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        泛半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展

        2018-03-22 01:31:40王峰瀛
        電子技術(shù)與軟件工程 2018年1期
        關(guān)鍵詞:太陽能電池半導(dǎo)體

        基于人類在電子信息技術(shù)領(lǐng)域研究的不斷深入,以半導(dǎo)體技術(shù)為代表的一大批信息電子信息技術(shù)在人們工作、生活和學(xué)習(xí)中得到了廣泛的應(yīng)用。本文以LED半導(dǎo)體照明、太陽能電池、平板顯示等泛半導(dǎo)體技術(shù)為研究內(nèi)容,通過分析其技術(shù)原理及發(fā)展現(xiàn)狀,是人們對于泛半導(dǎo)體技術(shù)有著更加深入的了解。

        【關(guān)鍵詞】泛半導(dǎo)體技術(shù) 半導(dǎo)體 太陽能電池

        半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn),使電子信息技術(shù)的發(fā)展進入了新的階段,成為電子信息技術(shù)研究領(lǐng)域的又一重要分支,其中,以LED半導(dǎo)體照明、太陽能電池、平板顯示的研究最為成功,并已經(jīng)形成了產(chǎn)業(yè)化,服務(wù)于人們的生活。

        1 LED半導(dǎo)體照明原理及發(fā)展

        1.1 LED半導(dǎo)體照明技術(shù)特點

        LED半導(dǎo)體照明所發(fā)出的光屬于熒光,在向LED施加外部電壓時,正向電壓作用下的N區(qū)電子開始向正方向進行移動,從而進入半導(dǎo)體的有源層,而P區(qū)空穴同樣朝著半導(dǎo)體的有源層做反向運動。在有源層內(nèi)部,電子和空穴在異質(zhì)結(jié)勢壘作用下而被限制在有源層內(nèi)部,在此過程中,處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布的電子發(fā)生躍遷效應(yīng),在與空穴復(fù)合時,發(fā)出人們所看到的熒光,并放出熱量(如圖1所示)。

        其中,R為輻射復(fù)合、N為非輻射復(fù)合、M為多聲子躍遷、A為間歇復(fù)合。

        1.2 LED半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展

        隨著半導(dǎo)體發(fā)光器件在實驗室研究中的成功,LED半導(dǎo)體照明已經(jīng)出具端倪,基于半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用,LED半導(dǎo)體照明相比較傳統(tǒng)照明技術(shù)大大節(jié)約了能源,并有著較長的使用壽命,降低了照明成本。

        LED半導(dǎo)體照明的商業(yè)化始于1965年,然而,由于制作工藝、效率、成本等問題的限制,導(dǎo)致該技術(shù)的應(yīng)用并未得到普及。直至1968年,研究人員在基于GaAsP材料的LED半導(dǎo)體中融合了氮摻雜技術(shù),使其發(fā)光效率大大提高,并通過控制PN節(jié)的材料改變其顏色,顏色的增加,使得LED半導(dǎo)體照明的應(yīng)用范圍更加廣泛。

        對于LED半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光效率,也由最初的0.1lm/w,提高到現(xiàn)在的150lm/w,在實驗室環(huán)境下,其發(fā)光效率甚至可以達到300lm/w,這為LED半導(dǎo)體照明的廣泛使用奠定了基礎(chǔ)。以我國為例,早在2011年,我國便已經(jīng)明確規(guī)定逐漸淘汰使用高耗低效的白熾燈,并將白熾燈的功率限制在15w以內(nèi),這對于光照要求較高的行業(yè)來說只能夠使用LED半導(dǎo)體照明。據(jù)統(tǒng)計,當(dāng)LED半導(dǎo)體照明全面取代白熾燈時,我國每年可節(jié)約的電量約為500億kw·h,因此所減少的煤炭使用量約為1700萬噸,所以,基于LED半導(dǎo)體照明在環(huán)境保護方面的中要作用,我國對于LED半導(dǎo)體照明技術(shù)的普及給與了極大政策與經(jīng)濟支持,這也促進了LED半導(dǎo)體照明在我國的發(fā)展。

        2 太陽能電池的技術(shù)原理及發(fā)展現(xiàn)狀

        2.1 太陽能電池的技術(shù)原理

        太陽能電池通過光電效應(yīng)或化學(xué)效應(yīng),將光能轉(zhuǎn)化為電能的一種特殊電池,目前,主流的太陽能電池所使用的材料為半導(dǎo)體硅。當(dāng)陽光照射在半導(dǎo)體的PN節(jié)上時,則會在原有空穴-電子對的基礎(chǔ)上,形成新的空穴-電子對,由于PN節(jié)內(nèi)部電場的作用,導(dǎo)致這些新出現(xiàn)的空穴逐漸向P區(qū)移動,而新出現(xiàn)的電子則流向N去,也就形成了光生電流。

