng)功率的增加，在1 Pa和5 Pa環(huán)境下電子密度都有明顯升高。兩個(gè)不同氣壓相比，相同條件時(shí)高氣壓的電子密度小于低氣壓的電子密度，這一點(diǎn)也與圖5相吻合。這是因?yàn)殡S著氣壓增大，電子的平均自由程也隨之減少（λen=4.40/p）[26]，在一個(gè)自由程內(nèi)電子從電磁場中獲得的能量降低，同時(shí)氣壓的升高使得電子與中性粒子的碰撞幾率大幅增加，電子與周圍粒子頻繁的碰撞使電子不斷地產(chǎn)生能量損失和能量交換，也就無法獲得足夠的能量來離化源氣體分子，氣體分子被分解電離的有效碰撞減少，因此隨著氣壓的增大電子密度會(huì)逐漸減小

圖6 上電極功率變化對(duì)NF3等離子體電子密度的影響曲線Fig.6 the influence of the top electrode power change on the electron density of NF3plasma

根據(jù)圖6數(shù)據(jù)可計(jì)算出，隨著上電極高頻射頻源功率的升高，電子密度變化率分別為1 616.25 m-3·W-1（1 Pa）、1 137.875 m-3·W-1（5 Pa），可以說無論高氣壓還是低氣壓，上電極功率的變化對(duì)NF3等離子體電子密度的影響比較大。這是因?yàn)樯漕l源輸入功率的增加使得電子在一個(gè)自由程內(nèi)獲得的能量增加，提高了電子與中性粒子碰撞時(shí)中性粒子的激發(fā)機(jī)率和分解機(jī)率。因此隨著上電極功率的增加，等離子體中電子密度不斷升高，上電極功率對(duì)NF3容性耦合等離子體有較大的影響。

圖6的結(jié)果顯示，在NF3容性耦合等離子體中，上電極輸入（主功率電源）功率增加時(shí)，NF3容性耦合等離子體的電子密度有明顯提高。結(jié)合圖5和圖6相同條件下兩種氣壓時(shí)的電子密度可以看出，NF3等離子體的電子密度相同條件時(shí)高氣壓的電子密度小于低氣壓的電子密度。

4 結(jié)論

通過改變下電極次功率電源的輸入功率和頻率、上電極主功率電源的輸入功率時(shí)，利用微波共振探針分別測量NF3容性耦合等離子體在氣壓為1 Pa和5 Pa時(shí)的電子密度。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：

（1）下電極連接2 MHz射頻源時(shí)電子密度變化率分別為 681.6 m-3·W-1（1 Pa）、428.4 m-3·W-1（5 Pa），下電極連接13.56 MHz射頻源時(shí)電子密度變化率分別為90.6 m-3·W-1（1 Pa）、321.3 m-3·W-1（5 Pa），NF3容性耦合等離子體電子密度受到次功率電源的低頻射頻源功率的影響微??；

（2）隨著上電極高頻射頻源功率的升高，電子密度的變化率分別為：1 616.25 m-3·W-1（1 Pa）、1 137.875 m-3·W-1（5 Pa），主功率電源高頻射頻功率的變化對(duì)NF3等離子體電子密度的影響比較大，可以認(rèn)為主功率電源輸入功率的改變對(duì)NF3等離子體密度起決定性作用；

（3）相同條件的電源輸入功率和輸入頻率時(shí)，NF3容性耦合等離子體的電子密度在高氣壓的電子密度小于低氣壓的電子密度。

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