3+摻雜NaGdF4:Yb Er納米晶體的制備及上轉(zhuǎn)換發(fā)光性能"/>

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        Fe3+摻雜NaGdF4:Yb Er納米晶體的制備及上轉(zhuǎn)換發(fā)光性能

        2018-03-30 11:58:18蓋沙沙焦吉慶李耀魏偉劉麗華唐建國(guó)
        山東工業(yè)技術(shù) 2018年7期

        蓋沙沙 焦吉慶 李耀 魏偉 劉麗華 唐建國(guó)

        摘 要:采用水熱法制備摻雜不同濃度的Fe3+的NaGdF4:Yb,Er納米晶體。通過(guò)X射線衍射(XRD),熒光光譜學(xué)等手段對(duì)所制備的NaGdF4納米顆粒的結(jié)構(gòu)與熒光強(qiáng)度進(jìn)行分析。摻雜Fe3+離子之后,納米晶體主要峰的位置和相結(jié)構(gòu)都沒(méi)有發(fā)生變化,制備的樣品都為純的六方相結(jié)構(gòu)。此外,摻雜不同濃度的Fe3+對(duì)NaGdF4:Yb,Er納米晶體的常見(jiàn)特征發(fā)射峰的位置沒(méi)有影響,但是隨著摻雜Fe3+的濃度越來(lái)越大,上轉(zhuǎn)換熒光發(fā)光強(qiáng)度先增強(qiáng)后減弱,當(dāng)Fe3+的摻雜濃度為20%時(shí),綠光和紅光的發(fā)射強(qiáng)度都達(dá)到最大值。

        關(guān)鍵詞:NaGdF4:Yb,Er;Fe;上轉(zhuǎn)換發(fā)光

        DOI:10.16640/j.cnki.37-1222/t.2018.07.181

        上轉(zhuǎn)換發(fā)光納米粒子由于在于近紅外光源激發(fā)下有極強(qiáng)的光學(xué)檢測(cè)度,靈敏性也較其他材料敏感的多,所以在固體成像、醫(yī)學(xué)造影成像、醫(yī)療診斷和生物熒光探針[1]等領(lǐng)域引起了很大的興趣。這些領(lǐng)域的應(yīng)用仍然有限,由于其上轉(zhuǎn)換熒光強(qiáng)度低。

        上轉(zhuǎn)換熒光發(fā)光強(qiáng)度主要是受發(fā)光中心以及發(fā)光中心的數(shù)目的影響[2]。目前提高熒光發(fā)光強(qiáng)度一般主要是從內(nèi)部和外部?jī)煞矫嬲归_(kāi)。從外部提高熒光強(qiáng)度時(shí),主要是通過(guò)包覆核殼結(jié)構(gòu)或者在納米晶體的表面吸附半導(dǎo)體等,遮蓋納米晶體表面的缺陷,從而提高上轉(zhuǎn)換熒光發(fā)光效率。從內(nèi)部提高熒光強(qiáng)度時(shí),主要是改變制備的納米晶體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)從而使得發(fā)光強(qiáng)度產(chǎn)生變化。Capobianco等人[1]一起研究了在NaGdF4:Yb/Er納米晶體的表面包裹NaGdF4。結(jié)果發(fā)現(xiàn)包覆之后納米晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光強(qiáng)度明顯提高。但是很少?gòu)膬?nèi)部提高熒光強(qiáng)度的報(bào)道特別少,特別是過(guò)渡金屬元素。過(guò)渡金屬元素可以改變晶體結(jié)構(gòu)從而提高熒光強(qiáng)度。

        本文采用水熱法制備摻雜不同濃度的Fe3+的NaGdF4:Yb,Er納米晶體。研究摻雜Fe3+離子之后,納米晶體主要峰的位置和相結(jié)構(gòu)的變化以及摻雜不同濃度的Fe3+對(duì)NaGdF4:Yb,Er納米晶體的常見(jiàn)特征發(fā)射峰的位置和熒光強(qiáng)度的影響。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1 藥品試劑

        硝酸釓六水合物(Gd(NO3)3·6H20,99.99%)、硝酸鐿六水合物(Yb(NO3)3·6H2O,99.99%)、硝酸餌六水合物(Er(NO3)3·6H20,99.99%、油酸、乙醇、環(huán)己烷、PVP、氟化鈉都是來(lái)自上海國(guó)藥化學(xué)試劑有限公司。