        在太陽能電池的研究領(lǐng)域,主要的光電轉(zhuǎn)換方式有兩種,一種是“光—熱—電”的非直接轉(zhuǎn)換,一種是“光—電”的直接轉(zhuǎn)換。兩種光電轉(zhuǎn)換方式在技術(shù)原理上有著一定的相似之處,但是,卻在光電轉(zhuǎn)換效率方面存在較大差異?!肮狻姟鞭D(zhuǎn)換方式憑借其較高的轉(zhuǎn)換效率,以及簡單的結(jié)構(gòu)設(shè)計,在現(xiàn)實生活中得到了廣泛的推廣應(yīng)用。

        2.2 太陽能電池的發(fā)展現(xiàn)狀

        太陽能電池的關(guān)鍵技術(shù)是多晶硅的制造技術(shù),在2005年之前,由于技術(shù)等多方面的原因,導(dǎo)致我國太陽能電池產(chǎn)業(yè)并未得到普遍發(fā)展,多晶硅高昂的價格,導(dǎo)致太陽能電池?zé)o法得到大面積推廣使用。

        隨著我國在多晶硅研究方面取得的進步,多晶硅產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的不斷優(yōu)化,使得我國在短短的五年時間里,成為光伏行業(yè)的新生力量,并逐漸形成了產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢,在世界光伏行業(yè)的發(fā)展過程中,有著舉足輕重的影響。

        在太陽能電池的研究方面,轉(zhuǎn)換效率一直是研究的核心,隨著太陽能電池研究瓶頸的出現(xiàn),關(guān)于轉(zhuǎn)換效率的提升也逐漸放滿了速度,盡管,以高效電池技術(shù)、PERC電池技術(shù)、HTI電池技術(shù)的出現(xiàn)在一定程度上為太陽能電池進一步的大規(guī)模應(yīng)用奠定了基礎(chǔ),然而,這僅僅是對原有技術(shù)的優(yōu)化,降低了生產(chǎn)升本,并未產(chǎn)生革命性的影響。

        3 平板顯示技術(shù)的發(fā)展

        據(jù)統(tǒng)計,世界上目前所實用的平板顯示器中,約有30%是由我國生產(chǎn)制造的,無論是面積較大的電視面板,還是用于手機、智能顯示終端的小型顯示器,我國大部分廠商都具備了生產(chǎn)能力。在此基礎(chǔ)上,我國各大顯示器制造廠商對于VR技術(shù)也產(chǎn)生了濃厚的興趣,并逐漸深入到這一領(lǐng)域。

        在早期電子管電視淘汰之后,液晶電視也逐漸失去了市場優(yōu)勢,以O(shè)LED半導(dǎo)體技術(shù)為代表的平板顯示技術(shù)已經(jīng)逐漸占領(lǐng)市場。然而,基于半導(dǎo)體技術(shù)研究的不斷深入,作為當(dāng)前平板顯示領(lǐng)域的高端技術(shù)代表——MLED(Micro LED)技術(shù)也將在今后成為智能設(shè)備顯示器的標(biāo)準(zhǔn)配置,盡管,在現(xiàn)有技術(shù)條件下,平板顯示技術(shù)的應(yīng)用成本較高,但是,作為技術(shù)發(fā)展的趨勢,MLED的普及則是一種必然。

        值得注意的是,由三原色亞像素自發(fā)光結(jié)構(gòu)的OLED、MLED、QLED技術(shù)在發(fā)光效率的理論值可達到95%以上,但是,三者在材料選擇上的不同,則影響到了三種不同平板顯示技術(shù)的市場化推廣。

        4 總結(jié)

        半導(dǎo)體技術(shù)的廣泛應(yīng)用,推動了電子信息技術(shù)在能源領(lǐng)域的進一步深入研究,基于半導(dǎo)體技術(shù)對能源的高效利用與環(huán)境保護方面的重要意義,世界各國均在政策和資金等領(lǐng)域給與半導(dǎo)體技術(shù)充分的支持。由此可見,以半導(dǎo)體技術(shù)為核心的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展,將成為社會發(fā)展的主要推動力量之一。

        參考文獻

        [1]陳哲艮.關(guān)于發(fā)光二極管和半導(dǎo)體照明的探討[J].能源工程,2004(02).

        [2]劉耀彬.我國LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、趨勢及戰(zhàn)略選擇[J].科技進步與對策,2010(12).

        [3]劉春.平板顯示技術(shù)初探[J].黑龍江科技信息,2009(12).

        作者簡介

        王峰瀛(1982-),男,陜西省西安市人。碩士學(xué)位。工程師,主要從事功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)和生產(chǎn)。

        作者單位

        西安電力電子技術(shù)研究所 陜西省西安市 710061

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