        1.2 樣品合成方法

        將1.2g氫氧化鈉溶于1ml去離子水中,攪拌,加入乙醇和油酸,劇烈攪拌20min,然后加入1 mmol Ln(NO3)3(78%Gd(NO3)3·6H20,20%Yb(NO3)3·6H20,2%Er(NO3)3·6H20 ),然后再加入適量PVP,攪拌5min,逐低加入滴加8 mL 1 mol/L的氟化鈉溶液,攪拌20min后,將混合溶液轉(zhuǎn)入到四氟乙烯高壓釜中的內(nèi)襯中,保持溫度在180℃,加熱20h。反應(yīng)后,冷卻,離心,洗滌。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 X 射線衍射圖譜

        圖1是 NaGdF4: Yb/Er摻雜0,10,20,30, mol% Fe3+上轉(zhuǎn)換納米晶體的 XRD 圖譜,主要的衍射峰清晰地展示了他們的位置和寬度。從圖1 中可看出,該條件下生成的產(chǎn)物均為純凈的六方相結(jié)構(gòu),其衍射峰與標(biāo)準(zhǔn)卡片一致,摻雜不同濃度的Fe3+離子對(duì)晶體的結(jié)構(gòu)沒(méi)有明顯影響[3]。

        2.2 樣品的發(fā)光性質(zhì)

        圖2(a)是摻雜不同濃度的Fe3+的NaGdF4:20%Yb,2%Er納米晶體的上轉(zhuǎn)換熒光發(fā)光光譜圖。從圖中可以看出,F(xiàn)e3+的摻雜對(duì)熒光發(fā)射峰的位置并沒(méi)有影響,制備的納米晶體主要發(fā)射綠光和紅光,其中521nm和 541nm處的綠光發(fā)光強(qiáng)度最高,654nm處的紅光發(fā)光強(qiáng)度次之。圖2(b)綠光和紅光熒光強(qiáng)度與Fe3+離子濃度的函數(shù)關(guān)系,從圖中可以非常直觀的看出,當(dāng)Fe3+的摻雜濃度為0%-20%時(shí),綠光和紅光的熒光強(qiáng)度不斷增強(qiáng),且Fe3+濃度為10%-20%的熒光發(fā)射強(qiáng)度的增加速度比濃度為0-10%的增加速度快,當(dāng)Fe3+的摻雜濃度為20%時(shí),綠光和紅光的發(fā)射強(qiáng)度都達(dá)到最大值。隨著Fe3+離子的濃度繼續(xù)增加,上轉(zhuǎn)換熒光強(qiáng)度下降。

        3 結(jié)論

        采用水熱法制備摻雜不同濃度的Fe3+的NaGdF4:Yb,Er納米晶體。摻雜Fe3+離子之后,納米晶體主要峰的位置和相結(jié)構(gòu)都沒(méi)有發(fā)生變化,制備的樣品都為純的六方相結(jié)構(gòu)。此外,摻雜不同濃度的Fe3+對(duì)NaGdF4:Yb,Er納米晶體的常見(jiàn)特征發(fā)射峰的位置沒(méi)有影響,但是隨著摻雜Fe3+的濃度越來(lái)越大,上轉(zhuǎn)換熒光發(fā)光強(qiáng)度先增強(qiáng)后減弱,當(dāng)Fe3+的摻雜濃度為20%時(shí),綠光和紅光的發(fā)射強(qiáng)度都達(dá)到最大值。

        參考文獻(xiàn):

        [1]Jiqing Jiao*,Shasha Gai,Yao Li,Wenfei Shen,Jianguo Tang, Yao Wang,Linjun Huang, Jixian Liu,Wei Wang,and Laurence A.Belfiore, NaYbF4:Tb/Eu modified with organic antenna for improving performance of polymer solar cells.Electrochimica Acta, Electrochimica Acta 260(2018)959e964.

        [2]Jiqing Jiao*,Yao Li,Wenfei Shen,Shasha Gai,Jianguo Tang, Yao Wang,Linjun Huang,Jixian Liu,Wei Wang,and Laurence A.Belfiore,F(xiàn)abrication and luminescence of KGdF4:Yb3+/Er3+ nanoplates and their improving performance for polymer solar cells,2017,Science Bulletin,DOI information:10.1016/j.scib.2018.01.016.

        [3]Cheng Q,Sui J,Cai W.Enhanced upconversion emission in Yb3+and Er3+ codoped NaGdF4 nanocrystals by introducing Li ions[J].Nanoscale,2012,4(03):779-784.

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